气相传输平衡技术制备LiGaO2薄膜

为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。     

稀土元素(La,Y)掺杂GaN的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质.     

In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT

The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.     

基于第一性原理的AlGaN合金热电性质研究

热电材料能够实现热能与电能的转换,在缓解能源危机领域起着很重要的作用.目前热电材料的研究主要集中在Bi2Te3,PbTe等由重金属组成的化合物半导体和合金材料上,存在有毒有害物质,并巨一般只能应用在较低温度区域,因此新型热电材料成为目前热电领域研究的热点.论文基于第一性原理和玻尔兹曼输运理论对不同组分和不同导电类型AlGaN材料的电子结构和热电性质进行了研究.电子结构计算结果表明随着Al组分的提高,AlGaN的禁带宽度不断的增大,并巨AlGaN的能带结构存在能谷汇聚的现象,这种能谷汇聚可以有效的提高材料的塞贝克系数.热电性质计算结果表明AlGaN材料的ZT值随着Al组分的增加先增加后降低,在Al组分为0.5时ZT值最高,相对于GaN的ZT值可以提高70;以上;P型AlGaN 的热电性质要优于N 型AlGaN 材料,P型Al0.5Ga0.5N 材料的ZT值在1100 K时最高可以达到0.077,N型的Al0.5Ga0.5N材料的ZT值在相同温度时大约为0.037.     

SiO2图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响

为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO2图形化蓝宝石衬底(SiO2 patterned sap-phire substrate,SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于S...     

硝酸钾晶体诱导合成聚吡咯

以吡咯为单体,FeCl3为氧化剂,在KNO3晶体悬浮液中采用化学氧化法合成了聚吡咯,其结构、形貌和电导率经IR,SEM和四探针电导率仪表征.实验结果表明,硝酸钾在悬浮液中的结晶速度和晶体形貌对聚吡咯的形貌有不同的影响,通过控制硝酸钾的结晶速度和晶体形貌,能够合成出具有山谷状的微纳米结构特征的聚吡咯;其电导率比本征态聚吡...     

钼铁硫原子簇化合物的合成与结构化学IV: 双类立方烷化合物与酰氯的反应

报导了双类立方烷簇状化合物(Et4N)4[Mo2Fe7S8(SC6H5)12]与乙酰氯在乙腈中的反应, 结果获得不含Fe(SC6H5)3桥的双类立方烷化合物(Et4N)4[Mo2Fe6S8(SC6H5)9]. 反应用^1H NMR和元素分析表征. 这种类型的结构转换为首次所见, 从而对化合物中桥的松散结构提供了新的实验证据.     

链状三核钼(钨)硫原子簇化合物[M3O2S8]^2^-的合成, 光谱和晶体结构

本文以[NH4]2MOnS4-n(M=Mo, w, n=0-2)为原料, 在酸性和中性条件下, 合成出九个新的三核不对称钼硫和钨硫原子簇状化合物L2[M3O2S8][L=(n-Bu)4N, Ph4P,PyC16H33, (CH3)3NC16H33, Et4N], 用元素分析, 红外光谱, 紫外光谱对簇合物进行了表征, 并测定了其中[(n-Bu)4N]2[Mo3O2S8]和[n-Bu)4N]2[W3O2S8]两个簇合物的晶体结构。本文又一次验证了钼(钨)硫成簇反应是分子内部电子转反应, 并提出了反应历程。     

碎片法合成金属原子簇:Isolobal Analogy的应用和推广

本文讨论了等瓣相似原理的推广并应用于混合金属原子簇化合物的合成。特别是把等瓣相似概念作进一步地推广, 即满足于9n-l规则的金属簇合物等瓣相似于满足4n-1规则的碳烷, 因此等瓣相似概念以及它的推广在碎片法合成金属簇合物的研究中是十分有用的。     

混合簇合物(C5H5FeC5H4C2Ph)Co2(CO)6的结构研究

本文用电化学方法和X射线单晶结构分析, 研究了混合簇合物(C5H5FeC5H4C2Ph)Co2(CO)6的结构, 由循环伏安结果, 分别讨论了簇合物中(C5H5FeC5H4和C2O2中心的成键性质, X射线单晶结构分析表明: 晶体属单斜晶系, 空间群为P21, 晶胞参数a=11.845(6), b=8.155(6), c=24.031(6)A, β=90.88°,晶胞中分子数Z=4, 密度Do=1.637g.cm^-^2, 分析了(C5H5FeC5H4C2Ph)Co2(CO)6的结构特点, 并从成键角度讨论了(RC2R^1)Co(CO)6类簇合物的结构随RC2R^1不同而变化的规律。