停留时间对聚醚砜微孔膜的作用

以聚醚砜为膜材料,二甲基乙酰胺为溶剂及添加剂配成稳定铸膜液,使用水为凝胶浴,干／湿法制备聚醚砜微孔膜,研究了铸膜液在空气中的停留时间,即在入浴前铸膜液的相分离程度对微孔膜表面开孔率,孔结构等膜性能的影响,并简要分析了干／湿法制微孔膜的成膜机理,同时也研究了湿膜入水浴后,使用与水作用能力不同的非溶剂对膜平整性的影响。     

非共价键法构筑C60-Py-GO用于光热和光动力疗法

光热疗法和光动力疗法是有潜力的癌症治疗方法.氧化石墨烯(GO)具有光热活性,可用于光热疗法;富勒烯(C60)则可用作光动力疗法的光敏剂.将GO和C60有效结合在同一个纳米平台中可以呈现出光热和光动力联合治疗效果.本文通过π-π非共价键相互作用将聚乙二醇氧化石墨烯衍生物(PEG-GO)与富勒烯芘衍生物(C60-Py)结合...     

光热敏折变玻璃及其布拉格体光栅特性研究

采用高温二次化料的方法制备了一种SiO2-Al2O3-ZnO-Na2O(F、Br)玻璃体系的光热敏折变(PTR)玻璃,通过紫外曝光、透射率光谱、X射线衍射(XRD)和差热分析等方法研究了其光热敏析晶机理。研究表明,PTR玻璃的光敏区为280～350nm,工作区为400～2700nm,最佳成核温度和析晶温度分别为490℃和595℃,析晶组分为NaF晶体。采用双光束干涉方法与"两步法"的热处理工艺在PTR玻璃中制备了周期为1000mm-1的布拉格体光栅,光栅的相对衍射效率达到91%,并验证了制备的布拉格体光栅具有角选择滤波能力。     

吸波材料研究现状及碳团簇型吸波材料设计

简要介绍了铁氧体吸波材料，手性材料，金属微粉吸波材料，导电高聚物材料，多晶铁纤维材料，纳米材料和智能隐身材料的研究和应用现状。并根据吸波材料工作原理，进行碳团簇型吸波材料实验研究，结果显示，所制样品有很好的吸波性能，在总厚度为2．11mm的情况下，在8．2～12．4GHz频带内，最大反射衰减可达-29dB，有效频宽占总带宽的100％，基本达到实用水平。     

固体材料激光冷却的实验研究及其最新进展

近年来，基于反斯托克斯荧光制冷(Anti—Stokes Fluorescent Cooling)的固体材料激光冷却技术得到了快速发展。本文首先简单介绍了固体材料激光冷却的基本原理及其技术；其次，详细介绍了各种固体激光冷却的新材料、新方案和新结果及其最新实验进展；最后，就固体激光冷却技术的应用前景及其未来发展方向等问题进行了简单讨论与展望。     

水平梯度表面能材料表面上的滴状凝结换热系数

本文在均质表面的单个球缺形液滴换热模型和液滴通用尺度分布规律的基础上,结合梯度表面能材料表面的液滴分布和凝结换热特性,得到了一维水平梯度表面能材料表面上的滴状凝结换热计算式。在此基础上,研究了壁面过冷度、接触角梯度、工质物性等参数对梯度表面能材料表面滴状凝结换热性能的影响。结果表明:随着过冷度的增加和凝结工质汽化潜热的增大和表面张力的减小和接触角梯度的增大,平均表面凝结换热系数会增大。     

偶氮聚合物薄膜的全光极化研究

报告了分散红共聚物膜HMMM-DR1,HMMM-DR19和偶氮侧链聚合物膜PCN6和PCN2的合成和制备, 并以HMMM-DR1和PCN6为代表比较研究了这两种具有不同吸收性质材料的全光极化特性,研究了他们的实时极化和弛豫过程,对他们的全光极化性质作了最基本的表征.研究了倍频光吸收对薄膜光极化效率的影响,讨论了偶氮聚合物材料光诱导二阶非线性极化率的效率和倍频光透射率之间的折衷关系,这对实用化的全光器件的研制是至关重要的.实验确证了在PCN6薄膜中实现了准相位匹配.对厚膜中光诱导二阶非线性极化率的弛豫抑制效应作出解释.     

基于修正简化模式法的熔融石英光栅分束器设计

对用于光栅优化设计初值估计的简化模式法(SMM)进行了修正。考虑介质光栅的反射对透射率的影响,从多层膜等效的角度结合模式理论,推导出介质光栅的透射效率公式,实现了对SMM的修正。计算结果表明,与SMM相比,修正后的方法与严格耦合波(RCWA)的计算偏差大大缩小,TE和TM波都小于2%。因此相对于只能提供设计参数优化初值的SMM,该方法可对光栅参数进行优化;与RCWA相比,该方法将透射光栅的衍射效率表达成模式的相位差偏移和光栅与空气导纳之差引起的反射,更直观地展示了光栅衍射的物理过程。基于此修正的简化模式法(MSMM),优化设计了一个双端口光栅分束器,该光栅在1020~1100nm波段,TE波和TM波的0级和-1级透射效率都在50%左右,具有较好的分束效果。     

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基于InP材料的纳米光栅耦合器的耦合效率分析

设计了一种基于InP材料的纳米光栅耦合器,运用FDTD算法分析了周期长度、刻蚀深度以及占空比变化时该光栅耦合器的耦合效率。计算结果表明,周期长度为800nm,刻蚀深度为0.3μm,占空比接近0.5时,耦合效率可以达到13%。本文所设计的光栅耦合器对构建基于InP材料的谐振腔、激光器和陀螺结构具有一定的理论指导意义。