NiFeCoP/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应和磁化频率特性

用化学镀的方法制备了NiFeCoP/CuBe复合结构丝，研究了其巨磁阻抗特性.结果表明复合结构丝在较低频率的驱动电流下就有明显的磁阻抗效应，当驱动电流频率在20kHz时的磁阻抗效应为40％，最大磁阻抗效应出现的频率在180kHz，为97％.利用复数磁导率和等效电路探讨了该复合丝铁磁层磁化过程的频率特性，复合结构丝的特征弛豫频率在1MHz左右.外加直流磁场抑制畴壁移动，在等效电路中与抵消部分并联电路相关. 关键词： 巨磁阻抗效应 磁导率 弛豫频率 等效电路     

间接馈电柱-锥级联爆磁压缩发生器数值模拟

 为了研究间接馈电、两级级联柱-锥构型的爆磁压缩发生器的物理特性，发展了描述爆磁压缩物理过程的2维爆轰磁流体力学程序——MFCG（Ⅴ），并用其分析、计算了一系列模型。通过将计算结果与柱-柱构型的结果进行比较，表明了柱-锥构型更有利于功率放大：在同样的输出电流条件下，不仅爆磁压缩的时间缩短，而且输出功率也相应地增加。MFCG（Ⅴ）程序的建立以及相应的数值模拟结果有助于加深对柱-锥构型的爆磁压缩发生器物理过程的认识，并为实验设计提供参考。     

Polymer Light-Emitting Diode Using Conductive Polymer as the Anode Layer

The analysis based on series equivalent circuit indicates that the resistance of electrode layers is the major factor limiting the current density of polymer light-emitting diodes （PLEDs） at higher voltages. The conductivity of 790 S/cm for the PEDOT：PSS film is achieved by secondary doping. At a thickness of 240 nm, the sheet resistance of the polymer layer is 51 Ω/sq, which is comparable to that of lTO films. The current density and luminance of the PLEDs with the polymer anode layer is higher than the ITO anode device, suggesting that it is feasible to replace ITO anode with a highly conductive polymer in PLEDs.     

激光烧蚀金属元靶等离子体中电学信号的实验研究

将高功率脉冲激光作用于金属元靶,探测激光诱导等离子体在靶上产生的电学信号.研究了作用激光能量的差异对等离子体电信号的影响,实验结果表明随着激光能量的增加电信号脉冲幅度逐渐增大并趋于饱和.同时,将激光烧蚀过程中的靶材等效为瞬态电流源,初步建立了激光诱导等离子体等效电路模型,并将该模型应用于激光烧蚀金属靶,对靶上电信号的产生机制进行了详细讨论.     

添加Nb对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了CaCu3Ti4-xNbxO12(x=0,0.01,0.04,0.08,0.2)陶瓷,样品在x取值范围内形成了连续固溶体.在40 Hz-110 MHz频率范围对样品进行了介电频谱分析,实验结果表明,与纯CaCu3Ti4O12不同,含Nb试样除了在频率大于10 kHz范围内出现的德拜弛豫行为外,室温下在40 Hz-10 kHz低频率范围内还存在一个新的德拜弛豫峰,低于该弛豫特征频率时介电常数达106以上,该峰的特征频率随着Nb含量的增大向高频方向移动.根据阻抗谱中观察到的三个半圆弧,采用阻挡层电容模型,利用含有三个RC的等效电路对上述实验现象作了合理解释.     

一种四级传输线脉冲变压器的初步研究

 分析了四级传输线脉冲变压器的电路结构,采用等效电路方法简化了电路,推导了输出电压波形的表达式。开展了冷测实验,结果显示传输变压器变压比约为4,变压器上升时间约为48 ns。采用实验所测参数,利用PSPICE软件对全电路进行了数值模拟。结果表明:模拟和冷测结果基本一致。将各元件参数代入波形表达式,结果表明:传输变压器上升时间计算值为12 ns,与实验值(48 ns)有一定差距;而传输变压器变压比计算值为3.98,与实验结果基本吻合。     

超表面结构MEMS红外超窄带光源研究

针对常用的MEMS红外光源是类灰体光源,存在发射光谱范围比较广的问题,提出一种基于表面等离子体的超表面结构,将其覆盖在MEMS光源上实现一种有选择性、高发射率的窄带光源.还提出了一种改进的集总等效电路模型,通过模型能够比较准确地计算出超表面中结构尺寸对光源中心频率、带宽以及发射率的影响,探究了该结构中各个尺寸的改变对光...     

圆盘型爆磁压缩发生器的数值模拟

根据圆盘型爆磁压缩发生器系统等效电路,建立了简化计算模型。利用Matlab编写了MDEMG程序,以直径240 mm的三单元圆盘型爆磁压缩发生器为研究对象,进行了数值模拟,分析了圆盘型爆磁压缩发生器工作期间电流、电感、爆轰压力、磁压、电压分布等参数的变化过程,并进一步分析发生器初始电流、圆盘构形对发生器输出特性的影响。结果表明:在输入电流为6 MA时,发生器在1.5 nH电感负载上可以获得40 MA、特征上升时间3 s的脉冲电流;发生器输出电流与初始电流正相关,但由于磁压随电流增大迅速增大,发生器输出电流存在极限;相对于平面型圆盘,锥型圆盘可以提高发生器工作后期的功率。     

CSNS/RCS引出脉冲电源传输电缆终端绝缘技术

对脉冲电源系统72 h老练实验过程中高压电缆座打火并被击穿情况进行分析,建立高压电缆终端电场分布等效电路,推导出从电缆终端到金属屏蔽层的电势差公式,从理论上分析高压座被击穿的原因是电缆终端绝缘层未做倒角,空间电荷在此处集聚、温度升高导致的。通过定位被击穿高压座击穿孔的位置验证理论分析的正确性,最后提出高压电缆端部绝缘层处理方法,并做72 h老练实验验证了其正确性。     

等效电路的画法

有些比较复杂的混联电路，由于不能一眼看出电阻间的联接关系，学生往往不知从何下手．我初步总结了以下画法，并在课堂上反复用过，直观易学，效果很好.现介绍如下，以供参考．１画出两端．始于一端，分路分支．支支画出，直到未端． 例１如图１每个电阻的阻值都是３，试分别求ＲＡＢ、ＲＡＥ。 画出ＡＢ间ＡＥ间的等效电路，问题就迎刃而解了．现以 ＲＡＢ为例画出ＡＢ间等效电路.首先，把ＡＢ两端画在两侧（图１ａ）．然后，从一端开始，按原图的顺序见到电阻画电阻，见到分路就按规范的并联电路画法画出分支．本题Ａ端开始就分了路，在…