基于聚硅氧烷双功能低玻璃化温度聚合物的合成与表征

介绍了一种新型双功能光折变聚合物材料的合成方法,首先在合成空穴传输体N-(5-己烯基咔唑)(HECZ)、非线性生色团4-腈基-4'-(5-己烯氧基)联苯(HEBP)液晶基元的基础上,与含氢聚甲基硅氧烷进行硅氢加成,合成双功能共聚物.采用红外光谱和核磁共振氢谱对产物进行了结构表征,并对最终共聚物进行偏光显微镜分析,发现该共聚物具有向列型液晶织构.共聚物DSC热分析测得玻璃化温度在室温以下-5 ℃,这类光折变聚合物不需要加入增塑剂可在室温以下极化.     

BaFBr中O2-的发光研究

通过比较紫外和真空紫外光辐照前后，BaFBr以及BaFBr:O样品的发光，研究氧在光激励发光材料中所起的作用。未经辐照的样品，在240nm光激发下，BaFBr:O有峰值为330、345、540nm以及440、480、502nm肩峰的发光，而对BaFBr却探测不到发光。辐照后，在240nm激发下，BaFBr以及BaFBr:O样品都可观测到相近的发光，只是相对强度略有不同，指出样品的发光来源于氧。在100－400nm范围内，BaFBr以及BaFBr:O样品的吸收谱中存在四个宽的吸收带，表明紫外和真空紫外光可激发或电离占据氟离子格位的O^2-离子，氧在BaFBr光激励发光材料中可充当空穴陷阱。     

硅中分子离子注入的损伤增强效应

本文研究了单晶硅中磷分子离子(P₂⁺)注入相对于磷原子离子(P⁺)注入的损伤增强效应,系统分析了这种损伤增强效应与注入剂量、能量、靶温的关系以及注入后退火的特征,利用我们提出的离子注入时分子离子与靶原子的多体碰撞模型对其物理机制进行了讨论.     

种子场对单池受激布里渊散射脉冲波形保真的影响

受激布里渊散射(SBS)产生池中引入种子光场，在种子场诱导下产生SBS，这不但可以降低SBS阈值，更可以获得最小的SBS脉冲形变，确保与抽运光波形基本一致，获得高波形保真.从理论和实验两方面研究了种子光强弱对脉冲波形保真的影响. 关键词： 受激布里渊散射 脉冲波形保真 注入种子     

轴承滚珠等离子体浸没离子注入过程的数值模拟

 利用轴对称PIC模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入（PIII）过程进行了数值模拟，对归一化电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中，为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成不良影响，对滚珠在靶台上摆放的最小距离进行了数值计算，计算结果表明：在电压为－40kV, 氮等离子体密度为4.8×10⁹ cm^-3，脉冲宽度为10μs时，滚珠摆放的最小距离应大于34.18cm。分析了滚珠圆周方向注入剂量的分布情况，针对静止滚珠改性处理后剂量分布很不均匀的问题，通过旋转靶台使滚珠注入均匀性明显得到改善。利用朗谬尔探针测量了滚珠周围鞘层扩展的情况测量，模拟结果和实验测量结果相吻合，最大相对误差小于8.4 %。     

非线性光导开关输出脉冲延迟时间的研究

利用非线性光导开关的雪崩注入模型，讨论了光导开关工作偏压、光导开关材料的深能级杂质浓度、光脉冲能量等参量对非线性光导开关输出脉冲延迟时间的影响，给出了一些有意义的结论。     

Intranet的防御对策

分析了Intranet(企业内部网)目前所面临的各种安全威胁，如病毒、蠕虫、木马、间谍软件等恶意程序，以及信息收集、密码破解、漏洞利用、网络欺骗、拒绝服务攻击(DOS)等攻击方法，并在此基础上提出一种Intranet安全防御模型和相应的应对措施，结合当前新的防御技术，给出一种完整的Intranet安全解决方案，协助内部网络在互联网这个复杂环境中有效防御各种不安全因素以确保自己的安全．     

类金刚石膜不同能量下的离子注入

本文对等离子体气相沉积法制备的类金刚石膜(a-C:H)进行了离子注入研究。注入剂量固定为5×10⁵Ar/cm²,注入能量分别为50,100,140和180keV。离子注入前后分别作了红外吸收谱,Raman谱,光学能隙,氢含量和电阻率的测量。结果表明,注入离子破坏了膜中的C—H键,sp²和sp³态都减少,而(sp²/sp³)比值增大;光学能隙E_opt,电阻 关键词：     

Y1-xCaxBa2Cu3O6系统中空穴掺杂诱导的绝缘体-金属转变和超导电性

本文报道利用Ca部分取代Y的方法,将空穴引入绝缘的YBa₂Cu₃O₆系统中,使其发生由绝缘体到超导体的转变,并通过研究其电子输运性质、磁性质,以及晶体结构的变化,揭示了具有适当载流子浓度的CuO面是维持高T_c超导电性的重要条件。 关键词：