High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well

The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V.     

PPG侧链修饰聚酰亚胺的制备与表征

以可溶性聚酰亚胺为反应底物，经氯甲基化反应制得氯甲基化聚酰亚胺，再以氯甲基为活性反应中心，在聚酰亚胺侧链上接枝聚丙二醇单丁醚（PPG），从而得到PPG侧链修饰聚酰亚胺．所制备的产物结构经红外光谱和核磁共振氢谱得以证实．介电常数及吸附脱附测试结果表明：经过大体积侧链PPG修饰后，聚合物的介电常数明显降低，由3．147降低至2．976；比体积和比表面积增大．同时，所制得的聚合物具有优良的溶解性能，在微电子工业中易于加工应用．     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论     

Bi（2223）厚膜微结构分析

测量了预结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌，实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是；在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差，提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。     

1-丁烯的二聚和三聚研究与开发

随着１－丁烯产量和对辛烯、十二烯等高碳数烯烃需求的增加，对１－丁烯的二聚和三聚的研究已越来越受到关注。本文对其催化体系以及工业生产概况作一综述性论述。     

荧光和动态散射方法研究两性表面活性剂胶束的聚集和相互 …

以芘为荧光探针，二苯酮为猝灭剂，利用荧光方法测定了两性表面活性剂Ｎ十二烷基－Ｎ，Ｎ－二甲基氨基丙磺酸盐（ＤＤＡＰＳ）胶束在不同温度和不同ＮａＣｌ浓度下的聚集数，利用动态光莠射方法得到了胶束的水力半径Ｒｈ，结果表明，ＤＤＡＰＳ的胶束聚集数和Ｒｂ值随ＮａＣｌ浓度的升高略有增大，随温度的升高而稍有下降，ＤＤＡＰＳ胶束之间的作用力以排斥力为主。     

单层光学薄膜中薄膜－衬底体系的双重干涉效应及其应用

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论，实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜－衬底体系的热致反射调制度高达８０％，这一效应可望有极广泛的应用     

MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性

报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能积(BH)_(max)=13.39MG·Oe.实验发现,薄膜厚度对MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性具有很大的影响. 关键词：