Gd_xY_（1－x）P_5O_（14）：Ce，Tb的发光和能量传递Ⅱ．Ce→

研究了Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ＿（０．０１），Ｔｂ＿（０．０２）体系中Ｇｄ的子晶格在Ｃｅ→Ｇｄ→Ｔｂ能量传递中的中介作用规律及ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４），ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｔｂ和Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，Ｔｂ的荧光光谱、激发光谱。结果表明，当ｘ＞０．７时，结构从单斜Ⅱ（Ｃ２／ｃ）的层状结构变为单斜Ｉ（Ｐ２＿１／ｃ）的带状结构，Ｃｅ￣（３＋）的发射光谱和Ｇｄ￣（３＋）的吸收光谱交迭增加等是Ｃｅ￣（３＋）→Ｇｄ￣（３＋）→Ｔｂ￣（３＋）能量传递几率增加的主要原因。     

Abel群Xl~2(R)与2-PSF环

本文引进了Abel群XL2（R）和2-PSF环，利用它们刻划了PSF环．作为应用，研究了群环和二次域上的模结构．     

APON系统ONT中AAL5CPCS子层的实现

本文介绍了APON的系统结构和网络分层，并根据AAL5 CPCS子层实现的功能及DSP的优良特性，给出了APON系统ONT中AAL5公共会聚子层的一种实现方案，即应用DSP实现CPCS子层的各项功能。     

Thermal Rate Constants of the N（^4S）＋O2（X^3∑g^-） → NO（X^2Ⅱ） ＋O（^3P） Reaction on the ^2A′ Potential Energy Surface

A quasiclassical trajectory study with the sixth-order explicit symplectic algorithm for the N（^4S）＋O2（X^3∑g^-） → NO（X^2Ⅱ） ＋O（^3P） reaction has been reported by employing a new ground potential energy surface. We have discussed the influence of the relative translational energy, the vibrational and rotational levels of O2 molecules on the total reaction cross section. Thermal rate constants at temperatures 300, 600, and 1000 K determined in this work for the reaction are 4.4 × 10^7, 1.8 × 10^10, and 3.1 × 10^11 cm^3mol^-1s^-1, respectively. It is found that they are in better agreement with the experimental data than previous theoretical values.     

类镍W46+、Au51+偶极跃迁的相对论多组态计算

本文基于全相对论Dirac-Fock方法,分别用GRASP0和GRASP2原子结构程序包计算了金和钨的类镍离子3d10-3d94p、3d10-3d94f、3p63d10-3p53d104s和3p63d10-3p53d104d之间的电偶极跃迁波长和振子强度,得到与实验相一致的结果;同时分析了组态相互作用和有限核体积分布效应对高Z高剥离态多荷电离子的原子结构参数的影响.     

Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Nd：YVO4晶体α向生长研究

采用固-液两相混合，使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd：YVO4多晶原料，降低固相合成反应温度，减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件，采用提拉法，以(100)方向进行单晶生长，得到一系列掺杂浓度的Nd：YVO4单晶。     

一种“类耗散系统”中的“类Ⅴ型阵发”

一类不连续不可逆保面积映象可以展示类似耗散的行为,因此可称其为“类耗散系统”.在一种类耗散系统中观察到了椭圆周期轨道及其周围的椭圆岛与映象不连续边界碰撞而消失的现象.周期轨道消失后,经过一系列过渡椭圆周期轨道之后,系统的行为由一个混沌类吸引子主导.在混沌类吸引子刚刚出现时,混沌时间序列呈现层流相与湍流相的无规交替.这一切都与不连续耗散系统中发生的Ⅴ型阵发的相应性质十分相似,因此可称为“类Ⅴ型阵发”.然而,当混沌类吸引子刚刚出现时,仅可以找到最后一个过渡椭圆岛的“遗迹”,并不存在它的“鬼魂”,因此类Ⅴ型阵发不遵从Ⅴ型阵发的特征标度规律.反之,混沌类吸引子的鬼魂却存在于最后一个过渡椭圆周期轨道的类瞬态过程中,因此在类Ⅴ型阵发导致混沌运动的临界点之前,由此“类瞬态混沌奇异集”中逃逸的规律就成为标志这一种临界现象的标度律.这与Ⅴ型阵发又根本不同. 关键词： 类耗散性 类混沌吸引子 类Ⅴ型阵发