五乙烯六胺改性金属有机骨架材料MIL-101(Cr)对CO_2的吸附性能

采用溶剂热法合成金属有机骨架材料MIL-101(Cr),用回流法将五乙烯六胺(PEHA)负载到MIL-101(Cr)孔道中的不饱和金属位点上,使用扫描电镜、粉末X射线衍射、氮气物理吸附、元素分析和傅里叶变换红外光谱等表征手段考察材料的结构和形貌,测试氨基改性前后的MIL-101(Cr)在25℃、不同压力下对CO_2的吸附效果。结果表明,负载0.24 m L五乙烯六胺后的MIL-101(Cr)对CO_2的吸附效果最好,在25℃、常压下对CO_2的饱和吸附量可达58.944 mg/g,相比未负载五乙烯六胺的MIL-101(Cr)吸附量(CO_2饱和吸附量为44.208 mg/g)增加了33%。随着吸附压力的增加,MIL-101(Cr)和0.24PEHAM IL-101(Cr)对CO_2的饱和吸附量逐渐增加,当吸附压力为1.1 MPa时,两者的吸附量分别为1 147.59和1 256.74 mg/g,表明该类材料在高压下对CO_2有着良好的吸附效果。     

基于CH3NH3PbI3单晶的Ta2O5顶栅双极性场效应晶体管

Organic-inorganic hybrid perovskite methylammonium lead iodide (CH₃NH₃PbI₃) generally tends to show n-type semiconductor properties. In this work, a field-effect transistor (FET) device based on a CH₃NH₃PbI₃ single crystal with tantalum pentoxide (Ta₂O₅) as the top gate dielectric was fabricated. The p-type field-effect transport properties of the device were observed in the dark. The hole mobility of the device extracted from transfer characteristics in the dark was 8.7×10^-5 cm²·V^-1·s^-1, which is one order of magnitude higher than that of polycrystalline FETs with SiO₂ as the bottom gate dielectric. In addition, the effect of light illumination on the CH₃NH₃PbI₃ single-crystal FET was studied. Light illumination strongly influenced the field effect of the device because of the intense photoelectric response of the CH₃NH₃PbI₃ single crystal. Different from a CH₃NH₃PbI₃ polycrystalline FET with a bottom gate dielectric, even with the top gate dielectric shielding, light illumination of 5.00 mW·cm^-2 caused the hole current to increase by one order of magnitude compared with that in the dark (V_GS (gate-source voltage)=V_DS (drain-source voltage)=20 V) and the photoresponsivity reached 2.5 A·W^-1. The introduction of Ta₂O₅ as the top gate dielectric selectively enhanced hole transport in the single-crystal FET, indicating that in the absence of external factors, by appropriate device design, CH₃NH₃PbI₃ also has potential for use in ambipolar transistors.     

烷基胺为媒介的铜纳米棒的合成及其生长机制研究

以氯化铜为前躯体,葡糖糖为还原剂,烷基胺(十六胺和十八胺的混合物)为络合剂和表面包覆剂,经过络合反应和溶剂热两步反应首先得到形貌均一、直径约为100 nm的铜纳米颗粒, 随后自发生长为五重孪晶铜纳米棒(仍含有部分颗粒)。实验过程中分别对溶剂热反应1 h、3 h和5 h后的还原产物的形貌特征加以表征,可以推断被还原的铜原子首先均匀成核形成初级铜纳米颗粒,经过奥斯特瓦尔德老化过程生长为五重孪晶的次级铜纳米颗粒,由于孪晶结构具有很高的生长活性,在烷基胺的表面包覆作用下生长为各项异性的铜纳米棒。该方法提供了一种有效的铜纳米棒的制备方法并且降低了一维铜纳米材料的合成成本。     

五元水滑石的微波晶化法合成及催化苯酚羟基化反应

采用微波晶化法合成了二元CuAl、三元CuAlNi、四元CuAlNiFe、五元CuAlNiFeCo水滑石类化合物,并将其用于催化苯酚羟基化制苯二酚,结果表明五元配合物的催化性能最好。Cu4NiCoFeAlCO3的XRD和IR表征表明其晶体结构为水滑石结构;用TEM观察了五元配合物的晶体形貌。五元水滑石催化苯酚羟基化反应结果表明,催化剂活性随其铜含量的增加而增大;双氧水的有效利用率随苯酚／双氧水摩尔比的升高而增大。以Cu4NiCoFeAlCO3为催化剂时,在苯酚／催化剂质量比为10、10mL水作溶剂、0．5g苯酚、苯酚／双氧水摩尔比为1：2条件下,苯酚转化率为62．96％,苯二酚的选择性达到97．63％。     

有机五价碘氧化试剂

介绍了最近几年有关五价碘氧化试剂在有机合成中应用的研究进展,主要从合成、应用、机理方面进行了阐述。     

Ar的第三谱带240nm中心谱区与气压关系的实验观察

采用强流相对论电子束横向泵浦纯氩,获得了属于Ar的第三谱带范围内240nm中心谱区的光强随气压变化的关系.结果表明,压强为3×10⁵Pa时是产生这一谱区的最佳气压,并证实了这一谱区是由带电的原子团簇产生的.     

不对称五氮齿类卟啉镉的合成及电子吸收光谱特性研究

本文报道几种不对称类卟啉镉(Ⅱ)配合物的合成及其结构表征,并对其电子吸收光谱特性进行了研究。结果表明,这类配合物的0-0跃迁在λ_max>690nm有一个允许跃迁的强吸收带,且随π电子数及取代基的不同有着明显差别;在强极性溶剂中,该类配合物可发生H聚集;将跃迁能量、振子强度等性质与取代基Hammett常数进行线性相关,揭示了取代基效应对0-0跃迁的影响规律。     

气液色谱法研究双—(O,O''''—二正辛基二硫代磷酸酯)合镍(Ⅱ)与五员杂环化合物加合反应的热力学性质

气液色谱法是研究酸碱相互作用热力学性质的有效方法之一,适合于气液表面化学反应的研究,可以得到一些用其他方法难以获得的热力学参数,丰富了表面化学领域的研究,具有重要的理论意义和应用价值。文献[1—4]利用气液色谱法测量了Ni[THDD]_2、Ni[(C_8H_(17)O)_2PS_2]_2与含氮、含氧有机碱加合反应的平衡常数、标准焓变和标准熵变值。作为酸碱加合反应研究的一部份,本文测定了Ni[C_8H_(17)O)_2PS_2]_2与五员杂环化合物呋喃、噻吩和吡咯反应的热力学参数。     

磷酰化氨基酸反应性质的理论研究

采用量子化学计算研究了磷酰化氨基酸的反应性质,包括N-磷酰氨基酸成肽反应、成酯反应、磷上酯交换反应和磷上的N→O迁移反应的机理以及计算模型和计算方法的选择,并从理论上解释了自然界选择α-氨基酸而不是β,γ-氨基酸的实验事实.     

运用CAFP教学提升学生化学意志素质的教学案例

鉴于当前学生化学意志素质缺乏的问题,探讨以认知、情绪唤醒、情感、意志为主控目标,在预习、尝试学习、交错搭配合作学习中,开展CAFP教学研究,以促成情意因素对认知的调动、动力、强化等功能。