用类金刚石碳掩膜制备LaAlO3台阶衬底

我们用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）方法在ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）衬底上生长了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜，并以此作为掩模，制备了台阶衬底．ＳＥＭ分析表明，制备的台阶衬底具有陡直的台阶角度（大于７００）．我们用这样的台阶衬底制成了ＹＢＣＯ台阶结并测量了结的基本特性，结果表明，结有较好的高频特性．     

混合物理化学气相沉积法制备MgB$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;单晶纳米晶片的研究

利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的MgB₂单晶纳米晶片. 利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上, 以便对其精细结构等物性进行表征. 电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性: T_conset=38 K, T_c(0)=33 K. 扫描电子显微镜图像表明, 晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间, 宽度从几微米到上百微米; 高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹. 选区电子衍射数据与MgB₂已有的单晶衍射数据相符. 这些测量结果证实了其确为高质量单晶MgB₂超导纳米晶片. 本文不仅提出了一种全新的制备单晶MgB₂的方法, 也观察到了纳米尺度MgB₂单晶的零电阻现象, 为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材. 关键词： 2')" href="#">单晶MgB₂ 超导纳米晶片 零电阻 混合物理化学气相沉积法     

纳米晶复合Pr2Fe14B/α-Fe永磁材料磁性的研究

采用熔体快淬的方法制备Pr₂Fe₁₄B/α-Fe纳米晶复合永磁材料.使用振动样品磁强计(VSM)测量样品的室温磁性能.实验合金成分为(Pr_xFe_94.3-xB_5.7)_0.99Zr₁(其中x＝8.2，8.6，9.0，9.4，9.8，10.2，10.6，11.0，11.4(原子分数，%)).系统地研究了辊速及合金成分对快淬带磁性能的影响，当Pr原子分数由8. 关键词： 纳米复合永磁材料 熔体快淬 2Fe₁₄B/α-Fe')" href="#">Pr₂Fe₁₄B/α-Fe 磁性     

超导环电流的研究

以修正的含时金兹堡-朗道理论去研究超导环的超流特性；计算了涡旋运动方程，理论上得到超导环电流是超流量子的整数倍，并且具有多涡旋跳跃；从理论上得到超导环的磁场是量子化的.一定条件下，超流的符号可以发生反转，并且理论上得到了它的表达式.认为超导环是具有对势的对称. 关键词： 超导环 电流 超导电性     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心     

Effects of oxygen vacancy location on the electronic structure and spin density of Co-doped rutile TiO2 dilute magnetic semiconductors

According to density functional theory （DFT） using the plane wave base and pseudo-potential, we investigate the effects of the specific location of oxygen vacancy （Vo） in a （Ti,Co）06 distorted octahedron on the spin density and magnetic properties of Co-doped rutile Ti02 dilute magnetic semiconductors. Our calculations suggest that the Vo location has a significant influence on the magnetic moment of individual Co cations. In the case where two Co atoms are separated far away from each other, when the Vo is located at the equatorial site of a Co-contained octahedron, the ground state of the two Co cations is d6（t3g↑, t23g ↓） without any magnetic moment. However, if the Vo is located at the apical site, these two Co sites have different ground states and magnetic moments. The spin densities are also observed to be modified by the exchange coupling between the Co cations and the location of Vo. Some positive spin polarization is induced around the adjacent O ions.     

小波变换软阈值去噪在粗晶材料超声检测中的应用

本研究多尺度小波分析方法在粗晶材料超声检测信号增强中的应用。在分析结构噪声，电噪声和缺陷信号的小波变换特性的基础上，提出一种用一个尺度间变化的门限闭值来抑制噪声的小波变换系数，并以各尺度缺陷信号的能量关系形成权值，加权重构信号来提高信噪比。实验结果表明，该方法具有很好的去噪效果，增强了粗晶材料缺陷的检出率。     

金属UV光敏薄膜的实验研究

介绍了金属Au和Al薄膜的制备方法，研究了其UV光电发射特性，并做了寿命实验。给出了在真空中以及放在大气中光电发射衰减的情况。指出了其在大气中达到一个稳定值之后，再反复多次暴露于干燥大气时仍存在一个稳定光电发射周期的特点，可长达数月。金属薄膜有一个最佳膜层厚度，这与光电发射逸出深度、膜层结构等密切相关。近年来光电子成像器件发展非常迅速，急需光电发射均匀的面电子源，因此在微通道板的特性测试和像管的动态模拟中，Au和Al金属薄膜成为被优选的对象。     

光频段双层手征结构光学特性及负折射率研究

设计了一种工作在光波段的新型四重对称的双层手征结构,通过数值模拟得到透射系数和反射系数,反演计算了结构的圆二色性、旋光角、手征参数和折射率。结果表明该结构在谐振波长附近具有很强的旋光性,并且在椭偏度为零时,即透射光变成完全线偏振光时,旋光角达到了55°;在一定波段内可以实现左旋圆偏振光(LCP)和右旋圆偏振光(RCP)的负折射率,且不需要介电常数和磁导率同时为负,更重要的是,实现负折射率的左旋圆偏振光(LCP)具有较宽的频带,不局限于谐振波长附近,在椭偏度为零时,折射率也为负。考虑到具体的实验制作,对加衬底的手征结构进行了数值模拟,结果表明谐振波长向长波长方向产生了偏移,完全线性偏振光的旋光角仍然有40°。     

Practical absorption limits of MPP absorber

The construction and properties of microperforated panel (MPP) absorber are discussed. The absorption limit of the absorber had been shown that low values of the perforate constant k = d(f/10)1/2 and the orifice diameter d (in mm) are essential for MPP to have high absorption in wide frequency band. To find the exact limits, take 1 for k as a start, because both specific resistance and high absorption require k around one. And the orifice diameter d is chosen as 0.1 mm, so that the peak absorption coefficient (resonance absorption) is at 1000 Hz, and high sound frequency may be in the absorption region. Is it possible for a single layer of such an MPP to cover the whole absorption region required in practice? The half-absorption limit is not a good criterion, because low absorption comes in also in some cases. The 0.5 absorption coefficient limit is suggested for practical region, as a standard for comparison. Absorption curves were drawn for different load resistances, of absorption coefficients versus frequency. Ordinary MPP absorber absorbs in slightly over two octaves, and the new absorber with r = 1 (specific resistance equal to the characteristic impedance in air)is slightly better than these, 2.5 octaves. The new absorbers with r > 1, are much better than these, and some satisfies high absorption in broad frequency range. Realization of these will mean great progress of MPP absorbers.