光电耦合器的反应堆中子辐射效应

 选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×10¹¹~5×10¹²cm^-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。     

延时效应对直线变压器电子束源的影响

 从长脉冲直线变压装置故障试验出发,对其波形顶部展宽、前沿变短现象进行了分析。利用电流传导理论,探讨了波叠加延迟效应。通过3维仿真分析,得到了不同时序激励的输出波形。结果表明：靠近二极管端单元为首模块时,开关触发延时与波叠加传输延迟可相互抵消,实现波形优化目标。     

电感支撑磁绝缘传输线的设计与初步实验

 为了研究电感支撑内筒对磁绝缘传输线(MITL)功率流传输的影响,设计了一套电感支撑的MITL及其诊断系统,对MITL各个位置电参数进行了测量,获得了MITL阴阳极电流波形和MITL电压波形。其中一发支撑前阴极电流为90.08 kA,支撑后阴极电流为93.88 kA,阴极电流传输效率为95.96%,多次实验传输效率平均值为92.8%,证实了电感支撑MITL的可行性。     

一种简化复杂电路的简易有效方法

在"恒定电流"这一章中部分电路结构较为复杂,给教师讲解、学生解题带来一定困难.有些电路不容易看出电路的构成,虽能用电流分支法或者等电势点排列法等不同方法来分析讲解,但还不能从根本上简化;有相当一部分学生花费很多时间和精力还是不容易理解、掌握.笔者对此曾反复思考,发现用数学的"割补法"简化似乎更加简易、有效.     

介观物理系统的统计物理和持续电流

本文讨论介观系统的统计物理一些基本概念 ,在一般教科书和文献都很少有解释到的。我们讨论自平均效应 ,它在介观与宏观系统之不同 ,对杂质作系统平均后热力学量在介观与宏观系之不同。我们较详细引介用格林函数和图解法计算介观持续电流。同样 ,我们强调宏观系统和介观系统不同之处 ,对介观物理系统从计算热力学量的角度来看需要特别考虑因素。     

一般情况下两共轴圆线圈间互感系数的简便计算

采用级数展开的方法,得到了一般情况下两共轴圆线圈间互感系数的严格无穷级数表达式,所得结果在除两线圈重合之外的所有情况下均是收敛的.并且在计算过程中利用磁矢势而非磁感应强度求出磁通量,使得该方法较为简便.     

最小神经元模型放电起始动态控制与分析

本文采用最小神经元模型,从生理学角度设计wash-out滤波器,实现了不同放电起始动态机理之间的转换,并证明wash-out滤波器控制通过影响阈下电流的竞争结果改变了神经元的放电起始动态机理. 关键词： 放电起始动态机理 阈下电流竞争 最小神经元模型 wash-out滤波器     

光激发下分子纳米结中电荷输运的振动效应研究

在纳米金属电极和分子组成的分子纳米结中,应用分子振动的简正坐标在弱耦合近似下研究了在光激发作用下电荷的输运过程,并从电离能的角度分析了顺序电荷转移的机理,研究了在光激发条件下分子纳米结的电流-电压特性. 发现分子的振动效应是Franck-Condon阻滞在光激发作用下消失的关键因素,进而在理论上分析了分子的电离能在电荷输运中的作用,同时分析了IVR效应对光激发下分子纳米结中电荷输运的影响. 关键词： Franck-Condon阻滞 振动效应 电流-电压特性     

IrMn基反铁磁自旋阀的巨磁电阻效应

用第一性原理方法研究了在微观尺度具有三重对称磁结构的IrMn合金的反铁磁自旋阀(AFSV)的电子输运.研究表明:基于有序L1₂相IrMn合金的Co/Cu/IrMn自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应具有三重对称性,可以利用这一特性区分反铁磁材料的GMR与传统铁磁材料的GMR.基于无序γ相IrMn合金的IrMn(0.84 nm)/Cu(0.42 nm)/IrMn(0.42 nm)/Cu(0.42 nm)(111) AFSV的电流平行平面构型的GMR约为7.7％,大约是电流垂直平面构型的GMR(3.4％)的两倍,明显大于实验中观测到的基于共线磁结构的FeMn基AFSV的GMR. 关键词： 反铁磁自旋阀 巨磁电阻效应 非共线磁结构 电流平行平面结构     

二胡喇叭

介绍了利用安培力策动二胡发声而唱歌的实验装置.