Excellent Passivation of p-Type Si Surface by Sol-Gel Al2O3 Films

Al2O3 films with a thickness of about lOOnm synthesized by spin coating and thermally treated are applied for field-induced surface passivation of p-type crystalline silicon. The level of surface passivation is determined by techniques based on photoconductance. An effective surface recombination velocity below lOOcm/s is obtained on 10Ωcm p-type c-Si wafers （Cz Si）. A high density of negative fixed charges in the order of 10^12 cm^-2 is detected in the Al2O3 films and its impact on the level of surface passivation is demonstrated experimentally. Furthermore, a comparison between the surface passivation achieved for thermal SiO2 and plasma enhanced chemical vapor deposition SiNx ：H films on the same c-Si is presented. The high negative fixed charge density explains the excellent passivation of p-type c-S/by Al2O3.     

Mo2N的表面性质和加氢脱氮活性

以XRD、H2－TPD、TPS方法研究了钝化和硫化处理对Mo2N体相结构和表面性质、以及对吡啶加氢脱氮（HDN）催化活性的影响。Mo2N经钝化或在673K硫化后，虽然其体相结构不发生变化，但其表面性质却发生了明显的异变，并伴随其加氢脱氮活性的显著降低．由Mo2N在不同钝化条件下生成的部分氧化产物以及H2－TPD结果，推测在缓慢钝化条件下，Mo2N表面钝化层为MoO2根据Mo2N硫化后的H2－TPD和相应HDN活性变化，以及Mo2N的TPS结果，认为Mo2N经673K硫化后其表面结构发生了硫化异变．     

锡含量对铅锡合金在硫酸溶液中钝化膜性能的影响

利用线性电位扫描法(LSV)、循环伏安法(CV)和交流伏安法(ACV), 结合Mott-Schottky分析, 研究了锡含量对铅锡合金在硫酸溶液中形成的钝化膜性能的影响. 结果表明: 铅合金中加入Sn可以显著提高其耐腐蚀性能、减小其阳极膜电阻, 同时这些性能的改善随Sn含量的增加更为显著, 另外氧在铅合金上的析出过电位随合金中锡含量的增加而增加. Mott-Schottky分析表明, 钝化膜呈n型半导体特征, 钝化膜中缺陷浓度随锡含量的增加而增加, 说明其施主密度N_D和膜的导电性能随锡含量的增加而增加.     

金属应变电化学研究进展

从宏观应变电化学现象，到微观层次的局部裂纹环境测量与模拟、裂纹扩展预测模型化、再钝化法确立裂纹扩展速率以及应变电化学过程控制等方面，综述了金属应变电化学的发展历程和主要的研究进展。     

氧化铈纳米微粒的制备及其在金属钒钝化中的应用

用表面修饰法制备了氧化铈纳米微粒 ,并作为抗钒钝化剂的研究结果表明 ,纳米微粒浸渍到钒污染催化剂上可以钝化钒对催化剂的污染 ,改善裂化反应的产品分布。     

钙钛矿太阳能电池缺陷钝化技术的研究进展

有机无机杂化钙钛矿太阳能电池具有极低制造成本和高功率转换效率的特点,发展前景广阔.薄膜缺陷长期制约钙钛矿太阳能电池光电转换效率和器件稳定性的发展,本文综述了近年行业对各功能薄膜缺陷的深化认识及其钝化技术的最新研究进展.     

基于协同钝化策略制备高性能柔性钙钛矿太阳能电池

柔性钙钛矿太阳能电池由于可弯曲、重量轻、高功质比等特点,受到广泛关注.提升柔性钙钛矿太阳能电池转换效率最有效的策略是钝化钙钛矿薄膜内部的晶界缺陷以及钝化钙钛矿薄膜与电荷传输层的界面缺陷.本文设计制备了以柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene glycol terephthalate, PET)为基材的柔性反式钙钛矿太阳能电池,采用了辛基氯化胺(octadecylamine hydrochloride, OACl)添加剂及表面钝化的协同钝化策略,提高了钙钛矿薄膜的结晶质量,改善了钙钛矿薄膜内部及界面处的缺陷,并最终得到了光电转换效率为20.80%的柔性反式钙钛矿太阳能电池.本文为制备高效柔性钙钛矿太阳能电池提供了一种有效策略.     

钼酸根离子钝化层对氧化铁薄膜光电催化氧化水的性能影响研究

本文研究了氧化铁(α-Fe₂O₃)薄膜光阳极的合成及其光电催化分解水产氧的性能. 在合成氧化铁过程中,采用原位和非原位方式引入钼酸根离子,调控氧化铁薄膜的生长模式和表面特性. 实验发现原位引入钼酸根离子会显著影响氧化铁薄膜的形貌以及厚度. 而非原位表面修饰钼酸根离子则会保持氧化铁的纳米棒形貌,并有效提高其光电催化分解水的性能. 文章通过紫外-可见吸收光谱,透射电子显微镜(TEM),扫描电子显微镜(SEM),莫特-肖特基测试(M-S),电化学阻抗(EIS)以及光电催化性能测试等手段对材料的结构和性能进行了研究.     

α-Si：H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化

利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了 α-Si:H/SiN_x叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池. 用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果, 通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理. 将α-Si:H/SiN_x薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的 α-Si:H薄膜进行对比, 发现 α-Si:H/SiN_x 薄膜的钝化效果明显优于 α-Si:H薄膜. 不同温度下热处理后, α-Si:H/SiN_x薄膜的钝化效果随着温度的上升先提高后降低. 在最佳热处理温度300 ℃下进行热处理, α-Si:H/SiN_x 薄膜的钝化效果能在90 min内始终保持优于 α-Si:H薄膜. 模拟计算结果表明, α-Si:H/SiN_x薄膜的钝化效果与 α-Si:H/Si界面处的态密度有关. 关键词： 太阳电池 钝化 α-Si：H/SiN_x薄膜')" href="#">α-Si：H/SiN_x薄膜 热处理     

原子层沉积AlO_x薄膜对单晶硅太阳能电池钝化机制的影响

采用原子层沉积设备在p型单晶制绒硅上制备了不同厚度的AlO_x薄膜。通过研究AlO_x薄膜厚度对样品的反射率、少数载流子寿命以及电容-电压特性的影响,发现沉积32 nm的AlO_x薄膜样品具有最好的钝化效果。另外,通过计算Si/AlO_x界面处的固定电荷密度和缺陷态密度,发现32 nm厚的AlO_x薄膜样品具有最低的缺陷态密度。系统研究了单晶硅材料的表面钝化机制,给出了影响样品载流子寿命的根本来源。