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121.
太赫兹半导体探测器研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
曹俊诚 《物理》2006,35(11):953-956
太赫兹(THz)探测器是THz技术应用的关键器件之一.基于半导体的全固态THz量子阱探测器(THzQWIP)具有探测响应速度快、制作工艺成熟、体积小和易集成等优点.文章简要介绍了THz探测器的分类和特点,重点介绍了THzQWIP的工作原理和研究进展.  相似文献   
122.
葛仙米对丁草胺胁迫的响应   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了丁草胺对可食用蓝藻葛仙米(Nostoc sphaeroides)生理和代谢活性的影响.用不同浓度的丁草胺处理葛仙米,结果显示低浓度(5 mg·L-1)丁草胺使其光合作用、呼吸作用和光合系统Ⅱ活性增强,高浓度丁草胺(>5 mg·L-1)限制其光合作用、呼吸作用和光合系统Ⅱ活性.同时丁草胺对葛仙米膜结构和功能具有破坏作用,随着丁草胺处理浓度增大,质膜透性不断增大,丙二醛和超氧自由基阴离子含量升高;在低浓度丁草胺处理时,类胡萝卜素含量增加,超氧化物歧化酶(SOD)活性增强,高浓度丁草胺处理时,类胡萝卜素含量降低,SOD活性下降;表明葛仙米对低浓度的丁草胺胁迫具有一定的耐受能力,但高浓度的丁草胺对其生理和代谢构成威胁;针对目前葛仙米野生生境中丁草胺的用量,建议限制丁草胺在葛仙米产地的使用,以保护日益稀缺的葛仙米资源.  相似文献   
123.
在波长γ=632.8nm,入射功率约0.8m的He-Ne激光照射下,对TlBa2Ca2CuO2(Tl-2212)外延膜的光响应行为进行了实验研究。结果显示:在样品转变温度(Tc=105.5K)附近,TlBa-CaCuO外延膜的光响应行为表现为辐射热与非辐射热效应共存现象。光响应信号电平与样品温度、偏置电流、及入射光束的调制频率等诸因素有密切关系的关系。实验结果还表明,辐射热与非辐射热效应的响应行为  相似文献   
124.
祁长鸿  吴铁强 《光学学报》1996,16(3):52-356
从实验上探讨了掺Nd^3+的氟化物玻璃光纤正向双程超荧光基本特性,包括输入-输出特性、输出-带宽特性以及输出-波长(激发)特性。并给出了理论上的拟合公式,实验表明利用氟化物玻璃光纤有望获得性能优异的有应用前景的低相干度集成化光源。  相似文献   
125.
本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。  相似文献   
126.
用亚磷酸二乙酯与亚胺加成的方法合成了20个N-(2-苯并噻唑基)-α-氨基膦酸二乙酯类化合物.利用协同3+2机理对反应进行了解释.运用量子化学方法(MINDO/3)计算了亚胺分子的原子电荷,并讨论了取代基对五元环过渡态形成的影响.所合成的部分化合物具有较好的抑制烟草花叶病毒(TMV)活性和一定的除草活性.  相似文献   
127.
以芘为荧光探针,二苯酮为猝灭剂,利用荧光方法测定了两性表面活性剂N十二烷基-N,N-二甲基氨基丙磺酸盐(DDAPS)胶束在不同温度和不同NaCl浓度下的聚集数,利用动态光莠射方法得到了胶束的水力半径Rh,结果表明,DDAPS的胶束聚集数和Rb值随NaCl浓度的升高略有增大,随温度的升高而稍有下降,DDAPS胶束之间的作用力以排斥力为主。  相似文献   
128.
测得了315 ̄330nm超声射流冷却下SO2^1A2-^1A1激光诱导荧光(LIF)激发谱,获得了7个有明显K结构的C型跃迁的转动子带分辨谱,并将70个转动子带归属为(1,m,1)-(0,0,0)和(0,n,1)-(0,0,0)(4≤m≤7,8≤n≤10)的跃迁带系。光谱分析得到SO2^1A2-^1A1跃迁的带源v00、^1A2态弯曲振动频率v′2,非谐性常数X22′分别为(27950±5)、(2  相似文献   
129.
 X射线的发现已有一百多年,但百年前那个实验的情景却鲜活地印在一代又一代人的脑海中.1895年11月8日晚上,德国物理学家威尔姆·康拉德·伦琴在一间暗室中做紫外线辐射物理实验  相似文献   
130.
荧光光度法直接测定高纯氧化钕中的痕量镨和铈   总被引:2,自引:0,他引:2  
使用P-ELS50荧光光谱仪,在盐酸介质中,用同一激发波长激发,分别测定Pr(Ⅲ)(nm)和Ce(Ⅲ)(356nm)发射峰强度。  相似文献   
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