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31.
使用SAC/SAC-CI方法,利用D95(d),6-311g**以及cc-PVTZ等基组,对B2分子的基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过对3个基组的计算结果的比较,得出了D95(d)基组为3个基组中的最优基组的结论;使用D95(d)基组,利用SAC的GSUM(Group Sum of Operators)方法对基态(X3Σg-),SAC-CI的GSUM方法对激发态(A3Σu-)进行单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了相应电子态的完整势能函数;从得到的势能函数计算了与基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),结果与实验数据吻合. 相似文献
32.
〈I〉型三角剖分下非张量积连续小波基的构造 总被引:1,自引:0,他引:1
多维非张量积小波是近年小波研究领域中的热点问题之一 ,它们与多维张量积小波相比具有更多的优势 .关于高维张量积、非张量积小波 ,目前已有一些很好的工作 (见文[2 ] [3 ] [4 ] ) ,但关于样条小波 ,还有许多问题有待于研究 .本文针对〈I〉型三角剖分下的二维线性元空间 ,讨论其具有紧支集和对称性的半正交样条小波基 .给定 x1 x2 平面上的〈I〉型三角剖分 (图 1 ( a)所示 ) ,记 j=( j1 ,j2 ) ,| j| =j1 + j2 ,πm= { 0≤ |j|≤ mCj1j2 xj11 xj22 ,Cj1,j2 是任意实数 }为次数不超过 m的代数多项式全体 .引入剖分尺度为 1的线性元空间 V0… 相似文献
33.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
34.
就一般非完整约束系统,从约束方程满足的变分恒等式出发,利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分,即非完整变分:vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分,并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程:vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较,得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件.
关键词:
非完整约束
非完整变分
Chetaev条件
vakonomic动力学 相似文献
35.
我们研究一维自旋1/2链中的非近邻相互作用的影响。和近邻相互作用相比,非近邻的相互作用强度一般会较弱,因而在以前的许多方案中,这种长程的相互作用被忽略了。本文首先估计由被忽略的非近邻相互作用所引起的量子逻辑门的误差。我们得到的结果是,这项误差不仅和非近邻相互作用的强度有关,更依赖于一维自旋链所包含的粒子数,忽略非近邻相互作用有可能会对可集成量子计算造成影响。我们进一步研究如何消除或者压缩这种长程的相互作用所造成的影响。我们提出了一个量子计算方案。在这种方案中,次近邻的相互作用的影响被完全消除,从而我们可以使量子逻辑门的精度得以提高。我们也讨论了这种方案在超导量子计算体系里面的物理实现问题。 相似文献
36.
A comparative study of the structure and crystallization of bulk metallic amorphous rod Pr60Ni30Al10 and melt-spun metallic amorphous ribbon Al87Ni10Pr3 总被引:1,自引:0,他引:1
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Pr-based bulk metallic amorphous (BMA) rods (Pr60Ni30Al10) and Al-based amorphous ribbons (Al87Ni10Pr3) have been prepared by using copper mould casting and single roller melt-spun techniques, respectively. Thermal parameters deduced from differential scanning calorimeter (DSC) indicate that the glass-forming ability (GFA) of Pr60Ni30Al10 BMA rod is far higher than that of Al87Ni10Pr3 ribbon. A comparative study about the differences in structure between the two kinds of glass-forming alloys, superheated viscosity and crystallization are also made. Compared with the amorphous alloy Al87Ni10Pr3, the BMA alloy Pr60Ni30Al10 shows high thermal stability and large viscosity, small diffusivity at the same superheated temperatures. The results of x-Ray diffraction (XRD) and transmission electron microscope (TEM) show the pronounced difference in structure between the two amorphous alloys. Together with crystallization results, the main structure compositions of the amorphous samples are confirmed. It seems that the higher the GFA, the more topological type clusters in the Pr-Ni-Al amorphous alloys, the GFAs of the present glass-forming alloys are closely related to their structures. 相似文献
37.
38.
39.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
40.
在保持非负定性不变的前提下,本文对矩阵每一元素容许多大的扰动作了进一步的研究, 将本文的结论和C.R.Johnson提出的部分正定阵的正定完备化进行比较,容易发现对已知的正定矩阵求扰动,本文的结论比用C.R.Johnson的正定完备化计算扰动形式上更简单,同时也给出了不同于C.R.Johnson的部分正定阵的正定完备化表示的另外一个公式,推出了这些正定完备化矩阵应具有的若干性质. 相似文献