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991.
本文研究了不同温度下、磁场与具有双层结构的La1.4Sr1.6Mn2O7外延膜膜面成不同角度θ时的电子顺磁共振谱,并测量了此薄膜材料的输运性质,发现在任一温度下,θ对ab平面上的铁磁态产生的普峰的共振场位置几乎没有影响:而在c轴方向上的铁磁-顺磁转变温度Tc^c以下,θ对c轴方向上的铁磁态产生的谱峰的共振场位置有着显著的影响,其原因可能有两个,一是c轴和ab平面方向上的磁性质由于结构因素的影响存在着差异,即各向异性;二是在c轴方向上可能存在强烈的退磁效应,而在ab平面方向上退磁效应可以忽略不。输运性质测量表明外加磁场明显地抑制了样品的电阻率ρ,样品表现出较强的磁电阻效应。 相似文献
992.
采用超声分散法制备出氧化铝、高岭土、氧化硅/聚四氟乙烯复合材料, 使用线性往复摩擦磨损试验机对比三种复合材料的摩擦学性能. 结果表明 质量分数10%的氧化铝、高岭土能将聚四氟乙烯的磨损率降低约4个数量级, 而氧化硅仅能降低约3个数量级. 对金属对偶表面形成的转移膜的形貌和化学成分进行分析发现 氧化铝、高岭土/聚四氟乙烯在金属对偶面上形成了高度羧酸盐化的转移膜. 用密度泛函理论对三种填料表面上碳氟分子吸附过程进行模拟, 结果显示氧化铝、高岭土表面的路易斯酸性位点促进了碳氟分子的脱氟过程, 产生了更多的羧酸螯合物的中间产物; 氧化硅缺少路易斯酸性位点, 因此不能促进高度羧酸盐化的转移膜形成. 相似文献
993.
基于ANSYS的HFCVD金刚石厚膜的热应力分析 总被引:2,自引:0,他引:2
金刚石膜中的热应力会削弱金刚石薄膜与基底之间的粘结强度和金刚石膜的机械性能,更严重的会使CVD膜产生热裂纹甚至出现"炸膜"现象.本文根据HFCVD金刚石膜沉积过程中实际工作状态的边界条件,通过有限元软件ANSYS计算分析HFCVD金刚石膜中的热应力分布,并通过实验进行了验证,获得了HFCVD膜中热应力的分布规律以及金刚石膜半径、厚度、沉积温度和冷却速度四项实验条件对热应力的影响.研究结果表明:热应力沿径向分布是不均匀的,在边缘部分有突变;金刚石膜的膜厚,冷却速度和沉积温度对金刚石膜中的热应力影响很大,而金刚石膜的半径对膜中热应力影响较小,从而为HFCVD金刚石膜中热应力的预测与控制提供依据. 相似文献
994.
苯并三氮唑(BTA)作为性能优异地金属和气相防腐缓蚀剂而被广泛地应用到青铜保护.采用密度泛函理论(DFT)、概念DFT活性指数和Multiwfn波函数分析法等现代量子化学工具,计算和分析了BTA及高聚物膜[BTA-Cu(Ⅰ)]n中BTA-Cu(Ⅰ)单元的反应活性位点、反应前后前线轨道能和BTA分子反应结构;发现BTA和Cu(Ⅰ)可以发生成键反应,形成的高聚物膜[BTA-Cu(Ⅰ)]n较BTA单独分子在化学键长、键角和UV-Vis吸收峰上有明显地变化,并且从概念DFT的活性指数(主要为μ,η,ω,ΔEn,ΔEe)比较中发现,BTA-Cu(Ⅰ)的亲电性和亲核性较BTA有所增加,并计算了BTA-Cu(Ⅰ)单元分子间的相互作用能。 相似文献
995.
996.
微分电位溶出分析法应用于金膜电极的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍将微分电位溶出分析法应用于金膜电极,建立了相应的理论体系和应用条件。可使用的金膜厚度在1.8×10~(-7)~4.3×10~(-7)cm范围。检测限较原法降低近两个数量极。用本法测定花生乳中的铜,回收率在94~102%间。 相似文献
997.
998.
999.
1000.