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181.
苯巴比妥的二次微分简易示波伏安法测定 总被引:5,自引:0,他引:5
利用苯巴比妥的示波特性 ,分别建立了在0.2mol/LKOH和1.0×10-4mol/LCd2 +-0.1mol/L硼砂底液中直接和间接测定苯巴比妥的二次微分简易示波伏安法 ;直接测定和间接测定的线性范围分别为1.0×10 -5mol/L~1.0×10 -4mol/L和4.0×10 -6mol/L~8.0×10 -5mol/L ;检出限分别为8×10 -6mol/L和2×10 -6mol/L;在直接测定中 ,对6.000×10 -5mol/L苯巴比妥进行10次测定的RSD为4.5 % ;间接测定中 ,对2.000×10 -5mol/L苯巴比妥进行10次测定的RSD为2.6 % ;这一研究表明对于一些在示波分析中灵敏度不高或本身没有示波活性的药物 ,可以利用其与金属离子生成沉淀的方法间接测定 ,从而提高药物测定的灵敏度、拓宽示波分析应用领域 相似文献
182.
聚吡咯水杨酸修饰电极的电化学行为及水杨酸含量测定 总被引:10,自引:0,他引:10
本用电化学方法制备了聚吡咯-水杨酸修饰电极;并进行了电化学行为的研究,经电化学处理该是电极对水杨酸根具有选择性响应,响应线性范围在1.0×10^-^5-1.0×10^-^3mol/L之间。电极斜率为40mV/pC,该电极具有较好的稳定性,响应时间在180-300s之间;电极寿命可达60d。 相似文献
183.
异咯嗪蒙脱石修饰电极的电化学行为 总被引:1,自引:0,他引:1
应用十六烷基三甲基溴化铵对蒙脱石进行改性,成功地制备稳定性良好的异咯嗪蒙脱石修饰电采,用循环伏安法对此修饰电极的电化学行为进行了研究。测定了异咯嗪在蒙脱石膜内的化学扩散系数,对异咯嗪在改性蒙脱石中电极反应机制进行了探讨。 相似文献
184.
不可逆电活性药物米托蒽醌与脱氧核糖核酸的相互作用 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了抗癌新药米托蒽醌(MXT)的电化学行为及与脱氧核糖核酸(DNA)的相互作用,推导了适用于研究不可逆电活性分子与DNA相互作用的电化学公式,运用该公式可以简便、快速地测定靶向分子与DNA的结合常数和结合位点数。实验发现,MXT与小牛胸腺DNA的结合以蒽醌母核的嵌插作用为主,同时,烃氨基侧链与骨架磷酸基团之间的静电吸引对母核起稳定作用,使化合物易于嵌入DNA的平面结构。MXT与DNA相互作用引起的峰电流的变化可以用于分析测定DNA。 相似文献
185.
186.
化学库及分子差异性设计研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
组合化学是近年来发展起来的一种快速合成和平行筛选群体化合物的新方法。它可以用来设计先导化合物,也可以对药物分子进行结构改造。本文主要综述了化学库的合成以及计算机辅助组合化学的研究进展。 相似文献
187.
三正辛胺修饰电极伏安测定痕量金的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用化学修饰电极伏安测定痕量金,Kalcher K等曾采用阴离子交换剂碳糊修饰电极及打萨宗碳糊修饰电极检测100~300μg/L的金。本文采用三正辛胺(TOA)修饰玻碳电极,在1.5 mol/L介质中,Au(Ⅲ)在+0.16 V(vs SCE)处有一灵敏的不可逆还原峰。检出限为0.1μg/L。灵敏度比文献方法高千倍。Au(Ⅲ)浓度在5×10~(-7)~5×10~(-9)mol/L范围内峰高与浓度 相似文献
188.
189.
先在0.5 mol·L-1硝酸介质中活化氟离子选择性电极,再在含硝酸的总离子强度调节混合液(TISAM)中测定氟,线性范围为1×10-7~1×10-2mol·L-1,检出限为1.9μg·L-1。该方法应用于绿茶饮料、水、牛奶中痕量氟的测定,结果的RSD小于4.8%,回收率在96.1%至100.2%之间,对氟离子选择性电极在硝酸介质中的活化机理作了阐述。 相似文献
190.
PbO~2纳米粉体的固相合成及其对MnO~2电极材料的改性作用 总被引:17,自引:1,他引:17
利用固相氧化反应制备了PbO~2纳米粉体样品,借助XRD,TEM以及循环伏安测试对其性质进行了表征。同时,对反应条件的选择进行了讨论。将所得样品用于改性MnO~2电极,恒流放电测试结果表明,样品掺杂量在1.25%~5.00%间对MnO~2有良好的改性效果,可使改性MnO~2的放电容量得到极大提高。循环伏安测试结果表明,铅的掺入改变了MnO~2的放电机理。在循环扫描过程中,掺杂物与MnO~2均不再以单纯氧化物的形式存在,而是形成了一系列Pb(X)(X=0,Ⅱ)Mn(Y)(Y=Ⅳ,Ⅲ,Ⅱ)复合物的共氧化与共还原,抑制了电化学惰性物质Mn~3O~4的生成和积累,从而有望改善MnO~2的可充性能。纳米PbO~2与常粒径PbO~2与常粒径PbO~2(标记为S)对MnO~2的改性机理类似。但前者对MnO~2的改性效果明显优于后者,当恒流放电至-1.0V时,其放电容量较S样改性MnO~2的放电容量平均高出约30%。 相似文献