全文获取类型
收费全文 | 8426篇 |
免费 | 1616篇 |
国内免费 | 6033篇 |
专业分类
化学 | 9969篇 |
晶体学 | 177篇 |
力学 | 601篇 |
综合类 | 355篇 |
数学 | 1987篇 |
物理学 | 2986篇 |
出版年
2024年 | 82篇 |
2023年 | 308篇 |
2022年 | 383篇 |
2021年 | 449篇 |
2020年 | 336篇 |
2019年 | 289篇 |
2018年 | 230篇 |
2017年 | 354篇 |
2016年 | 371篇 |
2015年 | 417篇 |
2014年 | 695篇 |
2013年 | 608篇 |
2012年 | 623篇 |
2011年 | 630篇 |
2010年 | 609篇 |
2009年 | 603篇 |
2008年 | 721篇 |
2007年 | 691篇 |
2006年 | 665篇 |
2005年 | 680篇 |
2004年 | 581篇 |
2003年 | 604篇 |
2002年 | 486篇 |
2001年 | 582篇 |
2000年 | 436篇 |
1999年 | 438篇 |
1998年 | 433篇 |
1997年 | 403篇 |
1996年 | 332篇 |
1995年 | 400篇 |
1994年 | 313篇 |
1993年 | 244篇 |
1992年 | 249篇 |
1991年 | 232篇 |
1990年 | 197篇 |
1989年 | 190篇 |
1988年 | 65篇 |
1987年 | 49篇 |
1986年 | 30篇 |
1985年 | 25篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 18篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
71.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
72.
磁电子学器件应用原理 总被引:13,自引:0,他引:13
本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。 相似文献
73.
在backstepping程序中,把非线性自适应控制和鲁棒控制连接起来,为参数化的严格反馈系统在不确定性存在的情况下,建立了一种鲁棒自适应控制方案.非线性自适应控制被用来处理系统的线性参数化部分,而鲁棒控制通过引进非线性阻尼项被用来处理不确定性部分.与现有的方案不同,作者给出了非线性阻尼项的无限种选择,而不是仅仅一种选择.通过使用一种合适的选择,能够设计一个鲁棒自适应控制器.它不仅能够保证对不确定性的鲁棒性,而且能够使输出误差任意小,以及用较小的控制努力取得较好的性能. 相似文献
74.
75.
76.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献
77.
78.
80.