首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4472篇
  免费   1018篇
  国内免费   2832篇
化学   4886篇
晶体学   170篇
力学   356篇
综合类   173篇
数学   147篇
物理学   2590篇
  2024年   38篇
  2023年   106篇
  2022年   125篇
  2021年   175篇
  2020年   126篇
  2019年   130篇
  2018年   82篇
  2017年   137篇
  2016年   163篇
  2015年   168篇
  2014年   328篇
  2013年   249篇
  2012年   264篇
  2011年   284篇
  2010年   323篇
  2009年   366篇
  2008年   360篇
  2007年   367篇
  2006年   403篇
  2005年   372篇
  2004年   346篇
  2003年   355篇
  2002年   324篇
  2001年   331篇
  2000年   271篇
  1999年   268篇
  1998年   242篇
  1997年   252篇
  1996年   228篇
  1995年   235篇
  1994年   221篇
  1993年   169篇
  1992年   141篇
  1991年   145篇
  1990年   79篇
  1989年   79篇
  1988年   26篇
  1987年   17篇
  1986年   6篇
  1985年   8篇
  1984年   7篇
  1983年   3篇
  1982年   3篇
排序方式: 共有8322条查询结果,搜索用时 62 毫秒
31.
由于无线电广播、电视、通讯、及微波技术的迅猛普及,射频设备的功率成倍提高,地面上的电磁辐射已大幅度增加,电磁波已成为一种新型污染.1 电磁污染的特点 电磁污染是继水质污染、大气污染、噪声污染之后的第四大污染,前三种污染可看、可闻、可听,而电磁波的污染则是看不见、摸不着、闻不到,却又是无处不在的污染.  相似文献   
32.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜. 关键词: 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染  相似文献   
33.
刘波  阮昊  干福熹 《光学学报》2003,23(12):513-1517
为了使光盘获得优良的记录/读出性能并能够长期稳定地使用,必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件,从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构,研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为:下介电层/记录层/上介电层/反射层的厚度对于台记录为100nm/10nm/25nm,/60nm,而对于槽记录则为140nm/15nm/30nm,/60nm,槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。  相似文献   
34.
Diamond-like carbon (DLC) films have been deposited on to Si substrates at substrate temperatures from 255℃ to 400O℃ by a high-intensity pulsed-ion-beam (HIPIB) ablation deposition technique. The formation of DLC is confirmed by Raman spectroscopy. According to an x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the concentration of sp^3 carbon in the films is about 40% when the substrate temperature is below 300℃ C. With increasing substratetemperature from 25℃ to 400℃, the concentration of sp^3 carbon decreases from 43% to 8%. In other words,sp3 carbon is graphitized into sp^2 carbon when the substrate temperature is above 300℃. The results of xray diffraction and atomic force microscopy show that, with increasing the substrate temperature, the surface roughness and the friction coefficient increase, and the microhardness and the residual stress of the films decrease.  相似文献   
35.
一个非协调膜元的高精度分析   总被引:5,自引:0,他引:5  
林群  罗平 《数学研究》1995,28(3):1-5
本文讨论一个四自由度三角形非协调膜元的整体超收敛性,外推和亏量校正。  相似文献   
36.
Langmuir-Blodgett(简称LB)法作为分子水平的成膜技术,能制备纳米级几乎无缺陷的单分子层或多分子层膜,在微电子学,分子器件,磁性有序材料,生物膜等方面有广泛的应用前景。目前,四硫富瓦烯类衍生物作为导电LB膜材料的研究,引起人们极大的兴  相似文献   
37.
芪盐LB单分子层膜的非线性光学性质   总被引:7,自引:4,他引:3  
  相似文献   
38.
本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。  相似文献   
39.
测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=Ea0+sum from s=1 to 3|ηt,s|-1/(ne)v7ΔG7, E=Ec0-sum from s=4 to 6|ηt,s|+1/(ne)v8ΔG8.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.  相似文献   
40.
 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号