全文获取类型
收费全文 | 20375篇 |
免费 | 4151篇 |
国内免费 | 12453篇 |
专业分类
化学 | 20411篇 |
晶体学 | 757篇 |
力学 | 1391篇 |
综合类 | 752篇 |
数学 | 3850篇 |
物理学 | 9818篇 |
出版年
2024年 | 180篇 |
2023年 | 569篇 |
2022年 | 739篇 |
2021年 | 955篇 |
2020年 | 724篇 |
2019年 | 841篇 |
2018年 | 551篇 |
2017年 | 850篇 |
2016年 | 1058篇 |
2015年 | 1095篇 |
2014年 | 1654篇 |
2013年 | 1771篇 |
2012年 | 1826篇 |
2011年 | 1749篇 |
2010年 | 1490篇 |
2009年 | 1901篇 |
2008年 | 2000篇 |
2007年 | 1985篇 |
2006年 | 2018篇 |
2005年 | 1823篇 |
2004年 | 1650篇 |
2003年 | 1175篇 |
2002年 | 1009篇 |
2001年 | 978篇 |
2000年 | 912篇 |
1999年 | 885篇 |
1998年 | 588篇 |
1997年 | 516篇 |
1996年 | 440篇 |
1995年 | 450篇 |
1994年 | 429篇 |
1993年 | 425篇 |
1992年 | 421篇 |
1991年 | 390篇 |
1990年 | 276篇 |
1989年 | 260篇 |
1988年 | 130篇 |
1987年 | 80篇 |
1986年 | 55篇 |
1985年 | 50篇 |
1984年 | 31篇 |
1983年 | 26篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1959年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
13.
提出用溶胶粒子表面修饰方法,结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜.该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用,经溶胶凝胶过程,将活性组分结合到无机膜中.实验测定结果表明:(NiEDTA)2-,VO-3,MoO2-4,(Pd(NH3)4)2+,PdCl2-4,PtCl2-6和RhCl3-6可用来修饰AlOOH溶胶.以Pd/γAl2O3催化膜的制备为例,经三次溶胶凝胶过程,可制得无裂缺的厚度为9μm的Pd/γAl2O3催化膜,膜材料的平均孔直径为6nm,Pd被均匀地分布在膜的顶层,其平均粒径为23nm. 相似文献
14.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
15.
本文用密度泛函理论(DFT)的总能计算研究了一氧化碳和氢原子在Ni(111)表面上p(2×2)共吸附系统的原子结构和电子态,结果表明CO和H原子分别被吸附于两个对角p(1×1)元胞的hcp和fcc位置.以氢分子和CO分子作为能量参考点,总吸附能为2.81 eV,相应的共吸附表面功函数φ为6.28 eV.计算得到的C—O,C—Ni和H—Ni的键长分别是1.19?, 1.96?和 1.71?,并且CO分子以C原子处于hcp的谷位与金属衬底原子结合.衬底Ni(111)的最外两层的晶面间距在吸附后的相对变化分别是
关键词:
Fisher-Tropsch反应
催化作用
Ni(111) p(2×2)/(CO+H)
共吸附 相似文献
16.
17.
18.
一类非线性Schr(o)dinger方程的守恒差分法与Fourier谱方法 总被引:1,自引:0,他引:1
考察了一类带导数项的非线性Schrodinger方程的周期边值问题,提出了一种守恒的差分格式,在空间方向上采用Fourier谱方法,证明了格式的稳定性和收敛性.数值试验得到了与理论分析一致的结果. 相似文献
19.
20.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献