改善液晶光阀投影光学系统偏振特性的理论设计方法

定量分析了液晶光阀投影光学系统中影响系统对比度的主要因素，利用矢量方法建立三维空间数学模型对光线进行追迹，并利用琼斯矩阵和矢量光学的原理分析了偏振器件--主要是波片--和各种光学薄膜对光学系统性能的影响。给出了在一定假设条件下的对没有波片的光学系统和插入波征后的光学系统的仿真计算结果。两组数据比较表明在光路中插入合适相位差的波片可以显著提高系统对比度等性能。     

二元示数计算

(二)负数开平方法 原理:当某一根置大,就将出现估负根的计算。     

二维欧拉多介质流体力学数值模拟-TVD＋VOF方法

用TVD格式结合VOF界面处理方法编制了二维多介质高分辨欧拉程序，以解决冲击波和多介质界面处理。程序包括单介质网格高精度流体力学计算、多介质网格内界面重构、各种介质输运和压力驰豫平衡过程。其中单介质网格的计算采用Harten二阶TVD格式结合MacCormark方法计算含有源项的非齐次守恒定律方程组，通过4节点限制函数保证格式单调。多介质网格采用Youngs方法构造界面，采用x，y方向分裂格式计算体积份额输运，再根据体积份额输运计算质量、动量和能量的输运，最后利用等熵条件计算各种介质的压力驰豫平衡过程。     

关于非平行板电容器电容计算的讨论

用串联方法计算非平行板电容器的电容，简便地得到与其他方法相同的结果。     

燃煤烟气中As、Se、Pb的形态分布及S、Cl元素对其形态分布的影响

基于化学热力学平衡分析方法，计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律，研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明，氧化性气氛下，As以As₂O₅、As₄O₆、AsO等氧化物的形式存在；Se主要以SeO₂形式存在；Pb在1000 K以下主要是固态PbSO₄，1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下，As在较低温度时为固态As₂S₂，900-1400 K以As₂、AsS、AsN气体共存，2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H₂Se存在，1100 K开始生成SeS和Se₂气体，1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO；Pb在中低温时主要是PbS，1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS（g）、PbS（g）、SeS（g）的比例，氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响；Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小，但对Pb的形态分布影响较大。     

溃坝问题的间断有限元方法

本文研究90年代初提出的Runge-Kutta间断Galerkin有限元方法，给出该方法的精度分析，通过经典算例验证该方法处理间断问题、捕捉锐利波形的能力，并将其推广到求解浅水问题．针对坝底无摩擦，无坡度的理想情形进行讨论，给出方溃坝和圆溃坝问题的数值模拟结果．     

Calculation of the Specific Heats for the Ⅱ—Ⅲ and Ⅱ—Ⅳ Phase transitions in NH4I

This study gives our calculation for the specific heats CVI due to an Ising model using the observed Cp data for the Ⅱ-Ⅲ and Ⅱ-VI phase transitions in NH4I.By fitting to the CP data we determine the values of the critical exponent for the pressure of 0.14GPa(Ⅱ-Ⅲ phase transition)and for the pressures of 0.75,1.35and 1.97 GPa (II-IV phase transition)in NH4I.Our exponent values values are close to the predicted values of the specific heat in a three-dimensional Ising model.Our calculated CVI are in good agreement with the experimental CP for NH4I in most cases.     

Numerical Calculation and Analysis of Track Etching Process

Heavy ion irradiated polymers can be chemically etched to form track membrane with pores in the micro and sub-micro ranges. It has been reported that pore growth during etching can be related to track structures. A latent track has a track core inside and a track halo surrounding the track core. By single track etching it is observed that etching in the track core is much faster than in the track halo where the etching rate is even lower tlian that of bulk material. For multi-track etching, no such stages can be seen by the conductance measurements.     

P(α,α′)πN反应中N(1440)激发的蒙特卡罗研究

在P(α,α′)πN反应的几种反应机制中研究N^*(1440)激发, 利用蒙特卡罗模拟的办法重现N^*(1440)共振峰的位置, 我们在给定入射能量情况下模拟出末态各出射粒子的动量, 角分布情况. 计算结果可以在πN的不变质量谱中观察到明显的N^*(1440)共振峰, 同时达里兹图中在πN系统能量平方为2100MeV²附近事件分布密集, 而别的组态却没有观察到这些情况, 这都说明了πN共振粒子N^*(1440)的产生.