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C 型臂造影系统成像模型和运动模型标定方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
C型臂数字造影系统成像原理与相机成像原理类似,但自身机械结构导致其内参随方位改变而变化.提出了一种利用系统提供的方位参数直接计算成像系统内参和外参的新方法,该方法建立在造影系统成像特点和C型臂运动规律的基础上,并利用计算机视觉中的相关理论进行了描述.根据对精度、复杂度和灵活性的不同要求,提出了三种不同层次的模型,模型1用于计算一组特定方位下的系统内参和外参,模型2用于计算发射源到像增强器的距离固定时系统的内外参数,模型3用于计算仟意方位下的系统内外参数.实验结果表明模型1的精度达到亚像素级,可以应用于对精度要求较高的场合;模型2和模型3的精度稍低,但具有较好的灵活性. 相似文献
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基于激光吸收光谱乙炔在线监测技术的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
乙炔作为有机化工产品原料,广泛应用于化学工业中,但易燃易爆,在储存和工业生产中有必要对其进行实时在线监测.可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术具有高选择性、高灵敏、快速响应等特点,在痕量气体检测中得到了广泛的应用.文章研究了乙炔气体在近红外波段的吸收线分布特征,详细地讨论了基于近红外可调谐二极管激光吸收光谱技术的乙炔在线监测系统设计方案;建立了实验测量系统,研究了信号检测方法和浓度反演算法,对长度10 cm的样品池和已知标准浓度乙炔气体配制的不同浓度乙炔气体进行检测,检测限可以达到1.46 cm3·m-3;进行了动态检测实验,测量结果具有较好的稳定性和可靠性.分析表明系统设计方案可行,由此发展的乙炔在线监测系统可用于乙炔储存、运输和使用过程中泄漏报警. 相似文献
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可见/近红外漫反射光谱无损检测南丰蜜桔维生素C的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
应用可见/近红外漫反射光谱对南丰蜜桔维生素C含量进行了无损检测研究.在谱区350~1 800nm,应用主成分分析和偏最小二乘法对经过预处理光谱进行数学建模,主成分数和光谱区间选择分别由完全交互验证和回归系数法确定.定标模型对10个未知样品的预测结果是:预测相关系数为0.813,预测均方差为2.112 mg(100 g)-1,预测偏差为-0.810 mg(100 g)-1.文章表明利用可见/近红外漫反射光谱技术无损检测南丰蜜桔维生素C具有可行性. 相似文献
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全川生 《工程物理研究院科技年报》2003,(1):199-200
某台C620-1车床在加工轴类零件时产生锥度较大,以致不能加工精度稍高的轴类工件。机修工和操作者查找原因,在静态下测试:机床导轨精度合格,主轴线对导轨的平行度也合格,用检验心棒检测主轴径向跳动、轴向窜动不超差的情况下,就此问题提出分析和论证。 相似文献
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同步荧光法测定食品中维生素B1 总被引:7,自引:0,他引:7
本文研究了食品中维生素B1的同步荧光法测定条件,采用氯化钾-乙醇作柱层析洗脱液,碱性介质中氧化后立即调为中性,并加入表面活性剂OP对体系增稳增敏,取代丁醇萃取,经济方便,用于几种粮食样品的测定,结果满意。 相似文献
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Vertical and Smooth, etching of InP by Cl2/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma at Room Temperature 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
We study the room-temperature dry, etching of InP by inductively coupled plasma (ICP) using C12/CH4/Ar mixtures. Etches were characterized in terms of anisotropy and surface roughness by scanning electron microscopy and atomic force microscopy, respectively. It is found that the flow ratio between C12 and Ctt4, ICP power, rf chuck power, and table temperature can greatly influence the, etching results. By adjusting, etching parameters,vertical sidewall and smooth surface can be obtained simultaneously, together with a moderate, etch rate and a good select ratio. The root-mean-square surface roughness is measured to be as low as 0.27nm. To the best of our knowledge, this is the best result for InP to date. The, etch rate is 855nm/min, and the selectivity ratio overSi02 is estimated to be higher than 15:1. The stoichiometry of the, etched surface has also been investigated by Auger electron spectroscopy. The, etched surface is found to manifest a slight P deficiency, and the ratio between P and In reaches the stoichiometric value within about 0.75nm depth into the surface. 相似文献
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