MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)法在蓝宝石衬底上生长的In组分浓度保持不变的InGaN/GaN单量子阱结构在室温下的发光特性和光吸收特性.实验结果表明,在InGaN厚度<3nm时,随着样品InGaN势阱层宽度的增加(1nm),光致发光(PL)谱的发光峰值波长出现明显的红移33nm现象,而且发光强度下降8%,谱线半峰全宽(FWHM)展宽,通过对样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄(1.5nm)的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,即R+T达到了100%,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象,对引起这些现象的原因进行了讨论.这些结果有助于开发和优化三族氮化物半导体光电器件的进一步研究工作.     

光程对黄酒金属元素近红外透射光谱分析精度的影响

应用近红外透射光谱分析技术开展了不同光程对黄酒中金属元素(钾、钙、镁、锌和铁)分析结果影响的研究。实验采用傅里叶变换近红外光谱仪(800～2 500 nm)及不同光程(1,2,5,10 mm),石英比色皿以空气为参比进行了光谱采集,并采用偏最小二乘法进行了数据分析。金属含量采用原子吸收光谱分析法测定。分析结果表明, 5 mm光程的分析结果最优,对于钾、钙、镁、锌和铁的相关系数(r2)分别为0.93,0.85,0.93,0.72,0.66,交互验证误差(RMSECV)分别为26.5,35.6,4.63,0.26,0.64 mg·L-1;而10 mm光程的光谱分析结果最差,其r2分别为0.61,0.65,0.63,0.09,0.25。通过实验说明, 光程对近红外透射光谱分析的影响,不是光程越长或越短越好,需要通过测试及对比分析确定。     

不同变质程度煤的高分辨率透射电镜分析

利用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析了三种不同变质程度煤样的结构特征。基于傅里叶-反傅里叶变换方法,并结合Matlab、Arcgis和Auto CAD软件,通过图像分析技术,获得了HRTEM照片的晶格条纹参数。结果表明,三种煤样的晶格条纹呈现不同特征,按条纹长度分别归属于1×1-8×8共计八个类型。以3×3为临界点,在1×1和2×2中,ML-8中芳香层片的比例高于DP-4和XM-3;在3×3-8×8中,ML-8中芳香层片的比例低于DP-4和XM-3。对比HRTEM和XRD参数d002发现,随着镜质组反射率的增加d002都呈现递减趋势。     

Investigation on LaF3/porous silicon system for photonic application

<正>We present the investigation on LaF_3/porous silicon(PS) system that has properties of both the materials to be applied in photonics.Epilayers of LaF_3 are grown on PS under different anodization conditions using electron-beam evaporation(EBE).The characteristics of the LaF_3/PS system are analyzed by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscope(SEM),energy dispersive X-ray spectroscopy(EDX),and photoluminescence(PL).XRD confirms the polycrystalline nature of the LaF_3 film.Nearly stoichiometric growth of LaF_3 on PS is established by EDX.Such a thin LaF_3 layer grown on PS leads to a good enhancement of PL yield of PS.But with the increasing thickness of LaF_3 layer,PL intensity of PS is found to decrease along with a small blue-shift.     

冰洲石红外偏光透射谱测量及其应用

红外偏光光谱测量是对红外晶体材料进行光谱分析的一种重要方法,本文对冰洲石晶体的红外偏光透射性能进行了研究,得到了2.5-5μ真的o、e光透射谱。对冰洲石晶体二向色特性的成因,样品制备原理及测量方法作了介绍,对制作中红外冰洲石偏光镜的可行性进行了分析。     

膜催化研究IV: 钯-氧化铝/陶瓷复合膜

本文在无机氧化铝膜的基础上掺入钯, 用sol-gel法制得钯-氧化铝/陶瓷复合膜, 将该膜用于乙醇脱氢制乙醛反应, 分别考察了反应温度、乙醇进样量以及内管惰性气体吹扫气流对乙醛产率的影响, 并在相同条件下比较了常规反应器及单纯氧化铝膜反应器的结果。实验数据表明, 氧化铝膜中掺入钯后可显著提高乙醛产率。本文测定了该复合膜的H2/Ar分离系数、孔径分布, 并利用电子显微镜、X射线衍射等手段对其进行了表征。     

γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO₂衬底上成功生长了非极性的a面(1120) ZnO薄膜. 衬底温度为350℃时，薄膜是混合取向(a向和c向)，以c面ZnO为主，且晶粒尺寸分布很宽；提高温度达500℃，薄膜变为单一的(1120)取向，摇摆曲线半高宽0.65°，晶粒尺寸分布趋窄，利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性. 衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大，虽然摇摆曲线半高宽变大，但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV，比在350℃，500℃下制备的样品小1/5. 关键词： 非极性ZnO 2')" href="#">γ-LiAlO₂ PLD 透射谱     

Pb1－xMnxSe薄膜的光学特性

采用分子束外延的方法在BaF₂(111)衬底上制备出了高质量的Pb_1-xMn_xSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明，Pb₁-xMn_xSe薄膜为立方相NaCl型结构，没有观察到MnSe相分离现象，薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小，Mn含量由Vegard公式得到.通 关键词： 1-xMn_xSe外延薄膜')" href="#">Pb_1-xMn_xSe外延薄膜 透射光谱 带隙 折射率     

微波等离子体化学气相沉积合成掺氮金刚石薄膜的缺陷和结构特征及其生长行为

Diamond film was deposited in CH₄ and H₂ gas mixture with a small amount of N₂ by microwave plasma assisted chemical vapor deposition (MPCVD). Scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and transmission electron microscopy were applied to characterize the film. The results showed that the growth of grains are different the central region and the edge. In the central region, diamond grains nucleated with a density as high as 4.8×10⁸ cm^-2 and were preferential in 〈001〉 orientation. The inner grains formed an area without stacking faults,which was surrounded by a rim with a high density of stacking faults. A growth model was suggested to interpret the morphological feature and the behavior of preferential growth. At the edge, the grains were identified to be 6H polytypes of diamond and a new twin relationship of grains was found. Besides, the effect of the N dopant on the growth behavior of the diamond film deposited by MPCVD was discussed in connection with the growth rate of the film. 关键词： 金刚石 结构表征 透射电子显微镜 多型金刚石     

ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性

对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45~3.60 nm之间,尺寸分布基本呈高斯型.