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电源多级过电压保护的电磁暂态分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在对低压交流电源多级过电压保护装置核心器件——氧化锌压敏电阻进行残压计算和试验的基础上,确定了氧化锌压敏电阻的计算模型,根据这一模型,采用电磁暂态计算程序(EMTP)对交流电源多级过电压保护装置的保护性能以及各级参数配合进行了分析. 相似文献
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如果一个图G存在一个k-列表安排使得G具有一个唯一列表染色,则称 G是唯一列表可染色图,简称UkLC图.我们称图G具有M(k)性质当且仅当G不 是UkLC图.本文在借鉴θr,s,t-图概念的基础上引入θr,s,t-图的定义,并证明:除了 r=s=t=2以外,θr,s,t-图都是U2LC图.利用如上结果我们给出M.Mahdian and E.S.Mahmoodian对U2LC图所作特征化的一个简单证明. 相似文献
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王健涛 《数学的实践与认识》2005,35(10):161-165
研究(QU)型模糊拓扑群族直积,证明了任意(QU)型模糊拓扑群族的直积仍是(QU)型模糊拓扑群;研究了(QU)型模糊拓扑群族直积的模糊单位元之重域基的结构,得到了(QU)型模糊拓扑群族直积的一些重要性质. 相似文献
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Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer: Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices 下载免费PDF全文
We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory. 相似文献
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设G是B核,记用dn,dn和δn分别表示Kolmogorov,Gel''fand和线性n宽度。本文求出了和的精确值,找到了各自的极子空间(或最优算子)。由此证明了Pinkus猜想(即是的极子空间,)在p=q时的正确性。 相似文献
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70.
研究了不对称五氮齿扩展叶啉配合物的激发态性能.结果表明:随苯环上取代基变化,其发射光谱出现在770~820 nm的近红外区域,荧光量子产率小于0.02,寿命小于(?)ns.最低激发单重态能量、荧光量子产率分别和对位取代的 Hammett常数及亲电取代的Hammett常数存在很好的线性关系.激发三重态的能量为123kJ/mol左右,T_1~T_n吸收峰值出现在460~490nm区域,三重态寿命在几十微秒量级,敏化产生单重态氧的量子产率可高达0.9以上. 相似文献