The Anomalous Effect of Interface Traps on Generation Current in Lightly Doped Drain nMOSFET＇s

The anomalous phenomenon of generation current ICD in the lightly doped drain （LDD） nMOSFET measured under the drain bias VD-step mode is reported. We propose an assumption of activated （A） and frozen （F） traps for the VD-step mode： The A traps contributes to ICD while the F process can make them lose the roles as generation centers. The A and F regions can form the F-A region. The comparison of the F and A regions decides the role of the F-A region. The experiments confirm the assumption.     

分散有ZnS:Mn2+纳米超微粒的有机薄膜的制备和光学性质

近年来,半导体超微粒的合成及光物理性质研究已成为活跃的领域.由于量子尺寸效应引起的量子点能级结构的变化及其光学性质已经作了大量研究[1-4].1993年,Bhar-gava首次报导了化学反应合成的ZnS Mn超微粒的光学性质[5],掺杂半导体纳米材料的出现,为纳米科学的研究开辟了新的领域.     

高温高压金刚石单晶生长界面的研究

 利用扫描电镜及Auger电子谱技术研究了高温高压下金刚石单晶生长界面的特性，观察到了金刚石单晶表面及金属膜表面的沟槽结构及金刚石-金属、金属-石墨两个主界面间的过渡层结构及界面间C原子电子组态的变化。     

Absolute Orientation of Molecules with Competing Hydrophilic Head Groups at the Air/Water Interface Probed with Sum Frequency Generation Vibrational Spectroscopy

和频振动光谱(SFG-VS)研究中由基团在界面上取向所引起的光谱增强或相消的干涉现象为研究分子在界面上的绝对取向提供了一种直接的测量方法. 这一方法比SFG实验中复杂的相位测量方法更为直接和简单可行. 以在空气/水界面取向已知的对羟基苯腈(PCP)分子的氰基(-CN)基团为相位参考来获得3,5-二甲基对羟基苯腈(35DMHBN)和2,6-二甲基对羟基苯腈(26DMHBN)分子在空气/水界面的取向信息. 通过对这三种分子的水溶液和它们两两混合溶液界面上-CN基团和频振动光谱强度的比较,发现在空气/水界面的3     

基于消息传递接口的空中爆炸问题的并行计算

研究了用于处理三维多物质欧拉网格的模糊界面技术以及算法存在的数据相关性问题,提出了解决数据相关性的方法。采用基于消息传递接口(MPI)模式,设计出了相应的MMIC-3D并行程序,得到了无限空气介质中爆炸的三维数值模拟结果,计算结果与实际的实验现象及规律基本吻合。在共享存储的全对称多处理机(SMP)上进行了测试,得到了理想的加速比。     

一种可在线更新的PET实时查找表电路的设计与实现

介绍了一种正电子发射断层成像术实时查找表电路。该电路接收符合电路输出的位置信号和能量信号,用查表的方法完成重心法中的除法运算,然后再第二次查表得到该γ光子所入射到的晶格的离散化坐标值和能量阈值,并完成能量甄别以剔除部分散射事件。此外,该电路还结合了呼吸门控和心电门控功能。查找表存储在flash器件中,由CPLD控制读写。本设计的特点是利用硬件电路来完成查找表功能,效率更高,每次事件的查表寻址的延迟时间小于100ns,并且可以在线更新查找表的内容,使用方便。另外,还说明了用CPLD来读写NORflash的方法,以及该电路与系统中其它模块间的数据通信方法。     

Band Structures of Metal-Oxide Capped Graphene： A First Principles Study

We perform a first-principles calculation based on density functional theory to investigate the interface between single layer graphene and metal oxides. Our study reveals that the monolayer graphene becomes semiconducting by single crystal SiO2 and Al2O3 contact, with energy gaps to - 0.9 and - 1.8 eV, respectively. We find the gap originates from the breakage of π bond integrity, whose extent is related to the interface atom configuration. We believe that our results highlight a promising direction for the feasibility to apply large scale graphene layers as building blocks in future electronics devices.     

高迁移率聚合物薄膜晶体管

以高掺杂Si单晶片作为栅电极, 热生长SiO₂作为栅介质层, 聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层, Au作为源、漏电极, 并采用十八烷基三氯硅烷（OTS）对栅介质表面改性, 在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管. 结果表明, 通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能, 器件的场效应迁移率高达0.02 cm²/（Vs）, 开关电流比大于10⁵. 关键词： 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 表面修饰     

Performance of Organic Field Effect Transistors with Self-Improved Cu/Organic Interfaces

We fabricate pentacene-based organic field effect transistors （OFETs） with Cu as source and drain （S-D） electrodes. The fabricated devices stored for ten hours under ambient atmospheric conditions exhibit superior performance compared with the as-prepared devices. The field-effect mobility increases from 0. 012 to 0.03 cm^2 V^-1 s^-1, and the threshold voltage downshifts from -14 to -9 V. The on/off current ratios are close to the order of 10^4. The improved performance of the stored devices is attributed to the formation of thin Cu oxide at the Cu electrodes/organic interfaces. These results suggest a simple and available way to optimize device properties and to reduce fabrication cost for OFETs.