p耗散算子的扩张

该文研究Ｂａｎａｃｈ空间中ｐ耗散算子的极大耗散扩张．通过建立自然边界空间，将ｐ耗散算子的极大耗散扩张与自然边界空间中极大负子空间—一对应，并给出表达式．利用这一工作本文给出一类Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ算子的扩张应用．     

集成型硅光电负阻器件及应用研究

本文报道了对集成型硅光电负阻器件及其应用的初步研究结果。文中介绍了硅光电负阻器件(PLBT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究。根据实验结果,文中还探讨了该类型振荡器在光调制方面所具有的功能.     

局域共振型声学超材料机理探讨

本文以二维固体薄板中的弹性波传播为例, 对基于共振子结构的声学超材料带隙机理进行了探讨, 证明在声学超材料中带隙形成既与共振子对波的散射相位有关, 也与波在共振体之间的几何传播相位有关. 通过调节散射相位和几何传播相位均能实现对色散关系的调控. 基于这一理解, 探究了弹性波超材料中的次波长缺陷态和负折射现象的实现条件.     

手性负折射率材料的最新进展

阐述了手性负折射率现象的产生机制;总结了近几年国内外手性负折射率材料在仿真模拟和实验制备方面的研究进展;分析了手性负折射率材料的旋光性、手性参数、损耗等;介绍了手性负折射率材料在各个领域的应用。分析认为,探索手性负折射率材料的新机制、新方法和新材料,从而在可见光波段实现负折射率是未来手性负折射率材料的重要发展方向之一。     

负碳离子（2s^22p^3）和（2s^12p^4）的光离解

电子关联效应在负离子中的作用相当重要，本文讨论了负碳离子（２ｓ＾２２ｐ＾２）和（２ｓ＾１２ｐ＾４）的能级结构、光谱跃迁、寿命和光离解通道等。碳负离子（１ｓ＾２２ｓ＾１ｐ＾４）的双重态比四重态稳定，（２ｓ＾２２ｐ＾４）和（２ｓ＾１２ｐ＾４）之间各辐射谱线波长位于超紫外区域的上限附近，其光谱强度很大的波长有６条，为研制Ｘ射线激光提供了有利的工作物质。     

科苑快讯

 美发现一种新天体 美国天文学家最近在对宇宙进行的一次大规模探测中,发现了一种介于行星和恒星之间的天体。这种被称为甲烷褐矮星的天体大小相当于木星,但质量却是木星的10到50倍。     

CO_2激光烧结合成负热膨胀材料Sc_2(MO_4)_3(M=W,Mo)及其拉曼光谱

用CO2激光烧结合成了负热膨胀材料Sc2(WO4)3和Sc2(MoO4)3.实验表明,激光合成负热膨胀材料Sc2(WO4)3和Sc2(MoO4)3属于快速合成技术,合成一个样品的时间仅需几秒到十几秒,具有快速凝固的特征;X射线衍射和拉曼光谱分析表明,所合成的材料为正交相结构,且具有较高的纯度;变温拉曼光谱分析表明,所合成的材料在室温以上没有相变,但可能有微弱的吸水性;在对Sc2O3,Mo O3,WO3,Sc2(MoO4)3和Sc2(WO4)3拉曼光谱分析的基础上,给出了激光光子能量及原料和合成产物的声子能级图,分析了激光烧结合成的机理.激光光子能量转化为激发声子的能量是光热转化的主要通道,原料在熔池中反应并快速凝固形成最终产物.     

新型二维拉胀材料SiGeS的理论预测及其光电性质

二维材料由于其在力学、电学以及光学等领域的潜在应用而受到广泛关注.基于第一性原理计算,通过有序地排列SiH3SGeH3的Si-S-Ge骨架,设计了一种全新的二维材料SiGeS.单层SiGeS具有良好的能量、动力学以及热力学稳定性. SiGeS具有非常罕见的负泊松比.此外,单层SiGeS是间接带隙半导体,其带隙值为1.95 eV.在应变的作用下, SiGeS可转变为带隙范围为1.32—1.58 eV的直接带隙半导体,可被应用在光学或半导体领域.同时,本征SiGeS拥有优异光吸收能力,其最高光吸收系数可达约10~5 cm^–1,吸收范围主要在可见光到紫外波段.在应变下,光吸收范围可覆盖到整个红外波段.这些有趣的性质使得SiGeS成为一种多功能材料,有望被用于纳米电子、纳米力学以及纳米光学等领域.     

基于负氢离子源的全三维PIC/MCC模拟算法研究

在分析负氢离子源中等离子体物理机理基础下, 研究并优化粒子模拟算法, 设计高效的粒子存储方法. 研究并运用粒子碰撞蒙特卡罗方法, 考虑等离子体势以及带电粒子间库仑碰撞, 研制了全三维粒子模拟/蒙特卡罗算法(PIC/MCC). 采用磁荷模型, 运用时域有限差分方法计算多峰磁场, 并结合国外负氢离子源JT-60U, 考虑负氢离子源中主要反应, 对全三维PIC/MCC模拟算法模拟验证.