掺杂两种荧光染料的有机红光电致发光器件

制作了掺杂rubrene和4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9,enyl)-4H-pyran(DCJTB)两种荧光染料的红光有机电致发光器件。N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine(NPB)和掺杂的Tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)分别作为空穴和电子传输层。我们发现掺rubrene和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件性能相比有所提高。器件性能的改善是因为掺入的rubrene能够促进从Alq3到DCJTB的能量转移。根据荧光衰减曲线,计算出从Alq3到DCJTB、从Alq3到rubrene以及从rubrene到DCJTB的能量转移速率分别为1.04×109,3.89×109,2.79×109s-1。可以看出能量通过rubrene从Alq3到DCJTB的转移速率是能量直接从Alq3到DCJTB的2.7倍。     

Radiative Lifetimes of Doubly Ionized Terbium

Radiative lifetimes of two short-lived levels （i.e. 4f^8 （TF6）6p^1/2 （6, 1/2）11/2,13/2） in Tb Ⅲ are measured by time-resolved laser-induced fluorescence （LIE） technique with a two-step excitation process. Free Tb Ⅲ ions are produced in a laser-induced plasma. Lifetime values are evaluated with a deconvolution procedure of the timeresolved fluorescence signal with the temporal shape of second-step excitation pulse （about 1 ns）. The lifetimes of the 4f^8 （^7F6）6p^1/2 （6, 1/2）11/2 and 4f^8（^7F6）6p^1/2 （6, 1/2）13/2 levels are determined to be 1.9 （2） and 2.0 （2）ns, respectively.     

Yb3+掺杂铝氟磷酸盐玻璃的光谱和激光性能

研究了Yb3 掺杂铝氟磷酸盐 (AFP)玻璃的吸收光谱、荧光光谱 ,测量了Yb3 离子的荧光有效线宽 (Δλeff>5 5nm)以及2 F5 2 能级的荧光寿命 (τmax=2ms)及随掺杂浓度的变化 .应用倒易法计算了Yb3 的发射截面 ,其发射截面可达 0 6 6 82 3pm2 ,且激光增益系数τfσemi达 1 2 89ms.pm2 .评估了Yb3 在AFP玻璃中的激光性能 ,发现其具有较理想的激发态最小粒子数 (0 15 )、饱和抽运强度 (8 3kW cm2 )和最小抽运强度 (1 2 4 5kW cm2 )值及良好的热稳定性 .研究结果表明掺Yb3 氟磷酸盐玻璃是实现高功率超短可调谐激光器的理想增益介质 .     

Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal

LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti： LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively： The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^＋ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4＋-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals.     

碱土金属氟卤化物中的Eu3+的荧光光谱特征

本文系统研究了MFX体系中Eu³⁺荧光光谱特征,着重讨论了X^-,M²⁺及杂质缺陷(主要为O^2-)对Eu³⁺发光的影响.     

钨(Ⅵ)的富集与检测方法研究进展

检测W（Ⅵ）对环境科学和生命科学研究具有积极意义。本文就1991年以来国内外W（Ⅵ）的富集手段，检测方法概况作一综述，其中包括，荧光光谱法，分光光度法，原子发射光谱法，质谱法，动力学方法，极普法，化学发光法，中子活化分析及联用技术等。     

Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发

关键词：     

新型噻吩基取代卟啉的合成及其荧光光谱研究

合成了两种新型噻吩基卟啉－5，15－二（2－噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7a（45．1％）和5，15－二（2－联噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质，其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处，量子产率分别为4．1％（7a)和1．4％（7b)。     

InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：