金属氢研究新进展

简要介绍了金属氢的研究意义和应用前景 ,详细评述了有关的高压实验方法和最近的研究成果及进展 ,特别是固体氢的相图、结构和相变 .近十多年来 ,随着超高压技术的发展 ,已能在金刚石对顶砧 (DAC)上产生30 0GPa的静态压力 ,并可进行高压原位实验研究 .对固体氢进行了高压拉曼、同步辐射X射线、光反射和吸收、同步辐射红外光谱等一系列高压物性和相变研究 .从而确定了固体氢的三个相 ,并提出了可能的相结构 .     

Schottky Barrier Height Inhomogeneity of Ti／n—GaAs Contact Studied by the I—V—T Technique

The current-voltage characteristics of Ti/n-GaAs Schottky diodes measured over a temperature range of 78-299K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogeneous Schottky contact.The experiment shows that the apparent barrier height (φap) increases from 0.437eV at 78K to 0.698eV at room temperature.the plot of φap versus 1/T does not exhibit a simple linear relationship over the whole temperature range,indicating that the barrier height distribution is more complicated than the frequently observed single Gaussian distribution.A new multi-Gaussian distribution model is developed.Our experimental results can be explained by a double Gaussian distribution of the barrier heights.The weight,the mean barrier height,and the standard deviation of the two Gaussian functions are 0.00001 and 0.99999,0.721 and 0.696,0.069 and 0.012eV,respectively.     

多媒体课件在中专物理课堂的应用

"CAI"就是计算机辅助教学,它可分为学生使用的助学软件和教师使用的辅教软件两大类.本文讨论辅教类软件,其内容主要有实物录相剪辑、模拟实验、模拟现象、范例习题、图片文字等,通常还配合必要的文字、语音、音效和背景音乐等,它是为物理教师更好地达到课堂教学目的而设计制作的,用于物理课堂教学的计算机应用软件,是一种全新的教具.     

稀土的发射光谱分析

本文介绍了稀土分析的发射光谱法，包括（1）痕量稀土镧和钆的粉末筛选电极法，镧、钆、铕、镨、钕和钐的载体分馏法。（2）岩石和矿物中稀土分析的直接法（Pyc-aHOB法）和化学光谱法（ЛaКTИOHOBa法）。（3）氧化铕中稀土元素及杂质的光谱分析的全能量法和分馏法，稀土元素氧化物混合物的光谱全分析法。（4）钢中铈、镧和钡的测定（CopoКИHa法），钢、金属和合金中稀土元素的化学光谱测定，纯金属、钢及镍合金中铈、镧、钕、镨、铒、铥、钐和钇的测定等。     

金属表面生成氧化膜在电解质中的电位

测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=E_a⁰+sum from s=1 to 3|η_t,s|-1/(ne)v₇ΔG₇, E=E_c⁰-sum from s=4 to 6|η_t,s|+1/(ne)v₈ΔG₈.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.     

金属羰基化合物（CpFe（CO）2）2与金属氧化物表面作用的傅里叶变…

用漫反射红外光谱和光声红外光谱研究了金属羰基化合物（ＣｐＦｅ（ＣＯ）２）２Ｃｐ＝η＾５－Ｃ５Ｈ５与酸性，中性和碱性Ａｌ２Ｏ３及ＴｉＯ２的相互作用，结果表明，在Ａｌ２Ｏ３表面生成的洗生物种类及浓度与Ａｌ２Ｏ３的酸碱度明显相关，在酸性Ａｌ２Ｏ３表面，主要存在衍生物（ＣｐＦｅ（ＣＯ）２Ｆｅ－Ｈ－Ｆｅ（ＣＯ２Ｃｐ）＾＋及少量的ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（－Ｏ－）；在中性Ａｌ２Ｏ３表面存在的ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（－Ｏ     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：