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971.
972.
采用离子注入与反应磁控溅射相结合的方法在钛合金及硅片基体表面上制备了纳米TiC类金刚石(DLC)复合膜.通过纳米压痕技术检测了薄膜的纳米硬度,显微划痕试验评估了薄膜的结合力.通过X射线光电子能谱及X射线衍射表征了薄膜的化学结构.结果表明,通过改变C2H2气体流量,可以达到控制薄膜中钛原子含量的目的,合适的C2H2气体流量可以在DLC膜中形成较多的纳米TiC晶粒,形成DLC包覆TiC晶粒的复合结构,使DLC膜力学性能得到明显提高.另外,划痕试验表明掺钛、先注入后沉积工艺都使薄膜的结合力得到了较大提高.
关键词:
纳米TiC类金刚石复合膜
类金刚石膜
力学性能 相似文献
973.
974.
不同条件下,在单晶硅基片上沉积了含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜.原子力显微(AFM)形貌显示,掺N后,薄膜变得致密均匀.傅里叶变换吸收红外光谱(FTIR)表明,随着r(r=N2/[N2+CF4+CH4])的增大薄膜中C—H键的逐渐减少,C〖FY=,1〗N和C≡N键含量逐渐增加.X射线光电子能谱(XPS)的C1s和N1s峰拟合结果发现,N掺入导致在薄膜中出现β-C3N4和a-CNx(x=1,2,3)成分.Roman散射谱的G峰向高频方向位移和峰值展宽等证明:随着r的增大,薄膜内sp2键态含量增加.
关键词:
氟化类金刚石膜
键结构
氮掺杂 相似文献
975.
采用鞍点变分方法和鞍点复数转动方法并考虑相对论修正和质量极化效应,计算了类铍离子内壳激发态1s2p3 3P0、3D0和内壳双激发态2s2p3 3D0的俄歇宽度、俄歇分支率和俄歇电子能量.同时还对1s22p2 3Pe态到1s2p3 3P0、3D0态(Z=4~10)的振子强度和辐射跃迁率进行了计算,计算结果与其他理论结果以及实验数据符合得很好. 相似文献
976.
利用基于全相对论框架下的多组态Dirac-Fock理论方法发展起来的程序包GRASP92和新发展的处理辐射跃迁过程的程序REOS99,计算了类镍等电子系列离子(Z=45-95)的基组态3s23p63d10 1S0以及低激发组态3s23p63d94l,3s23p53d104l和3s3p63d104 l(l=s,p,d,f)的能级及其向基态的M1,M2,E2禁戒跃迁概率.通过分析高离化类镍离子在特定的原子序数范围内由于存在能级交叉而产生的强组态相互作用,解释了高离化类镍离子禁戒跃迁概率的反常变化现象,探讨了禁戒跃迁概率受强组态相互作用影响而变化的一般规律. 相似文献
977.
提出了一种基于聚类的选择性支持向量机集成预测模型.为提高支持向量机集成的泛化能力,采用自组织映射和K均值聚类算法结合的聚类组合算法,从每簇中选择出精度最高的子支持向量机进行集成,可以保证子支持向量机有较高精度并提高了子支持向量机之间的差异度.该方法能以较小的代价显著提高支持向量机集成的泛化能力.采用该方法对Mackey-Glass混沌时间序列和Lorenz系统生成的混沌时间序列进行预测实验,结果表明可以对混沌时间序列进行准确预测,验证了该方法的有效性.
关键词:
支持向量机
集成
混沌时间序列
聚类 相似文献
978.
��Ԥ���븨�������赲�ŵ�ת���¶ȵ��о� 总被引:1,自引:0,他引:1
用火花预电离辅助介质阻挡放电装置在大气压空气中实现了均匀的类辉光放电。通过用光谱模拟法和波尔兹曼图解法对N 2 第一负带系B2Σ→X 2Σ(0,0)带发射谱线的分析,对放电过程中N 2 的转动温度进行了诊断。研究了不同频率和放电模式下转动温度的变化规律,对由两种方法计算所得的温度进行了对比。实验结果表明,转动温度会随着外加频率的增加而缓慢的增加;当放电从类辉光模式变到丝状放电模式时,转动温度会有70K左右的升高。 相似文献
979.
用全相对论多组态自洽场方法,计算了高离化类铥铋原子BiXV的1s、2s、2p-、2p、3s、3p-、3p、3d-、3d、4s、4p-、4p、4d-、4d、4f-、4f、5s、5p-、5p、5d-、5d、5f-、5f、5g-、5g、6s、6p-、6p、6d-、6d、6f-、6f、6g-、6g、7s、7p-、7p、7d-、7d、7f-、7f、7g-、7g、8s、8p-、8p、8d-、8d轨道的2249个精细结构能级和辐射寿命以及其他各种跃迁参数.能级和波长的计算值和实验值符合得好.另外还发现了一些辐射寿命较长的亚稳态能级. 相似文献
980.