基于平方秩和的变点控制图的生产提前期控制研究

将串并联加工系统看做M/G/m的排队系统,针对服务时间概率分布不确定的情形,以生产提前期为监控对象,基于平方秩和设计变点控制图.首先,以订单在某阶段的逗留时间为状态变量采用状态空间方程对该系统进行建模,并分析逗留时间均值发生偏移对下游工序的影响.其次,针对服务时间服从一般分布的情形计算平均等待时间和平均逗留时间,并基于...     

基于函数调用图的静态数据分配

在许多嵌入式设计中,数据存储器是稀缺资源.如何基于静态分配方案,用最少的内存空间来存储程序数据成为嵌入式设计中一个非常重要的问题.如果两个函数之间不存在直接或者间接的调用关系的话,这两个函数的局部变量的生命期就没有重叠.这样的两个函数的局部变量可以共用存储空间而不会影响程序的正确性.基于这个思路,本文提出一种基于函数调用图的拓扑排序的最优静态分配算法(TBA)并证明了该分配算法的最优性.该分配算法通过静态分析技术,构建函数调用图(FCG),基于FCG的拓扑排序,计算每个函数的私有数据段的全局地址以及段内每个符号的全局地址,并根据重定位表更新对这些符号的引用.实验结果表明该算法优于前人提出的启发式算法.     

38≤Z≤42类钴离子n =3、Δn=0跃迁的理论计算

用多组态自洽场方法,结合作者提出的半经验拟合公式,首先对38≤Z≤42类钴离子3p63d9,3p53d10,3p63d84p组态的能级进行计算,然后根据能级值算出相应的电偶极跃迁的谱线波长,并给出各谱线的HFR振子强度。     

磷光热图技术在常规高超声速风洞热环境实验中的应用

通过采取快速插入、建立同步采集系统等措施,在中国航天空气动力技术研究院FD-07常规高超声速风洞建立了磷光热图技术,并成功地获得了平板三角翼模型表面热流分布.基于实验结果,初步分析了来流Reynolds数等参数对三角翼表面热流分布的影响.结果表明,三角翼外形中心线处转捩靠后,两侧转捩靠前,且随着来流Reynolds数的增加,转捩位置进一步前移.总的来说,磷光热图技术能够直观地显示流动转捩发生的位置以及转捩后湍流区的形状,为高超声速飞行器热防护设计提供了一种新的技术途径.      

双原子分子振动能级半量子化及量子理论的数值计算

利用半经典量子化理论和量子理论，分别采用Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势和Ｍｏｒｓｅ势，对双原子分子的振动能级给予了较为详细的数值计算。并将所得结果与部分实验数据进行比较，峄双原子分子的振动能级作了较为详细的 讨论。     

电磁场中带电粒子在非对易相空间的能级

非对易空间效应是出现在弦的尺度下的一种物理效应。 首先扼要介绍了非对易相空间中的量子力学代数、 Moyal Weyl乘法和广义Bopp变换, 然后讨论了电磁场中带电粒子的Hamiltonian算符, 最后给出了其在非对易相空间中的能级情况。     

72Ge40的低激发态能级研究

用低本底反康谱仪(HpGe–NaI)和HpGe–HpGe的三参数符合γ–γ–T系统,对72Ga的衰变γ单谱、符合谱进行了研究,实验共获得2.3×10⁷个符合事件.根据实验结果建立了含有26个能级、87条γ射线的72Ga的衰变能级纲图,其中包含首次测到7条γ射线225.92、826.97、1349.71、1475.32、1667.91、2105.28、2247.39keV和4个能级3248.01、3396.27、3806.10、3864.56keVS并为2939.83keV能级和112.59、937.97、2402.25、2939.95keV4条γ射线的存在提供了证据;实验没有发现113.5、1155.7、1192.4keVγ射线和能级3307.1keV存在的证据。并把317.72keVγ射线的跃迁,由原来的能级3757.26keV跃迁到3439.51keV能级,改为3565.85keV到3248.01keV能级跃迁.     

基于拉曼光谱法的降糖类药物的判别方法比较

采用了四种聚类方法对降糖类药物拉曼光谱进行了快速、无损判别。采集九种降糖类药品共48个样品的拉曼光谱,经截波、基线校正、平滑、矢量归一化等预处理后,分别采用K-均值、系统聚类法、自组织图(SOM)及PCA-SOM四种不同聚类方法做聚类判别。结果表明,自组织图与K-均值、系统聚类法相比,聚类结果较好,并且SOM结合PCA后的PCA-SOM结果最优。为降糖类药品的快速判别从聚类的角度提供了一种新的方法。     

Rh ⅩⅢ,Pd ⅪⅤ和AgⅩⅤ离子4s~24p~3—4s~24p~25s跃迁的扩展分析

用相对论HartreeFock方法对YⅦ—AgⅩⅤ离子4s24p3和4s24p25s组态的能级结构进行了系统的理论计算.通过分析能级结构的Slater径向积分参数沿等电子序列的变化规律,运用参数拟合外推(或内插)的方法计算了上述离子组态的能级结构参数.在此基础上,计算了Rh,Pd和AgⅩⅤ离子4s24p3(4S32,2P12,32,2D12,32)和4s24p25s(4P12,32,52,2P12,32,2D32,52,2S12)组态的精细结构能级以及这两个组态之间电偶极允许跃迁的全部35条谱线波长与相应的振子强度,其中Pd和AgⅩⅤ离子的所有数据纯属目前的预测计算值.     

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10~(-15)cm~2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10~(-17)cm~2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。