X80管线钢钝化膜内点缺陷扩散系数的计算

X80管线钢;扩散系数;点缺陷模型;钝化膜;电容测试法     

HIT太阳电池衬底形貌修饰及其应用研究

在HIT太阳电池非晶硅沉积过程中,单晶硅衬底的绒面金字塔沟壑处易发生外延生长,影响电池输出性能.采用碱性体系(NaClO溶液)对硅片进行绒面形貌修饰,在NaOH的各向异性刻蚀和NaClO的氧化作用下,金字塔结构由尖锐的四面体向较圆滑的“锥形”转变,尤其金字塔底部变得平滑.随着形貌修饰时间的增加,样品表面平均反射率呈线性增大,从未修饰样品的12.48;升高至13.79;,钝化后硅片少子寿命显著提升,绒面形貌修饰有效改善了界面钝化质量,中长波外量子效率提升,从而实现电池电性能的提升.样品绒面形貌修饰45 min后,开路电压从656.3 mV升高至699.8 mV,转换效率提高1.8;.此外,研究了反应温度对表面形貌修饰及HIT太阳电池性能的影响,基于70℃、10; NaClO溶液、45 min的绒面修饰条件下制备的HIT太阳电池转换效率达到最高,为12.02;.     

氧化铝/氮化硅双层膜晶硅钝化的开尔文探针力显微镜研究

对晶体硅(c-Si)太阳能电池而言, 氧化铝(AlOx)是一种广泛使用的钝化材料, 因为它具有优异的沉积保形性和良好的钝化质量. 为了确保AlOx发挥其良好的钝化效果, 在沉积后退火并氢化处理是必不可少的. 通过在AlOx薄膜上沉积氢化氮化硅(SiNx:H)来实现氢化, 利用开尔文探针力显微镜研究了在不同热处理和氢化作用下, AlOx/SiNx:H双层薄膜功函数的变化, 并基于沉积薄膜所含氢与固定电荷展开了讨论. 发现钝化质量和功函数之间有相关性, 影响因素包括薄膜厚度、氢化与热处理顺序.     

锌-铟合金电极在浓KOH溶液中的电化学行为

应用动电位扫描,恒流放电等电化学方法研究含铟锌电极的电化学行为.用SEM和EDS观察放电后的Zn-In合金电极表面形貌,初步探讨了不同In含量的锌-铟合金电极在浓KOH溶液中电化学行为及其影响因素.结果表明,与纯锌电极相比,Zn-In合金的电极致钝电流增大,达到钝化的时间缩短,从而明显地提高了该电极的电化学活性.     

A study on Al2O3 passivation in GaN MOS-HEMT by pulsed stress

This paper studies systematically the drain current collapse in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors （MOS-HEMTs） by applying pulsed stress to the device. Low-temperature layer of Al2O3 ultrathin film used as both gate dielectric and surface passivation layer was deposited by atomic layer deposition （ALD）. For HEMT, gate turn-on pulses induced large current collapse. However, for MOS-HEMT, no significant current collapse was found in the gate turn-on pulsing mode with different pulse widths, indicating the good passivation effect of ALD Al2O3. A small increase in Id in the drain pulsing mode is due to the relieving of self-heating effect. The comparison of synchronously dynamic pulsed Id - Vds characteristics of HEMT and MOS-HEMT further demonstrated the good passivation effect of ALD Al2O3.     

光谱学研究硅烷钒锆复合钝化膜的结构和成膜机理

在热镀锌钢板表面制备了硅烷钒锆复合钝化膜。用X射线光电子能谱(XPS)、射频辉光放电发射光谱(rf-GD-OES)和傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)表征了钝化膜的组成结构,分析了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。结果表明：硅烷之间互联构成了硅烷钒锆复合钝化膜的主成膜成分,无机缓蚀剂均匀分布在膜层中。钝化膜表面Si2p的XPS窄幅扫描谱100.7 eV处的拟合峰和红外光谱在波数1 100 cm-1 Si—O吸收峰变宽加强,表明硅烷以Si—O—Zn键的形式化学吸附在锌的表面,硅烷分子之间通过Si—O—Si键相互交联;红外光谱中1 650和1 560 cm-1的两个酰胺特征峰,结合910 cm-1的环氧特征峰的消失,表明γ-GPT的环氧基团在氨基活性氢的诱导下开环和γ-APT的氨基之间发生聚合反应形成交联的空间网状结构;rf-GD-OES分析发现钝化膜0.3 μm处存在一层富氧层,钝化反应生成的ZrF₄,ZrO₂和钒盐等无机物均匀分布在钝化膜中。分析膜层组成结构和成膜前后的ATR-FTIR光谱,研究了成膜过程中发生的物理过程和化学变化,提出了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。     

基于XRD的镀锌钝化膜残余应力试验研究

利用XRD技术测试了镀锌钝化膜结合界面的残余应力，同时通过电解抛光法检测了其厚度方向残余应力的分布规律，分析了残余应力对镀锌钝化膜结合强度的影响. 试验结果表明，镀锌钝化膜的残余应力均表现为压应力，并随着基体表面残余应力的增大而减小；钝化膜在2—10μm厚度方向的残应力为-274.5—-428.3MPa，其应力为梯度分布；镀锌钝化膜与基体的界面结合强度与其残余应力成反比，减小薄膜残余应力，有利于提高镀锌钝化膜与基体的结合强度. 关键词： X射线衍射法(XRD) 镀锌钝化膜 结合强度 残余应力     

Hydrogen Passivation Effect on Enhanced Luminescence from Nanocrystalline Si/SiO2 Multilayers

Nanocrystalline Si/SiO2 multilayers are prepared by thermally annealing amorphous Si/SiO2 stacked structures. The photoluminescence intensity is obviously enhanced after hydrogen passivation at various temperatures. It is suggested that the hydrogen trapping and detrapping processes at different temperatures strongly influence the passivation effect. Direct experimental evidence is given by electron spin resonance spectra that hydrogen effectively reduces the nonradiative defect states existing in the Si nanocrystas/SiO2 system which enhances the radiative recombination probability. The luminescence characteristic shows its stability after hydrogen passivation even after aging eight months.     

添加钇提高不锈钢耐蚀性能的AES研究

用俄歇能谱仪对比研究了添加０．２％Ｙ对高硅不锈钢在９３％Ｈ２ＳＯ４介质中所形成的钝化膜中各元素浓度分布的影响，添加０．２％Ｙ增大了ＳｉＯ２在不锈钢钝化膜中的比例，从而使合金中Ｓｉ可充分形成富ＳｉＯ２的钝化膜。