金属中超声脉冲的激光产生和压电接收

本文报道了利用TEACO_2激光器的单一光脉冲,在铝、铜和低碳钢等金属中激励超声脉冲,并用超声压电换能器检测声脉冲的实验结果。对声信号的频谱做了初步的分析。测量和分析将有助于建立激光在固体中激励声脉冲的物理模型。     

面心立方金属和合金中的碳内耗峰

本文从理论上和实验上总结和阐明了面心立方金属和合金中碳内耗峰的物理机构,以间隙碳-空位碳原子对模型来解释面心纯金属中的碳内耗峰,以MV-CC,金属原子(M)-空位碳(V-C)-间隙碳(C),原子团模型来说明面心合金中的碳峰。     

研究金属切削中组织变化的网格高速摄影装置

研究金属切削过程中的变化,对改进切削工艺、实现高速、自动化和精密加工具有重要意义。高速显微摄影是实现从宏观到微观、从定性到定量、从静态到动态研究的有效方法。     

若干具有[(PO_4)_4Mo_6~ⅤO_(15)]~(12-)簇骼的化合物的光谱研究

用FTIR ,NIRFT Raman ,UV VisDRS和荧光光谱等对五个新型具有 [(PO4) 4 MoⅤ6O15]12 -阴离子簇的化合物 :Na·(H4TETA) 3 ·(H3 O) 5·{Zn[(HPO4) 2 (PO4) 2 Mo6O15]2 } (2 ) ,(H2 en) 7·(H3 O) 4 ·{Cu[(HPO4) 2(PO4) 2 Mo6O15]2 }·H2 O (3) ,(H3 DETA) 2 ·(H3 O) 3 ·{Co0 5[(HPO4) 2 (PO4) 2 Mo6O15]}·H2 O (4) ,[Co(H3 TETA) ]2 {Co0 5[(HPO4) (PO4) 3 Mo6O15]}· 3 5H2 O (5 )和 (H3 DETA)· (H3 O ) 4 · {Co1 5[(HPO4) 2(PO4) 2 Mo6O15]}·0 5H2 O (6 ) ,进行研究 ,并探讨其结构和性能的关系。这些化合物具有 {M [(PO4) 4 Mo6O15]2 }二聚体单元 ,化合物 2～ 4的二聚体间通过与有机分子和水分子的氢键形成三维网状结构 ;化合物 5和 6的 {Co[(PO4) 4 Mo6O15]2 }二聚体间是分别通过 [CoH3 TEATA]基团和CoO4四面体组成网状结构。磷钼酸盐的特征振动频率和这些化合物的结构相关 ;化合物的三个UV VisDRS特征谱带分别属于Od→Mo,Oμ→Mo和O→M电荷转移 ;观察到以 2 4 0nm激发 ,在 4 10nm附近出现的由Oμ→Mo跃迁激发引起的较强的荧光发射谱带。     

金属纳米团簇复合薄膜Au/BaTiO3与Fe/BaTiO3的PLD制备及其光吸收特征

用脉冲激光沉积技术制备了掺杂纳米金属颗粒Au或Fe的BaTiO3复合薄膜.用透射电子显微镜和x射线光电子能谱表征了金属颗粒的形态和化学态.330-800nm范围的吸收谱研究表明,掺Au颗粒的BaTiO3薄膜在580nm附近有一个明显的共振吸收峰,而掺Fe颗粒的BaTiO3薄膜没有这样的吸收峰.用Mie散射理论对结果进行了分析.     

离子束技术在金属中氦行为研究中的应用

结合我们近期的研究工作，本文介绍和讨论了离子束技术在金属中氦行为研究中的应用，还介绍和讨论了氦在金属中的基本特性，如氦的捕获、迁移和氦泡结构等．     

超导临界参量—金属玻璃结构变化的灵敏探针

综合分析作者在金属玻璃Zr-Co、Zr-Ni和Zr-Si的超导电性与结构关系的实验结果,发现T-c、H_(c2)和J_c等超导临界参量是金属玻璃结构的敏感函数,可以作为金属玻璃结构变化的灵敏探针。     

二元液态金属Cu-Ni和Ag-Cu凝固过程的分子动力学模拟研究

用Quantum Sutton-Chen多体势对Ag6Cu4和CuNi液态金属凝固过程进行了分子动力学模拟研究.在冷却速率2×1012到2×1014K/s范围内,CuNi总是形成fcc晶体结构,而Ag6Cu4总是形成非晶态结构.考虑到CuNi及AgCu中原子半径之比分别为1.025和1.13,那么模拟结果证实了原子的尺寸差别是非晶态合金形成的一个主要影响因素.此外采用键对及原子多面体类型指数法对凝固过程中微观结构组态变化的分析,不但能说明二十面体结构在非晶态合金形成和稳定性中所起的关键作用,又有助于对液态金属的凝固过程、非晶态结构特征的深入理解.     

LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱，得到两个发光峰(记为Il，I2)，分析认为高能侧的峰为Zn0．9Cd0．1Te浅阱峰，而低能侧的峰为ZnSe0．2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量，当激发强度增加时，PL谱中两个发光峰的比值(I2／I1)开始时迅速增加，然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离，从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。     

MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90％。