利用数值模拟测量闪光照相中的H-D曲线

H-D曲线表明了照射量与底片光学密度之间的关系，是定量提取客体信息的基础。尽管实验上提出了许多测量“屏-片”的H—D曲线的方法，但这些方法所采用的实验布局与实际照相环境存在一定的差异。第一，许多实验采用的光源是单能源（如^60Co），没有体现底片系统对不同X射线能量的响应特性；第二，实验装置与实际照相模型存在比较大的差异，由于光子能谱和角分布以及散射的影响，测量的H-D曲线往往很难用到实际照相中；第三，也是更重要的一点是目前测量高能X射线照射量的仪器的测量误差较大，     

在液镓电极上反丁烯二腈的电氢化二聚

在液镓电极上,反丁烯二腈（ＦＤＮ）的电氢化二聚（ＥＨＤ）不仅能在含离子型表面活性剂如四乙基对甲苯磺酸铵（ＴＥＡ－ＰＴＳ）溶液中发生,同样也能在含低浓度的强表面活性剂如ＴｒｉｔｏｎＸ－１００溶液中进行,在不含有机表面活性剂的溶液中,ＦＤＮ在滴镓电极上产生一个２电子还原波,生成为丁二腈的饱和单体。在水溶液中加入一定浓度的ＴＥＡ－ＰＴＳ或低浓度的ＴｒｉｔｏｎＸ－１００时,原来的２电子还原波分裂成两个连续     

关于算子方程AXB－X＝C的解─—纪念C．Apostol

本文给出了算子方程ＡＸＢ－Ｘ＝Ｃ可解的若干充要条件，其中（Ａ，Ｂ）为下列情形之一：Ａ或Ｂ有闭值域；Ａ（Ｂ＊）有闭值域并且是单射或者相似于一个协亚正规算子并且Ｂ（Ａ＊）是单侧移位；Ａ＋（Ｂ（＊＋））幂有界，其值域Ｒ（Ａ＋）　Ｒ（Ａ）（Ｒ（Ｂ）　Ｒ（Ｂ＋）并且Ｂ（Ａ＊）是单侧移位；Ａ＝Ｕ＊且Ｂ＝Ｕ是Ｈａｒｄｙ空间上重数为１的单侧移位．而且，给出了解的表达式．     

准确测量电源电动势和内阻的实验方法

1问题的提出 测量电源的电动势与内阻应用闭合电路欧姆定理，高中物理教材中对此提出了很多方法，但由于电流表内阻或电压表的分流，以致在测量中无论采用电流表内接还是电流表外接，都会给测量结果造成一定的误差．     

巧用指针式多用表

指针式多用表内一般有一块1.5V低电压池和一块9V或15V高电压池.其黑表笔接内部电源的正极,红表笔接负极,指针表读取精度较差,但指针摆动过程较直观,其摆动速度幅度也能比较客观地反映被测量的大小.指针表较适用于相对来说大电流高电压的模拟电路的测量.     

氢化丁苯共聚物结构的核磁共振波谱表征Ⅰ.13C谱带的归属

本文分别用JEOL FX-90Q和Bruker AM-300波谱仪测定了氢化聚丁二烯和氢化丁苯共聚物的¹H,¹³C-NMR谱,得到了分辨率较高的谱图和新的结构信息。借助DEPT技术确定了各谱带的CH或CH₂类型。利用Grant-Paul和Lindeman-Adams介绍的化学位移经验计算公式,考虑苯基对α、β和γ碳原子的影响,计算了各种三单元序列中有关碳原子的化学位移。对脂肪碳部分的28组谱带重新进行了归属。化学位移计算值与实测值基本相符,并得到了不同组成的模型聚合物¹³C-NMR谱的各谱带强度变化规律的验证。     

耐硫催化剂上合成混合醇的研究

通过改进制备方法和添加助剂，用浸渍－热分解法制得了具有高活性和高选择性的MoS2-K-C型耐硫低碳混合醇催化剂。在8.0-11.0MPa,290-340℃，6000-12000h^-1,H2 S 浓度为100ppm 左右的条件下，在直流反应器中对催化剂进行了性能测试，结果表明，醇得率为0.14-0.47gROH(gcat·h)^-1，选择性为89-98%。同时，考察了操作条件对催化剂性能的影响。1042h的试验，证明催化剂具有很好的稳定性。     

一类9n2次组合混合水平正交表的构造

本文利用正交表和投影矩阵的正交分解之间的关系,给出了一类9n2次组合混合水平正交表的构造方法,作为这种方法的应用,我们构造了一些新的具有较大非素数幂水平的144次混合水平正交表,并且这些正交表具有较高的饱和率.     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

STM在微细加工中的应用

 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。