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41.
离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成.  相似文献   
42.
顾永祚 《光谱实验室》1991,8(4):109-119
本文介绍了稀土分析的发射光谱法,包括(1)痕量稀土镧和钆的粉末筛选电极法,镧、钆、铕、镨、钕和钐的载体分馏法。(2)岩石和矿物中稀土分析的直接法(Pyc-aHOB法)和化学光谱法(ЛaКTИOHOBa法)。(3)氧化铕中稀土元素及杂质的光谱分析的全能量法和分馏法,稀土元素氧化物混合物的光谱全分析法。(4)钢中铈、镧和钡的测定(CopoКИHa法),钢、金属和合金中稀土元素的化学光谱测定,纯金属、钢及镍合金中铈、镧、钕、镨、铒、铥、钐和钇的测定等。  相似文献   
43.
测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=Ea0+sum from s=1 to 3|ηt,s|-1/(ne)v7ΔG7, E=Ec0-sum from s=4 to 6|ηt,s|+1/(ne)v8ΔG8.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.  相似文献   
44.
本文综述了重要的手性有机硼试剂的合成,反应,机理及其在不对称合成中的应用。  相似文献   
45.
用漫反射红外光谱和光声红外光谱研究了金属羰基化合物(CpFe(CO)2)2Cp=η^5-C5H5与酸性,中性和碱性Al2O3及TiO2的相互作用,结果表明,在Al2O3表面生成的洗生物种类及浓度与Al2O3的酸碱度明显相关,在酸性Al2O3表面,主要存在衍生物(CpFe(CO)2Fe-H-Fe(CO2Cp)^+及少量的CpFe(CO)2(-O-);在中性Al2O3表面存在的CpFe(CO)2(-O  相似文献   
46.
47.
金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用磁控溅射产生金属Cu团簇,同时蒸发半导体介质CdS,将Cu团簇包埋在CdS介质中,制备出金属颗粒 半导体膜.团簇大小可通过改变溅射气压控制.用TEM研究了嵌埋团簇的结构.分析表明:CdS很好地包埋了Cu团簇,都呈多晶结构;团簇尺寸在5—20nm,Cu晶格发生了膨胀,膨胀量在7%左右 关键词:  相似文献   
48.
刘乃墉 《光谱实验室》1991,8(1):110-114
本文介绍利用WPG-100型平面光栅光谱仪检测和判别来自柴油机油箱滤网的各种金属碎片成份的原理和方法,通过大量的检测判断结果与柴油机经判断后进行拆检情况对照,说明采用光谱定性(半定量)分析方法能快速、准确分析金属碎片成份,判定碎片的材质来源,是指导柴油机检修、分析处理柴油机技术状态提供非常有用信息的一种有效检测手段。  相似文献   
49.
50.
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