Si衬底对ZnO薄膜性能影响的研究

使用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)技术,采用两种不同纯度(99.5%和99.99%)的ZnO靶材,在p型Si衬底上制备了两种ZnO/Si薄膜.原子力显微镜与X射线衍射分析表明,两种样品具有相似的显微形貌与相同的晶体结构.霍尔效应测试发现,两种ZnO/Si薄膜都展现出了低电阻率、高迁移率的电学性能,但是其导电类型完全相反.研究结果表明,衬底的性能对霍尔效应测试有巨大影响.利用二次离子质谱仪,发现了在低纯度的样品中存在着S杂质向Si衬底中扩散的现象,并直接导致了衬底的导电性能的反型.     

LED用荧光粉Sr（S1-xSex）：Eu^2＋的合成和光谱性质研究

采用高温固相法合成了Sr(S1-xSex)系列硫属化合物掺Eu2 荧光粉.XRD表明荧光粉的组成为单相,而且体系Sr(Sl-xSex):0.005Eu2 中晶胞参数随着组成的变化呈现良好的线性关系,遵守韦加定律.漫反射光谱与激发光谱吻合,说明荧光粉吸收的能量能够有效地激发发光中心而发光,激发光谱中较低能量区域覆盖了400～500 nm的光谱范围,与蓝光LED芯片的发射光匹配.发射光谱呈现的是Eu2 离子的5d→4f特征跃迁发射带,当x由0增加到1.0的过程中,发射峰值波长由617 nm逐渐蓝移到571 nm.不同基质中掺杂的Eu2 离子的荧光寿命均为微秒数量级,与Eu2 离子的4f65d1→4f7跃迁相符合.将荧光粉封装在发蓝色光(λ=460 nm)的GaN芯片上制作了LED器件,测量了器件的发光强度、色纯度和色坐标等参数.Sr(S1-xSex):Eu2 系列硫属化合物掺铕荧光粉能够有效地被GaN芯片发出的蓝色光激发,发出从橙色到红色的可见光,是一类较好的LED用荧光粉.     

HPLC-DAD测定利培酮中有关物质

运用二极管阵列检测器结合峰纯度分析建立利培酮有关物质HPLC的测定方法。采用C18色谱柱(Kromasil,C18,5μm,4.6×200mm),以1.0%三乙胺缓冲溶液(以磷酸调节pH值至3.0)∶乙腈(70∶30)为流动相,流速为0.8mL/min,柱温为30℃,检测波长为260nm。利培酮与有关物质分离良好,原料1、中间体1、中间体2以及利培酮检出限分别为0.4、4、0.4、0.6ng。二极管阵列检测器结合峰纯度分析可用于HPLC测定利培酮有关物质时色谱条件的选择和评价,本方法简单、快速、专属性好、灵敏度高。     

真空热还原-蒸馏法制备高纯金属锂

金属锂具有质量轻,负电位高,比能量大等优点,成为新的电池能源材料^[1]。2000年全世界生产锂电池3．76亿只,消耗金属锂约400吨。目前,国内外研制的核聚变反应堆有200多座,一旦受控核聚变反应堆工业化,世界每年需要用于反应堆的金属锂在5000－10000吨,金属锂的另一重要用途是生产制造航空器中的铝－锂,镁－锂合金等。该合金具有重量轻,强度高、高拉伸强度和低密度等优点。