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报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献
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激光诱导间质肿瘤热疗的数值模拟和实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在考虑生物组织物性动态变化的情况下建立了激光诱导间质肿瘤热疗(LITT)的物理数学模型,采用MonteCarlo方法数值模拟了LITT中激光能量在生物组织内的传输过程,基于Pennes生物传热方程和Arrhenius方程数值求解了组织内的温度分布和热损伤体积的变化,分析了热物性及血液灌注率的动态变化对LITT过程的影响,并与相应的离体实验结果进行了对比。数值模拟结果表明,组织的热物性及血液灌注率的动态变化对于热损伤体积的变化具有重要的影响。因此在激光诱导间质肿瘤热疗的数值模拟中应该考虑热物性及血液灌注率的动态变化以期为临床治疗方案的制定提供更为准确的依据。 相似文献
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《应用化学》2004,(12)
Oxazolineshavedemonstratedwideutilityinvariouschemicalfields,suchasinasymmetricsynthesis,asaco ordinationligand ,inmedicinalandmacromolecularsynthesis ,andasaprotectinggroupofcarboxylicacids[1~ 3] .Variousmethodshavebeenadvancedforthepreparationof 2 oxazolinesfromthereactionofβ aminoalcoholswithcarboxylicacids,esters,nitriles ,oraldehydessinceitsappearance[1~3] .Reagentssuchascomplexesorstrongacidsorbaseswereusuallyneededinthesevarioussyntheticmethods.Thereactiontakeslongtimetocompletion .… 相似文献
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利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小 相似文献
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利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % . 相似文献
59.
针对受参数不确定和外扰影响的混沌Lorenz系统,提出一种基于径向基函数(RBF)神经网 络的滑模控制方法.基于被控系统在不稳定平衡点处状态误差的可控规范形,设计滑模切换 面并将其作为神经网络的唯一输入.单入单出形式的RBF控制器隐层只需7个径向基函数,网 络的权值则依滑模趋近条件在线确定.仿真表明该控制器对系统参数突变和外部干扰具有鲁棒性,同时抑制了抖振.
关键词:
混沌控制
滑模
径向基函数神经网络
Lorenz系统 相似文献
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报道了Pr(0.5):ZBLAN玻璃在双频双光束光源激发下的激发态上转换现象.发现上转换发射谱的荧光与常规荧光发射谱的荧光一致,还发现双频激发下的上转换激发谱有3个明显的谱峰,它们依此对应于788.5nm 1G4→3P2,850.5nm 1G4→1I6和805.0nm 3H6→1D2的激发态吸收跃迁,而大的850.5nm上转换激发谱峰是由大的1G4(Pr3+ )→1I6(Pr3+)跃迁的振子强度f=23.04×10-6所致.这说明起源于1G4能级的激发态吸收上转换尤其1G4(Pr3+)→1I6(Pr3+) 相似文献