氟化铅晶体中包裹体的显微观察与分析

本文根据偏光显微镜观察,把存在于立方氟化铅晶体中的包裹体分为三种类型:针状包裹体、板状包裹体和无规则形包裹体.根据EDS成分分析和XRD结构测定,认为针状包裹体的组成为铅的氧化物和氟氧化物,板状包裹体和无规则形包裹体为氟化铅的斜方相.针状包裹体是由于原料中的PbO杂质引起组分过冷而造成氧化铅和氟氧化铅小颗粒的定向排列.如果氧化物杂质含量不是很高,则通过掺入过量脱氧剂、提高固液界面处的温度梯度和降低下降速度,可以比较有效地减少甚至消除晶体中的针状包裹体.     

一锅法制备量子点/琼脂纳米复合凝胶

以天然高分子琼脂为稳定剂,采用简单便捷的一锅法制备Mn掺杂ZnS量子点/琼脂纳米复合凝胶,琼脂不仅作为制备量子点的稳定剂,同时也是纳米复合凝胶的主要成分。对该纳米复合凝胶中量子点的化学结构和尺寸大小进行了表征,并对纳米复合凝胶的荧光性能和凝胶性能进行了研究。结果表明,制备得到的纳米复合凝胶均一稳定,在302nm紫外光下呈现十分明显的橙红色荧光。TEM表征显示,在该纳米复合凝胶中可以观察到大小比较均一、粒径为3nm左右的纳米粒子;光谱分析结果进一步证实纳米复合凝胶中存在Mn掺杂ZnS量子点。该纳米复合凝胶不仅具有良好的荧光性能,还具有温度刺激响应性可逆溶胶-凝胶转变性能,同时具有较高的溶胶转变温度和较好的温度稳定性。利用这些性能特点,可以方便地制备纳米复合凝胶小球。此外,该纳米复合凝胶还有望应用于金属离子的荧光检测分析领域。     

T型微通道反应器内气液两相流动机制及影响因素

基于液滴或气泡的多相微流控是近年来微流控技术中快速发展的重要分支之一.本文利用高速显微摄影技术和数字图像处理技术对T型微通道反应器内气液两相流动机制及影响因素进行实验研究.实验采用添加表面活性剂的海藻酸钠水溶液作为液相,空气作为气相.研究T型微通道反应器内气液两相流型的转变过程,并根据微通道内气泡的生成频率和生成气泡的长径比对气泡流进行分类.研究发现当前的进料方式下,可以观测到气泡流和分层流2种流型,且依据气泡生成频率和微通道内气泡的长径比可将气泡流划分为分散气泡流、短弹状气泡流和长弹状气泡流3种类型,并基于受力分析确定3种气泡流的形成机制分别为剪切机制、剪切-挤压机制和挤压机制.考察不同液相黏度和表面张力系数对不同类型气泡流范围的影响规律.结果表明:液相黏度相较于表面张力系数而言,对气泡流生成范围影响更大.给出不同类型气泡流流型转变条件的无量纲关系式,实现微通道生成微气泡过程的可控操作.      

回波间隔对核磁共振表观孔隙度的影响及矫正方法

本文对具有特定横向弛豫时间（T₂）的硫酸铜溶液进行了多回波间隔（T_E）的核磁共振（NMR）实验,并利用数值模拟对32组具有不同弛豫分量的模型进行了变T_E模拟实验,定量研究了T_E对致密油气、页岩气等低孔低渗储层NMR孔隙度的影响规律.实验结果表明,随着T_E的增大,各T₂弛豫组分NMR孔隙度先维持在100%左右,然后迅速衰减,当T_E增加到一定数值时,趋近于0;不同T₂弛豫组分NMR孔隙度开始迅速衰减及最后变为0的T_E值存在显著差异.根据不同T₂弛豫组分NMR孔隙度与T_E的关系,将整个NMR测量分为无损测量区、快速衰减区、无效参数区和仪器盲区4个区域.对特定弛豫组分而言,在快速衰减区弛豫组分损失量与T_E呈对数关系,本文还给出了该区域NMR孔隙度的校正公式及方法.     

4H晶相的Au纳米线的晶相重构及其电催化CO氧化的行为研究（英文）

本文利用液相合成的方法成功合成了4H晶相的Au纳米线.利用高分辨透射电镜、X射线衍射、铅-欠电位沉积和电化学循环伏安技术,在去除表面吸附的油胺分子前后,分别表征4H晶相的Au纳米线的晶相、表面结构和电催化CO氧化的性能.尽管尝试了不同的方法去除4H晶相的Au纳米线表面吸附的油胺分子,例如:醋酸清、电化学氧化清洗和二乙胺取代法,但是发现,一旦表面吸附的油胺分子被去除后,4H晶相的Au纳米线的形貌都将从纳米线状转变为哑铃形的大颗粒,并且晶相也会由4H晶相转变为面心立方相.铅-欠电位沉积结果表明,在去除吸附的油胺分子前后,411晶相的Au纳米线表面的晶面组成基本相同,但经过上限电位为1.3 V的电化学清洗后,4H晶相的Au纳米线的CO氧化活性明显提高.本文比较了4H晶相的Au纳米线的CO氧化活性与文献报道的三种金单晶基础晶面的活性,并讨论了其CO氧化活性增强的可能原因.     

制备全光功能开关的多量子阱材料设计

采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算,利用更符合实验结果的Harrison模型来计算带阶,分别就晶格匹配和应变补偿两种情况进行了比较计算,最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择,得到最适合于制作光开关的材料.     

对聚合物玻璃化转变的几点新认识

基于聚合物玻璃化转变的定义,探讨了聚合物宏观单晶体和聚合物单链单晶的玻璃化转变问题,指出玻璃化转变的温度依赖性不服从普适的Arrhenius方程,可以把WLF方程看作是聚合物玻璃化转变的特有温度依赖关系。介绍了二维状态下聚合物可能的玻璃化转变。     

电感耦合等离子体-原子发射光谱测定再生加氢催化剂中活性组分Mo、Ni及金属杂质

针对再生加氢催化剂中残余的积炭对活性金属含量测定的影响,建立了一种以硝酸-高氯酸体系溶解样品,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)测定再生加氢催化剂中活性金属Mo、Ni含量的方法。该方法亦可同时测定运转过程中沉积在催化剂表面的金属杂质Fe、Na、Ca、Mg的含量。实验考察了仪器工作参数、不同预处理方法、介质酸度、基体A1对测量结果的影响。本法对Mo、Ni、Fe、Na、Ca、Mg 6种元素的检出限分别为0.1797、0.0026、0.0014、0.0220、0.0022、0.0013μg/g,回收率在95%~107%之间。该法准确、可靠,精密度好,可用于实际样品分析。     

可蒸镀自旋交叉配合物的薄膜与器件

自旋交叉配合物在温度、压力、光照和磁场等刺激下可以发生高低自旋态之间的可逆转变,通常还伴随着颜色、体积和电导率变化以及热滞等效应,因此这类材料在光热开关、传感器、显示和存储等领域具有潜在的应用.由于可以获得高质量的超洁净薄膜,高真空蒸镀工艺常用于分子电子学与分子磁学等的器件制备,目前报道的可蒸镀自旋交叉配合物种类较少,大大限制了自旋交叉配合物的器件应用.针对可蒸镀自旋交叉配合物的薄膜与器件进行了系统的综述,介绍了几种主要的适于高真空蒸镀的自旋交叉配合物,结合不同的表征手段分析了衬底对分子薄膜自旋转变特性的影响,并针对相关的概念性器件进行了讨论,最后对自旋交叉配合物在器件应用中存在的难点和未来的发展趋势进行了展望和评述,希望能够为自旋交叉领域的器件应用提供一些借鉴.     

碘化汞(α-HgI2)晶体生长及其性能表征

利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体.通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变.晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面.利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征.XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001].紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45;.由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰.所生长的α-HgI2晶体电阻率约为1011Ω·cm,满足制作核辐射探测器的要求.