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71.
A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot.  相似文献   
72.
We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived.  相似文献   
73.
Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission.  相似文献   
74.
徐永生  陆兴泽 《光学学报》1998,18(8):025-1029
通过紫外-可见吸收光谱、压力-面积等温线、二次谐波的测量,研究了不同活性分子混合聚集体的形成对LB膜光学性质的影响。分子极性基团间的相互作用,使激发态能量及平均偶极矩发生变化,导致LB膜的光学非线性明显地增强或减弱。  相似文献   
75.
黄宝生 《数学研究》1998,31(2):200-203,224
本文研究了具有三角形波基函数的Bernstein-Fan值算子的收敛定理和逼近阶估计,并给出了它的算法程序。  相似文献   
76.
77.
78.
刘海霞  姚海楼 《数学学报》1997,40(6):921-932
设A是代数闭域K上的一个具乘基B的有限维含幺结合代数,称半群B∪(0)为A的基半群。本文给出了0-J-严格单半群的定义,对于基半群为O-J-严格单半群的零直并的代数,完全研究了它的代数表示型。  相似文献   
79.
沈为民  张艺 《光学学报》1998,18(12):741-1745
提出了折射率温敏式光纤温度传感器的理论模型,包括子午光线和偏射光线的影响,讨论了多模光纤的弯曲损耗,理论的分析和结果与实验相当一致。  相似文献   
80.
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