具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

胺、醇、醚类化合物电离能的自相关拓扑研究

原子的染色序数 fi 定义为 :fi=gi·xi,式中 gi 为原子i在分子中的序数 ,xi 为其染色系数 .基于fi 建立改进的原子序数自相关拓扑指数mF ,其中的1F对烷烃及其衍生物具有良好的结构选择性 .使用第一电离能 (Ip)与0 F ,1F的数量关系模型对 32种脂肪族胺、醇、醚进行估算、预测 ,结果令人满意     

A novel trilinear decomposition algorithm： Three-dimension non-negative matrix factorization

Non-negative matrix factorization(NMF)is a technique for dimensionality reduction by placing non-negativity constraints onthe matrix.Based on the PARAFAC model,NMF was extended for three-dimension data decomposition.The three-dimension non-negative matrix factorization(NMF3)algorithm,which was concise and easy to implement,was given in this paper.The NMF3algorithm implementation was based on elements but not on vectors.It could decompose a data array directly without unfolding,which was not similar to that the traditional algorithms do.It has been applied to the simulated data array decomposition andobtained reasonable results.It showed that NMF3 could be introduced for curve resolution in chemometrics.     

超高感彩卷乳剂微晶体电镜研究

应用物理和化学相结合的方法，将超高感彩卷分层剥离，离心沉降，水洗除胶，电镜观测各层乳剂的微晶体结构。揭示了超高感彩卷各乳剂层的结构情况，披露了超高感彩剂制造技术。     

第一性原理计算钛酸铅A位掺杂对其负热膨胀性的影响

近年来,实验发现钛酸铅基材料具有负热膨胀性,且其热膨胀程度会受到掺杂元素的影响. 目前所研究的A位掺杂体系中,仅Cd原子掺杂能使钛酸铅负热膨胀性增强. 所以研究A位掺杂钛酸铅,比较Cd原子与其他原子在掺杂钛酸铅时化学键的异同,有助于深刻理解钛酸铅负热膨胀的本质. 本文利用第一性原理,分别优化了Sr、Ba、Cd掺杂钛酸铅的晶格常数,计算了它们的态密度和电荷密度. 结果表明Cd―O键的共价性强于Pb―O键,而Ba―O键和Sr―O键几乎呈离子性,Ba/Sr对Pb的替代削弱了化合物的共价性,降低了自发极化强度. 与实验测量的热膨胀系数对比可以发现,A位原子与氧原子之间的共价性增强,化合物负热膨胀程度升高;若A位原子与氧原子之间的共价性削弱,负热膨胀程度降低. 可见A位原子与氧原子之间的共价性影响了钛酸铅基化合物负热膨胀性.     

Composite Electrode SnO2／TiO2 for Dye-Sensitized Solar Cells

Composite nanoporous electrode SnO2/TiO2 was fabricated for the dye sensitized solar cell (DSSC) with N3 (Cis-Ru). After introducing of TiO2, the open-circuit photovoltage (Voc) was higher than that of the pure SnO2 electrode, while short-circuit photocurrent (Isc) was varied with the ratio of the TiO2. Appropriate content of the TiO2 can be beneficial to the efficiency of the solar cell, and it gives negative impact on the composite electrode when the content of TiO2 is higher.     

一些稀疏图的强边染色（英文）

图G的强边染色是指对图G进行正常边染色使得任意长度为3的路的三条边染不同的颜色.图G的强边色数,记为χ’_s(G),是使得图G是强k边着色的最小正整数kk.2015年,Zang [arXiv:1510.00785]证明了:最大度△(G)=5的图G,χ’_s(G)≤37.本文证明了:最大度△(G)=5且最大平均度小于8/3(或者14/5)的图G,χ’_s(G)≤13 (或者14).另外,本文证明了:最大度△(G)≥3的不含K_2,3-图子式的图G,χ’_s(G)≤4△(G)-6,这个界是紧的.     

图的非负广义邻接矩阵的谱半径的一些界（英文）

顶点数为n,边数为m的简单图G的非负广义邻接矩阵定义为U(G)=γAA(G)+γ_II(G)+γ_JJ(G)+γ_DD(G),其中γ_A,γ_I,γ_J,γ_D是一些非负实数,A(G)是图G的邻接矩阵,D(G)=diag(d₁,d₂,…,d_n),I(G)是单位矩阵,J(G)是全1矩阵.本文得到了谱半径ρ_U(G)的一些界,并刻画了达到这些界时的极图.此外还得到了ρ_Aα(G)的新界以及ρ_A(G),ρ_L(G)和ρ_Q(G)的已知界.     

气相色谱-负化学源质谱联用法测定菊酯类农药

通过固相萃取-气相色谱-负化学离子源质谱技术建立了11种拟除虫菊酯类农药残留的检测方法，并应用于茶叶农残检测。样品经乙酸乙酯提取后，用串联的活性炭和中性氧化铝固相萃取柱选择性地富集茶叶中待测组分，再由气相色谱-负化学离子源质谱分时段选择离子监测技术进行测定。方法简单快速，一次进样就能得到11种菊酯残留结果；准确度和精密度高，在0．016μg／kg、0．032μg／kg和0．064μg／kg3个添加水平下的回收率在70％～110％之间，CV≤7．4％；选择性好，消除了色素和其它杂质干扰；灵敏度高，检出限低，除了氯菊酯为10μg／kg外，其它菊酯检出限都在μg/∥kg级，七氟菊酯则达到了0．02μg／kg。     

直肠癌患者头发微量元素分析

应用装存EPM-810Q电子探针的扫描分析电镜，对53例直肠癌患者作单根头发中镁、铝、镉，钙，铬、铁、铜、锌、铅、锰、硒11种微量元素分析。并与健康对照组进行比较，结果表明：直肠癌患者头发中镁、铝，钙含量明显低于正常。