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61.
为探讨干旱和盐渍环境对玉米生长早期的影响,采用PEG6000处理模拟干旱胁迫、NaCl处理模拟盐胁迫,对种植于新疆、山西及东北地区的6种玉米杂交种进行种子萌发及幼苗生长实验.结果表明:随着PEG或NaCl浓度的升高,萌发指标及幼苗生长指标均受到抑制.NaCl对玉米种子萌发及主根伸长的抑制作用比PEG的强,低浓度的PEG...  相似文献   
62.
首先构造了广义三周期Fibonacci序列的通项公式,然后在一定限制条件下,利用矩阵方法给出了关于广义三周期Fibonacci序列和广义三周期Lucas序列的一些二项式系数和的恒等式.  相似文献   
63.
ICP-MS测定中草药狼毒中稀土和微量元素   总被引:3,自引:3,他引:0  
研究了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定中草药狼毒中稀土和微量元素的方法,样品处理通过低温灰化方法与硝酸-过氧化氢消解方法比较,实验确认微量元素采用低温灰化法制备样品, 稀土元素采用酸消化法制备样品,可以满足该方法检测要求,具有测试方法准确、快速等优点。 方法的准确度在1.21%~15.15%, 精密度在0.38%~8.54%之间。 该方法完全可以满足中草药样品中稀土和微量元素检测要求。  相似文献   
64.
Ba2SiO4荧光粉中Ce3+和Eu2+的光谱性质和能量传递   总被引:5,自引:4,他引:1  
采用高温固相法合成了绿色荧光粉Ba2SiO4:Ce3 ,Eu2 .测量了它们的吸收光谱、激发光谱和发射光谱,观察到了Ba2SiO4中Ce3 对Eu2 发光的敏化现象,发光的敏化作用缘于Ce3 和Eu2 之间的高效无辐射能量传递.  相似文献   
65.
新型高色纯度弱电流猝灭性蓝色有机发光器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
以ADN为基质,分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件,器件结构为:CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有:BCzVB(amino-substituted distyrylarylenederivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件,色坐标达到x=0.146,y=0.162,最大亮度为11600 cd/m2(15 V),电流效率为2.8 cd/A,流明效率为1.79 lm/W;以ADN为基质,分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂,制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光),效率随电流的增加而降低很快;器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标:x=0.164,y=0.146),但电流效率较低:2.03 cd/A,效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A,效率随电流增加变化幅度不大,但色纯度比较差(x=0.153,y=0.306),适合于做白色有机发光器件。  相似文献   
66.
多色矢量高斯-谢尔模型光束的焦移和焦开关   总被引:7,自引:7,他引:0  
赵光普  吕百达 《光子学报》2006,35(1):142-145
从交叉谱密度矩阵的传输公式出发,对多色矢量高斯-谢尔模型(GSM)光束的焦移和焦开关作了详细的研究.插入偏振片之前,多色矢量高斯-谢尔模型(GSM)光束通过硬边光阑透镜分离光学系统后,有焦移,但无焦开关;而插入偏振片之后,会出现焦开关.改变偏振片的旋转角度可以控制焦开关的特性.  相似文献   
67.
个人住房抵押贷款模式及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了等比还贷,等差还贷,基于等额的灵活还贷和混合还贷4种模式,举例分析并指出了各模式适合的客户类型,最后对贷款利率调整时各模式的有关变化作了进一步的探讨,各种还贷模式可根据具体情况在实践中推广应用。  相似文献   
68.
杨乐 《中国科学A辑》1990,33(2):113-121
本文讨论了亚纯函数的一些精密的基本不等式。应用它们,我们得到了亏量和的精确估计。主要结果为:设f(x)于开平面超越亚纯,k为一正整数,则以及这里ε是任意的小正数,a与b是任意两个判别的有穷复数。  相似文献   
69.
应用型人才培养应注重传授数学的思想和方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了当前应用型人才培养模式下高等学校数学教育存在的若干问题,通过若干实例论述了在应用型人才培养中传授数学的思想方法的重要性,最后提出了加强数学思想方法传授的有效的、可操作规程的途径.  相似文献   
70.
Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
文章建立了立方四面体3d2络合物g因子的完全高阶微扰公式.在这个公式中,除了与d-d跃迁光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型)外,与电荷转移光谱(荷移激发态)有关的荷移(CT)机制的贡献也被考虑.将这个公式应用于Ba2MgGe2O7:Cr4 晶体平均g因子的计算,发现理论计算值与实验值很好的一致,同时,荷移机制对g移动△g(=g-2.002 3)的贡献△gCT在符号上与晶场机制的贡献△gCF相反,而在大小上约为晶场机制贡献的38%.因此,在对高价态过渡金属离子络合物的g因子计算时应考虑CF机制和CT机制的贡献.  相似文献   
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