Z=50—71核质量与核形状跃变

对Johansson质量公式的某些参数及β方程进行修改;在50≤Z≤71区域,计算了640个原子核的质量和双中子分离能.理论值与实验值相比,方均根误差分别为0.827MeV和0.406MeV.双中子分离能理论曲线很好地重现了N=82的中子满壳层效应和N>90时原子核发生大形变的特性.     

一堂物理课

 我是一位中学教师,我深爱《现代物理知识》,在讲授《卢瑟福核式结构》一课时,我向同学们言简意赅地介绍了那上面的一篇文章:《原子核壳模型发现前后》.当我讲述卢瑟福提出有效模型是怎样成功地解释盖革与马斯顿的实验结果时,同学们顿时活跃起来,纷纷想一展身手,体验一次科学发明的过程.然而,物理上的每一个发现,都是科学家凭借坚实的理论基础和实验事实而获得的.在教师的指导下,同学们通过阅读教材,得出了如下结论:“如果是枣糕式模型,α粒子穿过原子内部时,它受到原子内两侧的斥力相互抵消,使α粒子偏转不会很大”.     

[VS_4Cu_6(Py)_8I_3]的合成和晶体结构

在(NH4)3VS4/CuI/Py反应体系中合成了新化合物 [VS4Cu6(Py)8I3]并测定其晶体结构。该化合物(C40H40N8Cu6I3S4V)属正交晶系, 空间群为Fdd2, 晶胞参数为: a = 29.924(6), b = 13.475(3), c = 25.853(5) , V = 10425(4) ?, Dc = 2.006 g/cm3, Mr = 1573.92, Z = 8, (MoK) = 4.546 mm-1, F(000) = 6048。结构由直接法解出, 用全矩阵最小二乘法修正, 最终偏离因子R = 0.023, wR = 0.069。簇合物分子是由6个带端基配体的Cu沿着四面体单元VS4的6条SS边配位而成, 6个Cu排列成了1个八面体, V基本位于八面体的中心, 整个分子具有C2对称性。     

CdZnTe核探测器的蒙特卡罗模拟的初步研究

以CdZnTe核探测器的工作原理为依据,探测器内反应的随机性和反应产生的电子空穴对数目的统计规律为物理模型,应用Visual C + + 自行编制了蒙特卡罗模拟软件.模拟了γ射线在CdZnTe探测器中的响应能谱,并将模拟结果与实际器件的测试结果进行了比较讨论.模拟能谱与实际测得的能谱的主峰符合较好.此外,通过分析⁵⁷Co源辐照下探测效率与器件厚度的关系,可以推测探测效率达到最大时所对应CdZnTe探测器的理想厚度     

17N+197Au反应中碎片与中子的符合测量

在3?3?.4MeV/u ¹⁷N束轰击¹⁹⁷Au靶产生的反应中,利用放置于不同角度组合的17个中子探测器(4°—83°)和14个半导体望远镜(2.3°—9.0°)对反应产物碎片与中子进行了符合测量.经对所得实验角分布积分得到Z=3—6元素的同位素产额分布.在参加者-旁观者模型框架下,采用¹⁷N原子核内部的不同密度分布计算了同位素产额分布并与实验数据做比较.     

α-卤代萘与叔己酮碳负离子在Co(Ⅱ)络合物催化下的自由基链式亲核取代反应产物的薄层色谱定量分析

研究了以Co(Ⅱ)络合物为催化剂,α-卤代萘与叔己酮碳负离子的自由基链式亲核取代反应(SRN1)产物α-萘基叔己酮的薄层色谱扫描定量分析方法;定量分析的线性范围为0～4.4μg,平均回收率99%～101%,异板间相对标准偏差为2.3%,同板相对标准偏差为1.6%.     

前言

中国科学院高能物理研究所是1973年在原子能研究所一部的基础上建立的。至2003年年底，高能所有正式职工1087人，其中专业技术人员695人，行政人员119人，工人273人。专业技术人员中具有高级职称的313人。     

超重核266Hs形成截面的入射道依赖

计算和比较了²⁶Mg+²⁴⁴Cm, ²⁷Al+²⁴³Am和³²S+²³⁸U3个反应系统的俘获截面和复合核²⁷⁰Hs形成截面. 在俘获截面计算中, 考虑了靶核形变效应. 穿越库仑势垒后, 反应系统由熔合谷进入不对称裂变谷. 只有越过不对称裂变谷中的条件鞍点的事件才进入复合核组态. 我们用考虑中子流动和径向运动的二参量Smoluchowski扩散方程来处理中间阶段的动力学过程. 此外, 还计算了经4n蒸发形成超重核²⁶⁶Hs的截面. 研究表明, 入射道的势垒分布, 中间阶段的条件鞍点高度对俘获截面, 复合核形成几率, 以及最终的超重核形成截面有显著影响.     

Co@SiO2核壳式纳米磁性粒子的合成、性质表征及在细胞分离和细胞芯片上的应用

合成了Co@SiO2核壳式纳米粒子,并采用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对其形状、尺寸、荧光及磁特性进行了表征,探讨了其在细胞分离和细胞芯片上的应用和原理.     

离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜

为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束（ICB）法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1：1,成膜质量好.