迎风凹腔与逆向喷流组合热防护系统冷却效果研究

对迎风凹腔与逆向喷流组合热防护系统的冷却效果进行了分析, 研究了相同总压不同流速的逆向喷流对组合结构的流场、气动受力及壁面传热的影响. 通过与相关的实验结果对比, 验证了数值方法的可靠性. 研究发现:该结构能够有效地对飞行器鼻锥表面进行冷却, 引入很小总压的逆向喷流(逆喷总压比 PR=0.1), 组合结构的冷却效果就可以远远优于单一的迎风凹腔; 相同逆向喷流总压下, 逆喷速度越高, 逆喷流量越大, 外壁面的冷却效果越好; 随逆喷流速提高, 气动阻力也进一步减小. 本文研究的组合结构非常适用于     

连续变量量子密钥分发的数据逆向协调

基于多级编码/多级译码(MLC/MSD)系统实现了连续变量量子密钥分发的逆向数据协调。讨论了高斯连续变量量化过程中使互信息量最大时最佳量化区间的选取,并且通过理论计算给出了信噪比为4dB的情况下各级等价信道的最佳码率。协调方案中选择低密度奇偶校验码(LDPC)作为信道编码,结合边信息译码原理最终通过LDPC迭代译码算法实现了数据的逆向协调。     

基于ANP权重确定的AHP-DEA模型及其在逆向物流服务供应商选择中的应用

实际系统评价问题中,输入输出指标之间往往并非独立,而是存在着复杂的影响与反馈关系.传统AHP-DEA模型直接采用层次分析法(AHP)构造约束锥,容易使指标权重产生较大偏差甚至出现错误.通过网络分析法(ANP)确定了权重,反向构造了AHP约束锥,并与DEA模型结合,建立了AHP-DEA模型.同时,开展了逆向物流服务供应商选择应用研究,应用结果表明,基于ANP权重确定的AHP-DEA模型能够有效解决多个决策单元均有效而无法区分优劣的问题.     

基于云模型的模糊综合评价方法及应用

阐述了利用正态云模型代替模糊隶属函数进行模糊综合评价的方法.运用云模型的逆向云发生器、云运算原理,结合云模型的模糊性、随机性、统计性性质对一个评价系统进行综合评价.最后使用食品安全监管检测数据分析比对了基于云模型的模糊综合评价方法与常规模糊综合评价方法,算例表明云模型的模糊评价方法具有模糊隶属函数方法所不具备的优势.     

冲蚀地形上悬跨海底管线涡激振动试验研究

为了给海底管线服役期间的安全评估提供科学依据,基于水弹性相似关系,对海底管线服役期间常见水流环境条件下,冲蚀地形上悬跨弹性海底管线涡激振动进行试验研究.采用粘贴于管线内壁的应变片测量振动过程中的应变.通过与平底地形上相关研究结果进行对比分析发现:冲蚀地形上悬跨海底管线涡激振动强度与振动频率均受到冲蚀地形的影响;振动强度随水流折减速度的变化比平底地形要快,在相对冲坑长(悬跨长)L/D为20与L/D为35时涡激振动强度的差别较平底地形上悬跨管线要小得多;管线垂向振动频率随冲蚀地形冲坑长度的减少而增大;冲蚀地形上悬跨管线周围的斯特劳哈尔数St在0.21左右.比相同雷诺数下平底地形上悬跨管线周围St数略大.     

次贷危机下我国资本市场与银行体系跨市场风险传染实证研究

跨市场风险传染是在金融工具创新和金融业务融合的过程中,金融风险跨越原有金融分业经营界限由某一金融机构、金融市场向其他金融机构和市场传导的机制.本文通过构造资本市场三大价格指数,利用格兰杰(Granger)因果关系检验、向量自回归模型(VAR模型)、方差分解和脉冲响应函数对次贷危机给我国资本市场带来的金融风险向银行体系传导进行实证分析,并得出股票市场风险的跨市场传染是资本市场金融风险向银行体系传导的主要形式,股票市场对信贷市场的影响时间更长,而股票市场对票据市场的冲击强度更大.     

静电位阻模型在纳滤膜跨膜电位解析中的应用

采用静电位阻模型对纳滤膜的跨膜电位进行了理论解析, 考察了溶液体积通量密度、原料液浓度、阴阳离子扩散系数比、膜孔半径和膜体积电荷密度对KCl(1-1型电解质)和MgCl2(2-1型电解质)中的纳滤膜跨膜电位的影响. 研究结果表明, 随着通量密度的增大, KCl和MgCl₂的跨膜电位线性程度增强; 两种电解质的跨膜电位均随着原料液浓度和膜孔半径的增大而下降; 在不同的考察范围内, 阴阳离子扩散系数比对1-1型和2-1型电解质的跨膜电位的影响差别较大; KCl的跨膜电位随着膜体积电荷密度的变化关于零点呈现出对称性, 而MgCl₂的跨膜电位零点则出现在膜体积电荷密度为负的条件下.     

RK—AUSM^＋混合格式在跨声速Euler方程计算中的应用

首先在一维AUSM^ 格式的基础上,推导出了AUSM^ 格式在任意曲线坐标下的二维形式,并将其与Runge-Kutta格式结合,对跨声速Euler方程进行求解,最后,为了验证RK-AUSM^ 混合格式的有效性,将典型双圆弧叶栅无粘跨声速流动作为算例,本文计算结果和文献结果符合很好。     

Low frequency effects of surface states on 4H—SiC metal—semiconductor field effect transistor

The process-related surface state effect is investigated the fabrication of SiC devices, and a nonllnear model for 4H-SiC power metal-semiconductor field effect transistor (MESFET) is propose, which takes into account the surface related parameters. The frequency-and temperature-dependent transconductance dispersion is readily demonstrated in terms of the improved model. Simulation results show that larger dispersion and higher transition frequency occur in 4H-SiC MESFET than in GaAs MESFET. The advantage of this analytical model over the two-dimensional numerical simulation is the simplicity of calculations, therefore it is suitable for the processing improvement of SiC devices     

Numerical simulation of transconductance of AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors at high temperatures

Based on the investigation of the influence of temperatures on parameters, including polarization, electron mobility, thermal conductivity, and conduction band discontinuity at the interface between AlGaN and GaN, the temperature dependence of transconductance for AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors (HFETs) has been obtained by using a quasi-two-dimensional approach, and the calculated results are in good agreement with the experimental data. The reduction in transconductance at high temperatures is primarily due to the decrease in electron mobility in the channel. Calculations also demonstrate that the self-heating effect becomes serious as environment temperature increases.