反向响应过程抗负载干扰PID控制回路性能评估

反向响应过程广泛存在于化工领域中,但针对反向响应过程的性能评估研究较少。针对一类二阶时滞反向响应过程,通过幂级数展开的方法简化了对象模型,然后研究其抗负载干扰PID控制回路性能评估问题。根据DS-d控制原理获取期望闭环传递函数以及PID控制器参数,推导干扰模型为阶跃情况下的PID控制回路累积绝对误差(IAE)性能基准值,并将其推广到斜坡输入以及一般输入情形,为不同干扰类型情况下的反向响应过程建立通用化的IAE性能评价标准。仿真结果验证了所提性能评估算法的正确性以及通用性。     

利多卡因醇质体的制备及其透皮性能评价

为了提高酰胺类局部麻醉药利多卡因的经皮渗透量,采取乙醇注入法制备了利多卡因醇质体,正交实验得到其最优制备工艺:卵磷脂与利多卡因质量比1∶1,乙醇体积分数40%,温度30℃,超声时间3min.该法制得利多卡因醇质体的平均包封率为(75.93±5.07)%.将该醇质体制成含裸药5%的凝胶,皮肤刺激性实验和体外透皮实验结果显示该凝胶对豚鼠皮肤无刺激性、无致敏性.该凝胶6h的体外累计渗透量为241.968μg.cm-2,6h的渗透速率(40.331μg.cm-2.h-1)为裸药凝胶渗透速率的7.71倍.     

约束梁柱构件抗火性能研究进展

约束构件抗火性能和抗火设计是近年国内外相关学者关注的热点之一.笔者简要介绍了约束构件(包括约束梁、约束柱)抗火性能所取得的成果,总结了约束构件在火灾下的工作行为、抗火性能研究以及抗火设计方法的进展,指出了约束构件抗火研究目前存在的主要问题,并对下一步工作进行了展望.     

二氢奎尼了的荧光分析法研究

本文探讨了用荧光光度法检测二氢奎尼丁的方法及实验条件，在０．０５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４、１％ＨＡＣ介质中最大激发波长２５０ｎｍ、３６０ｎｍ，最大发射波长４４４ｎｍ，量子产率为０．５５（在０．０５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４介质中）、０．５４（在１％ＨＡＣ介质中）。线性范围０·０５ｎｇ／ｍｌ～５．０μｇ／ｍｌ。检出限量为０．０１ｎｇ／ｍｌ。本方法简便、快速、灵敏度高，适用于临床医学监测服药病人血浆及尿液中药含量。     

D2及高浓度H2／CH4辉光放电

D_2辉光放电实验的目的旨在进一步了解辉光放电清除水的机制,弄清辉光放电清洗时,高本底H_2与质谱仪中离子源反应生成H_2影响质谱仪分析的情况。实验是在FY-I装置(异形截面环流器)上进行的,装置结构见文献[2]。实验安排与预试环上进行的实验大致相同。重水(D_2O)在相对净化的氢纯化器内电解后,生成D_2(氘)经压电晶体阀控制输入。     

毫微晶材料的结构和性能

本文综述了八十年代发展起来的毫微晶材料的结构和性能．毫微晶材料中，界面剖分占原子总数的９０％左右．实验结果表明，界面部分原子的徘列既不象晶态材料那样长程有序，也不象非晶态材料那样短程有序，可以看成是一种类似于气体的结构．这种材料在力学、磁学、热学等方面的性能相对于相同成分的多晶材料、非晶态材料有了很大的改进，是一种具有广阔发展前景的新型材料．     

Preparation of Ni-B Coating on Carbonyl Iron and Its Microwave Absorption Properties in the X Band

Ni-B coated carbonyl iron particles （CI@Ni-B） are prepared by the electroless plating technique. The structure, morphology, and antioxidant properties of the CI@Ni-B particles are analyzed. The results demonstrate that the CI particles have been coated with intact spherical-shell Ni-B coating, indicating the core-shell structure of CI@Ni-B particles, and the Ni-B coating can prevent the further oxidation of the CI particles. Compared with the raw CI particles/paraffin coatings with the same coating thickness of 2.0mm and particles content of 70%, the CI@Ni-B particles/paraffin coatings possess higher microwave absorption （the RL exceeding -10 dB is obtained in the whole X band （8.2-12.4GHz） with minimal RL of -3f.OdB at 9.2GHz）.     

Oxide magnetic semiconductors： Materials, properties, and devices

We give a brief introduction to the oxide （ZnO, TiO2, In2O3, SnO2, etc.）-based magnetic semiconductors from fundamental material aspects through fascinating magnetic, transport, and optical properties, particularly at room temperature, to promising device applications. The origin of the observed ferromagnetism is also discussed, with a special focus on first-principles investigations of the exchange interactions between transition metal dopants in oxide-based magnetic semiconductors.