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91.
V型缺口裂端的三维应力状态及约束分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用三维有限元方法,研究了有限厚度板中V型缺口根部穿透裂纹前沿的三维弹性应力场。对不同厚度、不同缺口张开角和裂纹长度对应力强度因子及裂尖附近的三维约束程度的影响进行了分析,同时还讨论了三维约束区的大小。研究结果显示:当缺口张开角小于60度时,不同缺口的应力强度因子和离面约束因子的分布基本一致,角度的影响不明显。应力强度因子是厚度的函数,板中面的应力强度因子随厚度的增加逐渐减小趋近干平面值,最大为1.08倍的平面值。当板厚超过15倍的缺口深度时,应力强度因子最大值将从中面转移至接近自由表面位置,距中面约0.4倍板厚。三维约束非常明显的区域在裂尖前沿约0.45倍厚度的范围内.二维到三维的过渡区在裂尖前沿1.5倍厚度的区域内;在中面上三维效应影响区最大,随着离中面距离的增加逐渐减小,在自由表面上降为0。 相似文献
92.
为探讨Cole-Cole方程8个参数(Δε1,Δε2,εh,κl,f1,f2,β1,β2)对细胞介电频谱的影响,采用改变单个参数,固定其他参数的方法,观察介电频谱的变化.结果显示:Δε1影响低频介电频谱和Cole-Cole(ε′)图;Δε2影响高频介电频谱、Cole-Cole(ε′)图和Cole-Cole(κ′)图;εh影响ε′(f)、Cole-Cole(ε′)图和tgδ(f);κl对κ′(f)和Cole-Cole(κ′)图有影响;f1影响低频介电频谱;f2影响高频介电频谱;β1影响Cole-Cole(ε′)和tgδ(f);β2对高频介电频谱有影响.可见Cole-Cole方程作为细胞介电频谱的数学模型,其参数变化有规律可循. 相似文献
93.
94.
95.
将单分子发夹寡核苷酸固相延伸形成双链寡核苷酸, 以纳米金颗粒标记NF-κB并银染放大, 采用阳极溶出电位法对NF-κB进行检测. 结果表明, 本法检测序列特异性蛋白质具有高度特异性、高灵敏度和快速等特点, 为转录因子调控机制、开放阅读框识别和功能基因检测等的研究提供了有利工具. 相似文献
96.
Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
文章建立了立方四面体3d2络合物g因子的完全高阶微扰公式.在这个公式中,除了与d-d跃迁光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型)外,与电荷转移光谱(荷移激发态)有关的荷移(CT)机制的贡献也被考虑.将这个公式应用于Ba2MgGe2O7:Cr4 晶体平均g因子的计算,发现理论计算值与实验值很好的一致,同时,荷移机制对g移动△g(=g-2.002 3)的贡献△gCT在符号上与晶场机制的贡献△gCF相反,而在大小上约为晶场机制贡献的38%.因此,在对高价态过渡金属离子络合物的g因子计算时应考虑CF机制和CT机制的贡献. 相似文献
97.
98.
目标单、双基地雷达散射截面(RCS)反映了目标是否容易被单、双基地雷达检测到。目前缺乏单、双基地RCS对比的量化指标。首先定义了双基地RCS相对于单基地RCS的RCS增强因子和RCS增强率,然后应用该定义统计分析了某隐身目标和非隐身目标双基地RCS计算结果。结果显示:对隐身目标,RCS增强因子大,RCS增强率高,对于非隐身目标,其RCS增强因子显著下降,RCS增强率不高。结合指标含义,应用双基地RCS有助于隐身目标检测,而对非隐身目标效果并不明显,这与雷达界认识相一致。这也说明,应用上述两个指标进行单、双基地RCS对比分析是有效的。此外根据隐身目标在较窄双基地角范围内的双基地RCS分析结果,应用双基地角20°~40°范围内的双基地RCS即可提高对隐身目标的检测效果。 相似文献
99.
采用溶胶-凝胶法在SiO_2微球表面覆盖上一薄层Nd~(3+)掺杂SiO_2,并经电极放电熔融后形成表面光滑的高Q值微球.采用锥光纤将808 nm的抽运激光耦合入钕离子掺杂的高Q值微球形成回廊模,激发产生了1080—1097 nm波段受激辐射激光.由于所产生的激光有足够高的功率密度,在高Q SiO_2微球中激发产生了波长为1120—1143 nm一级自受激拉曼散射激光.推导了锥光纤掺钕微球组合的自受激拉曼散射的输出功率和阈值公式.描述了输出激光的特性:阈值、输出功率、线宽、边模抑制比. 相似文献
100.
This paper investigates the current-voltage (I-V) characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 77 K-500 K, which shows that Al/Ti/4H SiC SBDs have good rectifying behaviour. An abnormal behaviour, in which the zero bias barrier height decreases while the ideality factor increases with decreasing temperature (T), has been successfully interpreted by using thermionic emission theory with Gaussian distribution of the barrier heights due to the inhomogeneous barrier height at the A1/Ti/4H-SiC interface. The effective Richardson constant A* = 154 A/cm2 . K2 is determined by means of a modified Richardson plot In(I0/T2) - (qσ)2/2(κT)2 versus q/kT, which is very close to the theoretical value 146 A/cm2 · K2. 相似文献