21世纪单细胞分析发展

细胞是生物体的形态结构和生命活动的基本单位。了解生物体生命活动的规律 ,必须以研究细胞为基础 ,探索细胞的生命活动 ,掌握和控制生、老、病、死的规律 ,造福于人。　　目前细胞研究已经从细胞整体 (单细胞 )深入到亚细胞 (局部细胞质、细胞膜、囊泡 )和分子水平 (DNA等生物大分子及单分子 )。因此 ,单细胞分析向分析化学提出了严峻的挑战 ,也带来众多机遇。由于细胞极小 (一般直径 7～ 10 0 μm) ,样品量很少 (体积fL～pL) ,胞内组分十分复杂 (最简单的红血球细胞含蛋白质上千种 ) ,胞内生化反应速度快 (ms～s级 ) ,因此 ,单细胞分析…     

电子回旋共振微波等离子体及其在材料科学中的应用

 低气压、低温放电方面的一个重要的最新进展是电子回旋共振(ECR)放电。这种技术首先是在核聚变研究中发展起来的。最初,它被用于磁镜实验装置产生和加热等离子体,后来,又被发展成为托卡马克、串级磁镜等聚变装置实验中进行等离子体加热的主要手段之一,即电子回旋共振加热(ECRH)。目前,这一高技术已被移植到各种低温等离子体应用之中,显示了蓬勃的生命力。电子回旋共振微波等离子体是指:当输入的微波频率ω等于电子回旋共振频率ωce时,微波能量可以共振耦合给电子,获得能量的电子电离中性气体,产生放电。电子回旋频率为ωce=eB/m,e和m为电子电荷及其质量,B是磁场强度。     

生长曲线模型中共同均值参数的线性估计的可容许性

本文讨论了生长曲线模型中共同均值参数的估计问题,针对矩阵损失函数,给出了六种不同形式的优良性准则,在较特殊的生长曲线模型下,证明了这六种容许性在特殊的齐次线性估计类中是一致的,并且得到了其共同容许估计的充要条件,但在中它们是不一致的,可分为两类,并且也分别得到了其可容许估计的充要条件,还进一步讨论了非齐次线性估计的容许性问题。     

细胞动力学研究Ⅴ.细胞连续增长热动力学

用微量热法测定了布鲁氏菌Ｍ５（５５０１０）和８３－９８１在２７℃和４０℃时的生长发热功率曲线．由这些生长发热功率曲线，建立了细胞有限条件下连续增长热动力学方程：ｌｎ（Ｐｍ／Ｐｔ－１）＝ｌｎ（Ｐｍ／Ｐ０－１）－ｋｔ从而求出了细菌的生长常数ｋ．这个方程非常适合“Ｓ”型的生长发热功率曲线     

芽饱杆菌活菌制剂对动物肠道菌群及免疫功能的影响

用芽饱杆菌活菌制剂（又名“强饲特”）作添加剂饲喂昆明种小鼠２１ｄ，发现小鼠平均日增重较对照组提高２２．５％；取新鲜粪便检测主要肠道菌群，结果表明乳酸杆菌明显增加，而大肠杆菌受到抑制；取其血液及脾细胞检测免疫功能，发现白细胞吞噬功能和抗体形成细胞活性显著增强     

薄膜生长初期多原子移动影响的模拟

模拟了在低温底上沉积单层薄膜初期的表面形貌．提出了新的算法，实现了多个原子同时在沉积基底上移动的过程，克服了以往只能模拟基底上仅有一个运动原于的缺点，同时引入了沉积流量，并在此基础上讨论了移动步数、沉积流量等因素对生长的影响作用．模拟结果与实验相近，获得的花样具有分形特征．     

磁控溅射方法生长的氮氧锌薄膜的光学特性

氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ--Ⅵ族半导体材料，室温下能带带隙Eg为3.37eV。由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV)，保证了其在室温下较强的激子发光。此外氧化锌还具有较高的热稳定性和抗化学腐蚀特性，因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料。自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来，ZnO已成为继GaN之后紫外发射材料的又一研究热点。但是，目前对于p型氧化锌及其发光器件的研究仍处于探索阶段，对其光电特性的研究仍需要更多投入。本文利用磁控溅射方法制备出氮氧锌薄膜样品，并通过在氧气气氛下退火处理，改变薄膜样品中氮的含量。通过X射线衍射谱、X射线光电子能谱、光致发光谱及喇曼光谱的测试，研究了氮在氧化锌薄膜中的含量变化以及氮对氧化锌薄膜的结构和光学特性的影响。     

Al-Induced Crystallization Growth of Si Films by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline Si （poly-Si） films are in situ grown on Al-coated glass substrates by inductively coupled plasma chemical vapour deposition at a temperature as low as 350℃. Compared to the traditional annealing crystalliza- tion of amorphous Si/Al-layer structures, no layer exchange is observed and the resultant poly-Si film is much thicker than Al layer. By analysing the depth profiles of the elemental composition, no remains of A1 atoms are detected in Si layer within the limit （〈0.01 at.%） of the used evaluations. It is indicated that the poly-Si material obtained by Al-induced crystallization growth has more potential applications than that prepared by annealing the amorphous Si/Al-layer structures.     

Unit-Cell by Unit-Cell Homoepitaxial Growth Using Atomically Flat SrTiO3（001） Substrates and Pulsed Laser Deposition

Using a combination of chemical etching and thermal annealing methods, we have obtained atomically fiat TiO2-terminated SrTiO3 (001) with large terraces. The average width of the terrace is only determined by miscut angles.When we continuously grow tens of SrTiO3 monolayers on such a surface under pulsed laser ablation deposition condition at 621℃, the growth proceeds in a layer-by-layer mode characterized by un-damped oscillations of the specular RHEED intensity. After the growth of 180 monolayers, the surface morphology is restored to the pre-growth condition with similarly large terraces after annealing in vacuum for only 30 rain, indicating efficient mass transfer on TiO2-terminated terraces.