掺钕聚甲基丙烯酸甲酯的光学特性

研究了制备的掺钕螯合物Nd(DBM)3Phen材料的吸收光谱、激发光谱、荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了该材料的强度参量．分析了钕离子激发态4F3／2的辐射寿命(631 μs)和4F3／2→4IJ′跃迁的受激发射截面和荧光分支比．     

贝克曼AllegraTM21R型超高速离心机故障排除一例

贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后，操作面板上出现错误代码“28”，离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动，由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2，并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验，仪器恢复正常。     

中立型脉冲微分方程正解的存在性

本文利用Banach压缩映射原理，讨论了中立型时滞脉冲微分方程正解的存在性。     

镅污染手套箱系统的去污技术

考虑到手套箱系统的主要污染核素为^239Pu，^241Am，^3H和U，其中^239Pu，^241Am属α长寿命极毒核素，很容易产生放射性气溶胶。在手套箱系统退役过程中，手套箱系统的拆除解体前后均应采用行之有效的方法进行去污，最大限度的减少放射性物质对环境的污染。文中根据可剥离膜去污技术、电解去污技术、导电高分子聚合物导电机理以及超声波去污技术，针对镅污染手套箱拆下部件的污染情况和材质特点，采取单独使用和组合使用的方法进行相应的去污技术研究。     

Fabrication of Dendrimer－like PAMAM Based on Silica Nanoparticles

A G 4.0 dendrimer-like poly (amido amine) (PAMAM) based on silica nanoparticles was fabricated via a divergent approach.It was built from γ-aminopropyi silica nanoparfides (APSN) core via repetitive addition of acrylate (MA) and hexylenediamine (HDA). FT-IR and EA were used to monitor the progress of dendrimer during each step. The amino group content of the resulting product increased from 0.49 to 3.72 mmol/g after the 4th generation. In addition, the percentage of grafting increased with increasing generation and reached to 65.9% after 4th generation. It was found that the resulting silica nanoparticles could be dispersed in methanol with a mean hydrodynamic particle diameter of 152.7 nm although the silica nanoparticles had agglomerated during the storage period.     

强场物理与快点火靶的制备

采用本体聚合技术合成全氘代聚苯乙烯（DPS），所得聚合物分子量约250000，分散度约3，氘代率为98．7％。采用热诱导相分离技术制备全氘代聚苯乙烯泡沫。在室温溶解DPS于溶剂中，然后转入轴向冷却模具，进行单向冷却，直到溶剂完全冷冻，最后取出冷冻样置于冷冻干燥仪中进行冷冻干燥，待溶剂完全脱出后即得泡沫。通过对二恶烷／环己烷混合溶剂相图，以及PS一混合溶剂体系的相图的测定，     

一类流行病数学模型解的研究

该文讨论了一类非线性抛物型方程组解的性质，利用微分方程上、下解方法证明了初值适当小时，方程存在整体解；初值适当大时，解在有限时间上爆破，推广了文献[1]的结果．     

电阻的测量方法归类分析

分析历年对电阻测量的高考试题可以现，在考查方式上，已经从教材中实验的考查渐过渡到设计型实验的考查；在考查内容上，经从实物连接、仪器选择的考查逐渐过渡到验原理、电路设计的考查，要求同学们能够灵地从一种实验情景迁移到另一种情景，从而分考查同学们的创新能力．下面就电阻的测量方法进行归纳。     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

非线性中立型系统的稳定性判据

本文同时应用函数,推广了的Gronwall—Bellman不等式以及类似于文[1]引理3的方法,讨论了二类非线性中立型系统的稳定性,得到了仅依赖于方程系数的简单代数判据,推广了文[5]的结果。