Ce3+离子激活的SrB4O7的VUV光谱

Ce³⁺只有一个4f电子,具有最简单的4f¹5d⁰基态结构,其激发光谱直接反映了5d轨道的能量状态。由于同一基质晶格相同格位上不同稀土离子受基质晶体场影响相近,所以根据Ce³⁺离子的光谱可以推测和分析其他稀土离子的5d轨道能量,是研究其他稀土离子f-d跃迁的基础。采用高温固相法合成了Ce³⁺离子激活的SrB₄O₇发光体,测定了样品在130~350nm波长范围的激发光谱和相应的发射光谱。指认了VUV激发光谱上Ce³⁺离子的5个4f¹→4f⁰5d¹跃迁激发带,讨论了SrB₄O₇的基质吸收带和Ce³⁺的5d轨道在SrB₄O₇中的晶体场劈裂、5d轨道能级重心及SrB₄O₇:Ce³⁺的发射光谱和Stokes位移。     

光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U³CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10^-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.     

Realization of MMI Power Splitter by UV-light Imprinting Technique Using Hybrid Sol-Gel SiO2 Materials

An efficient fabrication scheme of buried ridge waveguide devices is demonstrated by UV-light imprinting technique using organic-inorganic hybrid sol-gel Zr-doped SiO2 materials. The refractive indices of a guiding layer and a cladding layer for the buried ridge waveguide structure are 1.537 and 1.492 measured at 1550nm, respectively. The tested results show more circular mode profiles due to existence of the cladding layer. A buried ridge single-mode waveguide operating at 1550 nm has a low propagation loss （0.088 dB/cm） and the 1× 2 MMI power splitter exhibits uniform outputs, with a very iow splitting loss of 0.029 dB at 1549nm.     

氢氯噻嗪与DNA相互作用的光谱研究

用紫外光谱法和荧光光谱法研究了氢氯噻嗪(HCT)和小牛胸腺DNA(ctDNA)之间的相互作用.在pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液中,HCT的荧光激发峰和发射峰分别位于278nm和360nm处.ctDNA的加入对HCT的荧光存在着很强的荧光猝灭作用,这种荧光静态猝灭作用是由ctDNA和HCT键合引起,键合常数为1.12×10-4L/mol(25℃).采用紫外光谱,离子强度的影响和Ⅰ-猝灭等条件实验研究了HCT与DNA间的相互作用.DNA浓度的变化不改变它们的作用,属于沟槽作用模式.     

纳米TiO_2∶Zn薄膜电极紫外光电特性研究

采用sol-gel法制备了Zn2 掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极.通过光电流作用谱和电流-电位(I-U)曲线研究了掺杂不同浓度Zn2 的TiO2薄膜电极的光电特性.由光电流作用谱可知,Zn2 的掺杂可显著影响薄膜电极的光电流大小,且掺杂的最佳浓度与薄膜晶粒尺度有关.在320nm单色光照射下,掺杂浓度(摩尔浓度)为0.1%的薄膜电极光电流最大,与未掺杂的本征薄膜电极相比增幅达40%.I-U曲线表明,光照下,随电极电位由正到负逐渐降低,不同掺杂浓度的TiO2薄膜电极中均出现了阳极电流向阴极电流转换的现象,且Zn2 掺杂浓度可影响电极阳极电流的初始电位.另外,无光照的暗态下,各薄膜在负电位区域观察到了相似的随电位降低而迅速增大的阴极暗电流.     

基于强激光辐照固体锡靶产生极紫外光源的实验研究

建立了一套利用高功率YAG激光器辐照固体锡靶产生高转换效率极紫外光 (extreme ultraviolet) 源的实验装置.利用建立的实验装置开展了极紫外光源的强度和转换效率与抽运激光强度关系的实验研究,发现极紫外光源的转换效率随抽运激光强度的变化具有饱和效应.实验发现：当抽运激光能量达到250mJ时,极紫外光源的转换效率最高,波长为13.5nm处0.27nm带宽范围内的极紫外光源的能量转换效率为1.6%,此时对应的激光强度为1.8×10¹¹W/cm². 关键词： 极紫外光 转换效率     

热加工对花生过敏原Ara h 2抗原性及构象的影响

从花生种子中分离纯化花生过敏原Ara h 2,采用酶联免疫吸附试验(ELISA)、圆二色谱(CD)、ANS荧光探针及紫外可见(UV-Vis)光谱等方法,系统研究热加工对Ara h 2抗原性和结构的影响.结果表明:Ara h 2蛋白经55或70℃处理后其抗原性略有升高,经85,100或115℃处理后,其抗原性显著降低,且随着温度和时间的增加其抗原性均不断降低.CD色谱分析表明,Ara h 2经热处理后其二级结构发生变化;ANS荧光探针光谱显示,不同的热处理均导致Ara h 2表面疏水性增加.紫外光谱显示,不同温度对Ara h 2处理30 min后(除55℃外),其紫外吸收值均升高.Ara h 2经100℃处理不同时间后,其紫外吸收值均有增加.由此推断,花生过敏原Ara h 2的构象改变导致了其抗原性的降低.     

稀土配合物-PAA-g-PE膜的荧光光谱

通过紫外光接枝聚合反应 ,将丙烯酸 (AA)接枝于PE膜表面 ,在一定 pH值条件下 ,使接枝膜与Eu3+、α 噻吩甲酰三氟丙酮 (TTA)的乙醇 水溶液或Tb3+、乙酰丙酮 (AcAc)的氯仿 水溶液作用 ,制得红色或绿色荧光膜。与相应的Eu(TTA) 3·(H2 O) 2 或Tb(AcAc) 3·(H2 O) 2 固态配合物相比 ,荧光膜的激发和发射光谱都发生了明显的变化 ,可以推测 ,稀土配合物与高分子材料之间发生了化学键结合。此外 ,还对荧光膜的红外光谱进行了观察。     

聚氨酯丙烯酸酯作为预聚体的光敏树脂的制备及性能

以六官能度聚氨酯丙烯酸酯(B-618)、三官能度聚氨酯丙烯酸酯(DH-317)、三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)和1-羟基环己基苯甲酮(Irgacure184)作为组分制备一系列光敏树脂。利用凝胶率测定法对其光敏树脂的光敏性进行了研究。同时,对该光敏树脂的光固化膜进行了力学性能的测试。实验结果表明该光敏树脂的较佳配方为B-618质量分数28%,DH-317质量分数43%,TPGDA质量分数25%和Irgacure184质量分数4%,且固化膜具有较好的柔韧性、冲击强度和拉伸强度。 更多还原     

紫外光刻术

随着科技的发展 ,集成电路芯片上的插口与记忆元件会愈来愈多 ,所以在硅或金属底板上的空间显得极其拥挤 .现有的短波光刻技术能生产 6 5nm宽的连线以及 90nm的连线间距 ,因此微型芯片的制造商们都力图寻找能雕刻更加精细连线的光刻技术 .为此 ,美国政府 (以加洲劳伦斯伯克利国家实验室的近代光源研究所为主 )和跨国工业财团 (如AMD ,IBM ,微软 ,摩托罗拉等 )携手合作 ,现在以P .Naullear教授为首的研究组已开发出了紫外波段的光刻技术 ,这种紫外光刻术能在芯片底板上生产出 39nm的线宽和 70nm的线间距 .他们计划在 2 0 0 7年以前生产出…