塑料闪烁体的辐照特性

利用⁶⁰Co放射源分别对3种塑料闪烁体(BC-408, EJ-200, BC-404)进行辐照损伤研究, 比较辐照前后的透射谱、发射谱及光产额的变化, 发现3种闪烁体在低剂量具有较好的抗辐照性能; 当照射剂量超过1.44×10⁴Gy时,透射谱明显变坏, 光输出减少很严重, 但发射谱却保持不变.     

40Ar+诱导无定形碳到金刚石纳米晶相变的研究

通过60 keV的⁴⁰Ar⁺辐照无定形碳靶合成了大量尺寸不同的金刚石纳米颗粒.高分辨透射电子显微镜配合能量色散X射线谱和电子衍射以及Raman谱分析的结果表明，这些嵌于具有扰动石墨结构薄膜中的纳米金刚石颗粒，其成核率很高(约为10¹³/cm²)，而且可以生长到较大的尺寸，有的甚至可以达到微米量级.对其相转变过程也进行了初步探讨. 关键词： 离子束 金刚石纳米晶 相变 透射电子显微镜     

A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors：Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy

We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity.     

分析型反射电子显微镜和表面科学：实验技术和发展

本文综述了反射电子显微术(REM)和反射电子能量损失谱(REELS)在表面科学中的应用。较详细地给出了用这些方法研究表面原子结构、化学成份和电子态的基本实验和理论,指出了发展这一学科对表面研究的重要性。     

用超声化学法制备有机包覆纳米银

纳米级银粉，以其纳米尺寸所赋予的独特性能，可广泛应用于催化剂材料、电池电极材料、低温材料和导电浆料，探索纳米银粉的制备方法具有重要的意义。2004年，通过超声化学法，在乙二醇介质中、以硝酸银为原料制备出了有机包覆的纳米银。产物用X射线光电子能谱仪（XPS）、透射电子显微镜（TEM）和红外光谱等进行了检测。     

通过一类一维链的透射和反射

本文建立了平面波ε－ｉｋｘ（波数ｋ＞０）通过势ｖ（ｘ）＝ｖｎδ（ｘ－ｘｎ），Ｎ→∞时透射振幅和反射振幅的速推公式；给出系统为绝缘体的充要条件；最后，作为应用，对一类线性递归链，研究了系统的导通性及绝缘性．     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

物质结构研究方法及实验的演变

 物质构成之谜是自古至今人们一直在探索的重要课题。到了近代,这个课题取得了很大的成果,这些成果的取得过程是一个曲折复杂的艰难探索过程,这些成果的取得是得益于科学知识的不断积累,更重要的是得益于实验方法的改进和实验手段的突破。对物质结构研究方法及实验的演变过程作一个回顾是非常有益的。     

平面波通过强度不相等的两个δ势垒问题的求解

对平面波通过强度不相等的两个δ势垒（阱）的定态薛定谔方程作了详细的理论计算，得到了此问题的解．讨论了解的物理含义，分析了入射波产生共振透射的条件及其亚稳态的描述方法