带耗散的一阶非线性偏微分方程组的Cauchy问题

本文采用整体迭代法证明了带小初值的一阶非线性耗散偏微分方程组的Cauchy问题的整体经典解的存在性及指数衰减性质。     

EXAFS研究负载型Ni／SiO2的区域结构

实验结果表明改进的实验室ＥＸＡＦＳ谱仪测试Ｎｉ箔的Ｋ吸收得到的ＥＸＡＦＳ谱与同步辐射上测量Ｎｉ箔得到的ＥＸＡＦＳ谱相近，利用实验室ＥＸＡＦＳ方法也可开展较好的结果测量研究，在ＳｉＯ２粉末载体上Ｎｉ负载量变化的ＥＸＡＦＳ结果表明，随着Ｎｉ负载量的降低，Ｎｉ的径向结构函数主配位峰的位置Ｒ＝０．２２０ｎｍ保持不变，但振幅强度逐渐降低。负载量从Ｎｉ箔到２．５％Ｎｉ／ＳｉＯ２，无序度因子σ由０．００６８ｎｍ     

有限域中的第二型本原根的阶及其范数

本文给出了有限域中第二型本原根是一个k次幂的条件,并讨论了第二型本原根的范数,所得结果描述了第二型本原根的(乘法)阶。     

机械密封焊接金属波纹管膜片结构的有限元分析

在Linux操作平台下应用FAST_wmg有限元前后处理软件对机械密封焊接金属波纹管膜片建立了有限元模型并进行了非线性有限元分析．在同等条件下对焊接金属波纹管采用了S型膜片和V型膜片，并分别进行了有限元强度评价和对比分析．结果表明，两种膜片最大应力集中都在膜片两端周围发生．这与文献所叙述的波纹管的主要失效发生在膜片两端与焊谷接近的部位非常吻合，但是，在同样边界条件下，在同样位移量时S型膜片最大应力值比V型膜片最大应力值小，压缩量大．     

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

基于偏差的不确定型多属性决策的综合集成方法

对不确定型条件下的多属性决策问题,规范化后的区间数能消除属性值之间量纲的差异,建立了相离度偏差、中间值偏差和理想方案偏差计算公式,构建了以总偏差平方和为目标函数的综合集成优化模型,求解出各属性的客观权重,提出了一种客观属性权重的可能度法,为不确定型多属性决策提供了一种简单实用的可靠方法.最后通过一个算例说明了该方法的实用性和有效性.     

某类线性系统的指数型二分性和概周期解及有界解的存在性

得到εdx/dt=A(t)x的扰动系统具有指数型二分性一个充分条件，作为应用得到其扰动系统概周期解及有界解的存在性，推广了[1,2,3]的结果。     

离子辐照引起的金属／绝缘体界面混合与相变研究

载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化，从而导致界面发生材料相变。简要介绍了载能离子辐照引起金属／绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属／绝缘体界面现象差异，并对离子辐照引起界面混合及相变的机制进行了初步探讨。When penetrating an interface between two kind of solids, energetic ions can induce atomic diffusion at both sides of the interface and then result in intermixing, atom re-distribution or composition change, as well as phase transformation. Main progress on the study of intermixing and phase change at metal/insulator interface induced by energetic ion irradiations, the difference of phenomena occurred at metal/insulator interfaces induced by high-and low-energy ions were briefly reviewed. Furthermore, the possible mechanisms related to intermixing and phase change at metal/insulator interface produced by energetic ion irradiations were also discussed in short words.