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71.
A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot.  相似文献   
72.
We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived.  相似文献   
73.
Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission.  相似文献   
74.
周期势场中定向扩散流的蒙特卡罗计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
包景东 《计算物理》1997,14(4):463-464
提出一种稳定和精确的坐标变换和闭合积分方法,用以求解描述周期势场中布朗粒子作定向运动的乘性朗之万方程。  相似文献   
75.
徐永生  陆兴泽 《光学学报》1998,18(8):025-1029
通过紫外-可见吸收光谱、压力-面积等温线、二次谐波的测量,研究了不同活性分子混合聚集体的形成对LB膜光学性质的影响。分子极性基团间的相互作用,使激发态能量及平均偶极矩发生变化,导致LB膜的光学非线性明显地增强或减弱。  相似文献   
76.
一类具有非局部反应扩散方程的奇摄动问题   总被引:7,自引:0,他引:7  
莫嘉琪 《数学进展》1998,27(1):53-58
本文讨论一类具非局部反应扩散方程的奇摄动初始边值问题,利用迭代法及微分不等式,研究了初始边值问题的存在唯一及其渐近性态。  相似文献   
77.
78.
79.
80.
利用旋涂法,通过接枝共聚的方法制备了具有偶氮侧基的聚氮酯高分子聚合物薄膜。并利用二倍频YAG激光(532nm)作为激发光,白光光源作为参考光,在室温下测试了该薄膜在激发光作用前后的吸收光谱,发现该薄膜在430nm-530nm内有较强的吸收。以及随着激光能量的增大和撤去激发光后,随着无光照时间的延长,360nm与500nm波长处吸收强度的变化趋势。  相似文献   
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