酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＣｏＰｃ薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。     

聚4—氨基联苯溶液的性质

本文报导了聚4-氨基联苯的电化学合成,测定了它的ESR、IR及紫外可见光谱。聚合物在THF、DMF和DMSO中能全部溶解。界面移动法测得聚4-氨基联苯的DMF饱和溶液中正离子的迁移率为1.48×10~(-8)m~2·S~(-1)·V~(-1)。     

单糖和寡糖的离子色谱法分析研究

单糖和寡糖作为糖蛋白和多种复合糖类的一个组分在生物体内起着重要的作用。研究这些糖类分子的结构与功能关系,有必要建立一种快速、简便、灵敏的单糖和寡糖的分析方法。经典的层析法分辨率低,分析时间长,定量测定困难。气相色谱法主要用于分析单糖,     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

快离子辐照损伤能深度分布理论计算

本文描述了一个用于计算快离子在无定形结构靶材料中引起的损伤能量分布的计算程序HEDEP-1.程序中采用了I.Manning等发展的近似计算方法,在处理入射离子与靶原子碰撞过程中考虑了核力影响,在电子阻止本领计算中选用了最新发表的J.F.Ziegler等数据.程序适用的能量范围是较宽的,从L.S.S.能区一直延伸到弹-核系统的库仑势垒以上,可以计算单质和多至四种元素组成的均匀靶材料.