激光诱导Mg等离子体电子温度的实验研究

利用波长为1 064 nm,最大能量为500 mJ的Nd∶YAG脉冲激光器在室温,一个标准大气压下对Mg合金冲击,改变激光能量,得到相应的Mg等离子体特征谱线。分析谱线,发现谱线有不同的演化速率,同时得到了MgⅠ,MgⅡ离子谱线,证明此实验条件下,激光能量足够Mg合金靶材充分电离。选择了相对强度较大的MgⅠ 383.2 nm, MgⅠ 470.3 nm, MgⅠ 518.4 nm三条激发谱线,利用这些发射谱线的相对强度计算了等离子体的电子温度,激光能量为500 mJ时,等离子体温度为1.63×104 K。实验结果表明：在本实验条件下,Mg原子可以得到充分激发;在200～500 mJ激光能量范围内,等离子体温度随着激光能量的降低而衰减,在350～500 mJ激光能量范围内的等离子体温度随激光能量的变化速度十分明显,200～350 mJ时等离子体温度变化速度迅速减缓;激光能量为300 mJ时,谱线相对强度明显减弱,低于350和250 mJ的谱线相对强度,不符合谱线相对强度会随着激光能量提高而上升的变化趋势,证明发生了等离子体屏蔽现象,高功率激光产生的等离子体隔断了激光与材料之间的耦合。此时的等离子体温度明显升高,不符合变化趋势,这是由于在发生等离子体屏蔽现象时,激光能量被等离子体吸收,导致等离子体温度上升。     

Compton散射下横等离激元与对等离子体作用特性

应用多光子非线性Compton散射模型、横等离激元色散方程和Karpman方法,研究了Compton散射对横等离激元与对等离子体作用特性的影响,提出了将入射超强激光和Compton散射作为横等离激元与对离子等离子体非线性作用新机制,给出了横等离激元非线性控制方程、等离激元数和能量公式。结果表明:与散射前相比,Compton散射使等离子体密度发生剧烈扰动,高频横等离激元与低密度扰动耦合非线性增强,导致横等离激元落入低密度区的几率增大。等离子体非线性频移和高密度区能量增加,低密度区能量减小,导致横等离激元电场包络迅速坍塌,等离激元数增加,场强度更强。     

夸克－胶子等离子体对高能碰撞多重产生的可能描述

以ＱＣＤ袋模型和统计流体力学模型为基础，在二维平衡态近似下得到多重数和质心系能量的关系式，和高能　碰撞非单衍过程产生的多重数实验数据吻合得很好；在三维平衡态近似下得到中心在快度较大区域的产生粒子的源Ⅱ的大小和横动量的关系，关系式和三火球模型计算结果符合．     

ICP微等离子体射流在快速成形制造中的应用

本文开展了大气压甚高频感应耦合(ICP)微等离子体射流的特性与应用研究.在150 MHz甚高频,功率为90 W条件下获得温度高达上千度的温热等离子体射流,射流长度近3 cm.随着气流量的增加射流将呈现层流到湍流的转变,长度先增后减;而功率对于射流长度的影响存在着一个上限,当等离子体吸收的能量与扩散损失的能量达到平衡时,射流长度将达到最大.利用这种ICP微等离子体射流进行了微尺寸金属铜的快速成形制造,得到了球冠状和柱状铜金属件.在扫描电子显微镜下观察到沉积物表面最小颗粒尺寸远小于铜粉颗粒;X射线衍射结果显示沉积物表面存在弱氧化物峰,这是沉积过程中空气被射流卷入所致.     

Two-dimensional relativistic electromagnetic dromion-like soliton in a cold transparent plasma

By using a standard multiple scale method, a Davey--Stewartson (DS) equation has been derived and also applied to a multi-dimensional analytical investigation on the interaction of an ultra-intense laser pulse with a cold unmagnetized transparent electron-ion plasma. The regions of instability are found by considering the modulation instability of a plane wave solution of the DS equation. The DS equation is just of the Davey--Stewartson 1 (DS1) type and admits a dromion solution, i.e. a two-dimensional (2D) dromion soliton decaying exponentially in all spatial directions. A 2D relativistic electromagnetic dromion-like soliton (2D REDLS) is derived for a vector potential.     

原子氢在Be(1010)薄膜上吸附的第一性原理计算

对原子氢在Be(1010)薄膜表面的吸附性质做了第一性原理计算研究.根据原子面间距的不同，可把Be(1010)表面分为两种.计算结果表明，原子氢在这两种表面上的吸附性质显著不同.为阐明和分析这些不同，系统计算和分析了Be(1010)薄膜的表面电子结构、电子功函数、平均静电势和局域电荷密度.这些物理量都自洽地表明，吸附过程中原子氢和表面铍原子间的电荷转移过程对于两种表面是完全不同的.对于L型表面来说，电荷由吸附原子氢向表面Be原子层转移，而对于S型表面而言，电荷转移过程恰恰相反. 关键词： 表面能 功函数 量子尺度效应     

气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.     

相变域硅薄膜材料的光稳定性

采用RF-PECVD技术，通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料，研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验，在分析光照前后光电特性变化规律的基础上，认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定，衰退率较少；高晶化率微晶硅材料性能稳定，基本不存在光衰退；在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退，但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 关键词： 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性     

ICP-AES测定高纯碲中11种杂质元素

电感耦合等离子体原子发射光谱法 (ICP- AES)同时测定高纯碲中 11种杂质元素。用离峰扣背景法消除背景干扰 ,检出限能满足高纯碲中杂质元素的测定要求 ,加标回收率在 94 .0 %— 10 8%之间。     

微波消解-ICP-AES同时测定维吾尔医药中多种元素含量

为了解维吾尔医药的药效与微量元素之间的关系,用ICP-AES同时测定了5种维吾尔医药中的10种微量元素,用微波消化法处理样品,进行了方法的准确度和精密度试验,方法简便、快速,准确,结果令人满意。