Ternary Eutectic Growth in a Highly Undercooled Liquid Alloy

The crystal nucleation and growth mechanism during the formation of Ag42.4 Cu21.6 Sb36 ternary eutectic are investigated under substantial undercoo]ing conditions. The x-ray diffraction analysis shows that the solidified eutectic phases are not invo]ved (Ag) within a wide undercooling range of 6-114 K. This indicates that under high undercooling condition, the phase constitution of Ag-Cu-Sb eutectic is different from that in the equilibrium phase diagram. With the increase of undercoo]ing, the crystalline morpho]ogy of Ag42.4 Cu21.6 Sb36 alloy transforms from the mixed structure of primary θ(Cu2Sb), two pseudobinary eutectics and (ε θ Sb) ternary eutectic into a unique (ε θ Sb) ternary eutectic. The calculated results indicate that θ(Cu2Sb) is the leading nucleating phase among the three eutectic phases. In addition, the growth morpho]ogy of primary ε(Ag3Sb) compound in Ag60Cu6Sb34 alloy exhibits the characteristics of solid solution and its orthorhombic dendrite grows along the (111) directions.     

密度矩阵重正化群的异构并行优化

密度矩阵重正化群方法（DMRG）在求解一维强关联格点模型的基态时可以获得较高的精度，在应用于二维或准二维问题时，要达到类似的精度通常需要较大的计算量与存储空间.本文提出一种新的DMRG异构并行策略，可以同时发挥计算机中央处理器（CPU）和图形处理器（GPU）的计算性能.针对最耗时的哈密顿量对角化部分，实现了数据的分布式存储，并且给出了CPU和GPU之间的负载平衡策略.以费米Hubbard模型为例，测试了异构并行程序在不同DMRG保留状态数下的运行表现，并给出了相应的性能基准.应用于4腿梯子时，观测到了高温超导中常见的电荷密度条纹，此时保留状态数达到10⁴，使用的GPU显存小于12 GB.     

大能量损失几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究

通过考虑末通道 中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氦原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三重微分截面所产生的影响.     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.     

贝壳固硫过程热重研究

利用LCT-2型热天平对贝壳的固硫反应过程进行了实验研究。探讨了贝壳在含SO2模拟烟气气氛下的固硫能力、温度特性及SO2浓度对其钙利用率的影响特性;并利用JXA-840扫描电镜实验观察了贝壳与石灰石微观结构特性的主要差别。结果表明:贝壳具有良好的微观结构特性和固硫反应活性,其最佳固硫反应温度比石灰石高出约100℃,大部分贝壳更适合作900~1000℃温度下的燃煤固硫剂。     

Anomalous Hall effect of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells

The anomalous Hall effect of heavy holes in semiconductor quantum wells is studied in the intrinsic transport regime, where the Berry curvature governs the Hall current properties. Based on the first--order perturbation of wave function the expression of the Hall conductivity the same as that from the semiclassical equation of motion of the Bloch particles is derived. The dependence of Hall conductivity on the system parameters is shown. The amplitude of Hall conductivity is found to be balanced by a competition between the Zeeman splitting and the spin--orbit splitting.     

Massive particles＇ tunnelling radiation from the black hole with a mass-quadruple moment

In this paper, we extend Zhang and Zhao's recent work to the black hole with a mass-quadruple moment. The behaviour of the tunnelling massive particles is investigated, and the emission rate at which massive particles tunnel across the event horizon of the black hole is calculated. The result is consistent with an underlying unitary theory, and takes the same functional form as that of a massless particle.     

O3+与氦原子碰撞过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究了O3+离子与氦原子碰撞的各种反应过程.基于使用多个系统总能量U值,对初始电子的微正则分布进行了优化,使其更接近于量子力学的径向空间分布.作为检验,首先在独立电子模型近似下计算了He2+与氦原子碰撞的各种反应过程,通过与实验的比较,发现对氦原子靶,优化极大地提高了计算精度.计算了O3+与氦原子随入射离子能量变化的各种反应过程截面,特别是单电子丢失、双电子丢失的总截面,以及转移电离截面与单俘获截面的比值,并与实验进行了比较,发现单双电子丢失截面与实验符合得很好,但在大于200 keV/u的能区,转移电离截面与单俘获截面的比值与实验有较大的差距,这表明独立电子模型需要进一步改进.     

末态电子的关联在氢原子(e,2e)反应中的影响(英文)

在共面非对称几何条件下,利用双势公式解析计算了电子碰撞电离氢原子的三重微分截面.对快电子采用平面波近似,跃迁矩阵元可以表示成两个因子乘积的形式,即结构散射因子和出射道两电子的关联因子.在计算过程中对关联因子采取了最简单的近似,当入射能量为150 eV和54.4 eV时,计算结果与实验结果的符合说明对于这些入射能量该关联近似是有效的;而对于入射能量为27.2 eV时,计算结果与实验结果的较大差异说明这种关联近似是无效的.